6 "ФЗ кремниевой пластины-4

6 "ФЗ кремниевой пластины-4

PAM XIAMEN предлагает 6-дюймовую кремниевую пластину FZ

Кремниевые пластины, согласно SEMI Prime, P / E 6 ″ × 875 ± 25 мкм,
FZ p-типа Si: B [111] ± 0,5 °, Ro> 10000 Ом,
Деформация <60 мкм,
Частицы: полированная, ≤10@≥0,3 мкм,
MCL (Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn) <5E10 / см², травление с обратной стороны,
Потускнение, апельсиновая корка, загрязнение, дымка,
микро царапины, сколы, краевые сколы, трещины,
гусиные лапки, булавочные отверстия, ямы, вмятины, волнистость,
пятно и шрам на обратной стороне: все нет,
SEMI выемка при 110 ± 1 °, края: закругленные,
Запечатанный в Empak или эквивалентной кассете,
Время жизни MCC> 1000 мкс.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресуsales@powerwaywafer.comиpowerwaymaterial@gmail.com

Основанная в 1990 году компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае. PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные подложки и полупроводниковые приборы. Технологии PAM-XIAMEN позволяют повысить производительность и снизить стоимость производства полупроводниковых пластин.

До 1990 года мы являлись владельцем исследовательского центра по физике конденсированных сред. В 1990 году центр запустил Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), теперь он является ведущим производителем композитных полупроводниковых материалов в Китае.

2019-09-03

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

What is the Key Parameters of SiC Epitaxial Wafer?

The most basic and key parameters of SiC epitaxial materials are the thickness and doping concentration uniformity.In fact, the epitaxial parameters mainly depend on the device design. For example, the epitaxial parameters are different according to the different voltage levels of the devices. Generally, [...]

2020-09-22мета-автор
Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward

Single crystal germanium wafer with orientation (110) miscut toward <111> with 4 deg. or 12 deg. is provided without dopant. Due to the similar chemical properties with silicon, single crystal germanium has similar applications. While hall effect germanium wafer has higher sensitivity to gamma [...]

2021-10-25мета-автор
Silicon Ingots-6

PAM XIAMEN offers Silicon Ingots. Material Description 5″Ø×420mm n-type Si:As[100], Ro=(0.0032-0.0034)Ohmcm 5″Ø (5 ingots: 540mm, 254mm, 607mm, 644mm, 201mm), n-type Si:As[100], (0.001-0.007)Ohmcm 5″Ø×375mm ingot n-type Si:As[100], Ro=(0.0021-0.0039)Ohmcm 5″Ø×330mm ingot n-type Si:As[100], Ro=(0.0022-0.0040)Ohmcm 5″Ø×416mm ingot n-type Si:As[100], Ro=(0.0024-0.0029)Ohmcm 5″Ø×273mm ingot n-type Si:As[100], Ro=(0.0024-0.0040)Ohmcm 5″Ø×388mm ingot n-type Si:As[100], Ro=(0.0029-0.0044)Ohmcm 5″Ø×340mm ingot n-type Si:As[100], Ro=(0.0032-0.0044)Ohmcm 5″Ø×290mm ingot [...]

2019-03-08мета-автор
Wafer Processing Service

PAM-XIAMEN participates in the design and processing of MEMS and compound semiconductor GaAs microwave integrated circuit (GaAs MMIC) devices, and focuses on the research, development, production and service of micro-nano sensors, micro-electromechanical systems (MEMS), micro-nano manufacturing and compound semiconductor GaAs chips. We are a [...]

2021-11-30мета-автор
The SiC and GaN power semiconductor market will exceed $10 billion by 2027!

The SiC and GaN power semiconductor market will exceed $10 billion by 2027! Key conclusions: Emerging-market silicon carbide(SiC) and gallium nitride(GaN) power semiconductors are expected to reach nearly $1 billion by 2020, driven by demand for hybrid and electric vehicles, power and photovoltaic (PV) inverters. The use [...]

2018-09-13мета-автор
Germanium (Ge) Window

Germanium (Ge) window is provided for infrared (IR) transmission. Ge window is not transparent for visible lingt and UV light while has a wide transmission range in infrared band. Infrared grade germanium single crystal is the basic material for making infrared lenses, infrared window [...]

2021-09-18мета-автор