4 "FZ Prime Silicon Вафли-8

4 "FZ Prime Silicon Вафли-8

PAM СЯМЫНЬ предложения4 "FZ Prime Silicon Вафли-8

4 "вафельный GDFZ Si,
Н типа, легированный Как
Ориентация (100)
Толщина 250 ± 25 мкм,
Resistivity 0.001-0.005Ωcm
DSP

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресуsales@powerwaywafer.comиpowerwaymaterial@gmail.com

РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксии технологии, диапазон от первого поколения Германий пластин, второго поколения на основе арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на III-V кремния, легированного полупроводниковых материалов п-типа на основе Ga, Al, In, As и P выращенных методом МЛЭ или MOCVD, к третьему поколению: карбид кремния и нитрид галлия для LED и устройства питания применения

Наша цель состоит в том, чтобы удовлетворить все ваши требования, независимо от того, как небольших заказов и как сложные вопросы, они могут быть, для поддержания устойчивого и прибыльного роста для каждого клиента с помощью наших квалифицированных продуктов и сытного обслуживания.

2019-10-25

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

(10-11) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate

PAM-XIAMEN offers (10-11) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(10-11)-U Dimension 5 x 10 mm2 or 5 x 20 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (10-11) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (10-11) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type / Undoped Resistivity (300K) < 0.1 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine Ground or polished. Dislocation Density ≤ 5 x 10 6cm-2 Macro Defect Density 0 cm-2 Useable Area > 90% (edge exclusion) Package each in single wafer container, under nitrogen atmosphere, packed in class 100 clean room   For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-08-20мета-автор
CZT α-ray Detector

PAM-P02, the α series energy spectrum detectors are charged particles detector based on CZT crystal in super small size. They can be used in common environment and vacuum environment. For vacuum environment, they have an especially high energy resolution. The detector integrates CZT crystal, visible light [...]

2019-04-23мета-автор
LINBO3 LITHIUM NIOBATE CRYSTAL

PAM XIAMEN offers LiNbO3 Lithium Niobate Crystal. Lithium niobate is a ferroelectric material with excellent electro-optic, nonlinear, and piezoelectric properties.  Lithium niobate crystals are important materials for optical waveguides, mobile phones, piezoelectric sensors, optical modulators and various other linear and non-linear optical applications. Find lithium niobate [...]

2019-03-13мета-автор
N Type Sb Doped Silicon Wafer for Integrated Circuit Manufacturing

PAM-XIAMEN, one of leading silicon wafer producers, can offer 4 inch N type Sb doped Silicon wafer. As an important substrate for epitaxial growth, heavily doped antimony silicon wafers are widely used in integrated circuit manufacturing. 1. Specification of 4 inch Sb Doped Si wafer [...]

2021-06-25мета-автор
New Process Results in Smoother Indium Antimonide Substrates

We specialize in providing antimonide wafers, like InSb wafer: https://www.powerwaywafer.com/compound-semiconductor/insb-wafer.html. In addition, we will offer technology support for you. Here we share a paper “New Process Results in Smoother Indium Antimonide Substrates”, which is about modified chemomechanical polishing of InSb wafer. Reprinted from: spie.org Published by: Patrick [...]

2022-07-08мета-автор
PAM-XIAMEN Offers 2” InGaAsN layer on GaAs substrate

Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd., a leading supplier of InGaAsN wafer and other related products and services announced the new availability of size 2″  is on mass production in 2017. This new product represents a natural addition to PAM-XIAMEN’s product line.   Dr. Shaka, said, “We [...]

2017-07-11мета-автор