PAM-XIAMEN предлагает пластину лазерного диода (LD) с длиной волны 650 нм, излучающую красный видимый свет. Наша эпи-подложка для лазерного диода 650 нм состоит из эпи-слоев: P+ GaAs, P- AlGaInP, нелегированного AlGaInP, нелегированного GaInP QW, нелегированного AlGaInP и N- AlGaInP, нанесенных наПодложка GaAs типа N. Вот конкретная структура пластины лазерного диода с длиной волны 650 нм.
1. Детали для пластины LD 650 нм
1.1 Эпитаксиальная структура пластины лазерного диода 650 нм (PAM210622-650LD)
P+ GaAs P>5E19, d=0,15 мкм
P- AlGaInP и нелегированный AlGaInP d ~ 1,5 мкм.
Нелегированный GaInP QW PL: 640+-5 нм
Нелегированные AlGaInP и N-AlGaInP, d~2,2 мкм
Подложка N GaAs N=(0,4~4)×10^18 d=350~625мкм (100) 10°выкл. <111>A
1.2 Материал с длиной волны излучения 650 нм
Материал пластины излучает длину волны 650 нм, выделенную красным кружком:
2. О лазерном диоде
Лазерный диод по сути является полупроводниковым диодом. В зависимости от материала PN-перехода лазерные диоды можно разделить на лазерные диоды с гомопереходом, одиночным гетеропереходом (SH), двойным гетеропереходом (DH) и квантовыми ямами (QW). Среди всех типов ЛД лазерные диоды с квантовыми ямами обладают преимуществами низкого порогового тока и высокой выходной мощности и являются основными продуктами, используемыми в настоящее время на рынке.
Схема лазерного диода
*Принцип работы лазерного диода
Кристаллический диод представляет собой pn-переход, образованный полупроводником p-типа и полупроводником n-типа, а на обеих сторонах интерфейса формируется слой пространственного заряда и создается собственное электрическое поле. При отсутствии приложенного напряжения диффузионный ток, вызванный разницей в концентрации носителей по обе стороны от перехода лазерного диода, равен дрейфовому току, вызванному собственным электрическим полем, и он находится в электрическом равновесии.
* Применение лазерного диода
Лазерный диод уже применяется в области медицины, промышленной обработки и т. д.
3. Проблемы подготовки коммерческих пластин лазерных диодов
Хотя перспективы пластин лазерных диодов блестящие, текущие ключевые технологии и инженерные исследования трех основных цветов ЛД-материалов красного, зеленого и синего цветов для источников лазерного света должны срочно совершить прорыв. PAM-XIAMEN фокусируется на решении проблемы индустриализации красного LD, одного из трех основных цветов, с четкой целью, которая заключается в разработке высокого качества луча, низкого порога, длительного срока службы, низкой стоимости красного LD и полного технического резерва для производства. инженерия.
С учетом вышеизложенных целей необходимо решить следующие технические проблемы:
1) Эффективная инжекция носителей в квантовую яму;
2) Подавление дефектов в эпитаксиальных материалах AlGaInP с высоким содержанием алюминия;
3) Подавление оптической катастрофы поверхности резонатора.
Чтобы решить эти проблемы, необходимо преодолеть низкую плотность дефектов, высокую деформацию, высокую однородность, недорогой эпитаксиальный рост материала AlGaInP, смешивание квантовых ям, неабсорбционное окно и пассивацию поверхности полости, эффективный термический контроль модулей корпуса LD, тестирование характеристик звеньев производства ЛД и других ключевых технологий.
4. Использование пластин лазерного диода 650 нм
Пластины лазерных диодов можно использовать в качестве фотоэлектрического переключателя с отличными характеристиками и надежным качеством, что делает эффективность лазерных диодов выше, чем раньше. Эпитаксиальная пластина для лазерного диода 650 нм широко используется в лазерных указках, DVD-плеерах, лазерной маркировке, лазерной локации и так далее.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.