650V Gan Fets Chip для быстрой зарядки
PAM-XIAMEN предлагает чип GaN FET 650 В для быстрой зарядки. На современном рынке,источники быстрой зарядки нитрида галлияв основном используют чип GaN 650 В (GaN FET) в качестве силовых переключателей, а высокочастотные характеристики нитрида галлия используются для того, чтобы сделать терминалы быстрой зарядки меньшими по размеру и более эффективными.
Полевые транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) серии PAM65D150DNBI-TS с напряжением 650 В и сопротивлением 150 мОм являются нормально включенными устройствами. Чип PAM-XIAMEN GaN обеспечивает более высокую эффективность за счет меньшего заряда затвора, более высоких скоростей переключения и меньшего заряда обратного восстановления, что дает значительные преимущества по сравнению с традиционными кремниевыми (Si) устройствами. PAM-XIAMEN — один из ведущих производителей GaN-чипов с инновациями мирового уровня.
1. Параметры чипа GaN FET 650 В.
| Символ | параметр | Предельное значение | Ед. изм |
| RθJC | Соединение с корпусом | 1.3 | ° C / Вт |
1.1 Абсолютный максимальная Номинальные параметры GaN 650 В Чип полевых транзисторов (TC=25°C, если не указано иное)
| Символ | параметр | Предельное значение | Ед. изм | |
| VDSS | Сток к источнику напряжения | 650 | V | |
| VDSS | Затвор-источник напряжения | 一 25 ~ + 2 | ||
| ID | Непрерывный ток стока при TC=25°C | 15 | А | |
| Непрерывный ток стока при TC=100°C | 10 | |||
| IDM | Импульсный ток стока | 65 | А | |
| PD | Максимальная рассеиваемая мощность при TC=25°C | 65 | W | |
| TC | Рабочая Температура | случай | 一 55 ~ 150 | ° С |
| TJ | узловой | 一 55 ~ 175 | ° С | |
| TS | Температура хранения | 一 55 ~ 150 | ° С | |
ВершинаДно
1.2 Электрические параметры 650 ВGaN чипзадавать (TJ = 25 ° C, если не указано иное)
| Символ | параметр | Мин | Typ | Максимум | Ед. изм | Условия испытаний |
| Характеристики прямого устройства | ||||||
| V (BL) DS | Напряжение дренажного источника | - | 650 | - | v | Vcs = -25 В |
| Vasth) | Пороговое напряжение затвора | - | -18 | - | v | Vds = vas, ids = lua |
| RDS (вкл.) | Дренажный источник на резиденте | - | 150 | 180 | mQ | VCS = OV, ID-10A |
| - | - | - | VGS = OV, ID-10A, T.J= 150 ° C | |||
| lDss | Утечка дренажа текущий |
- | - | 3 | мкА | VDS = 650V, VGS = -25V |
| - | - | 30 | VDS = 400V, VGS = -25V, Т = 150 ° С |
|||
| девушка | Ворота-источник вперед ток утечки |
- | 3.7 | 100 | нА | VGs= 2V |
| Ворота к источнику обратное ток утечки |
- | -3.5 | -100 | VГ.С.= -25 В | ||
| CIss | Входная емкость | - | 650 | - | пФ | vGs = -25В, ВDS= 300 В, F = 1 МГц |
| Косс | Выходная емкость | - | 40 | - | ||
| CRSS | Обратная емкость | - | 10 | - | ||
| Qграмм | Общий заряд ворот | - | 9 | - | нКл | VDS= 200 В, ВГ.С.= От -25v для OV, ID= 10А |
| QГ.С. | Заряд ворота | - | 2 | - | ||
| QGD | Заряд затвора | - | 7 | - | ||
| tn | Время восстановления обратного восстановления | - | 4 | - | нс | IS = 0a до 11a, vДД= 40 di/dt=1000A/uS |
| Q. | Заряд обратного восстановления | - | 17 | - | нКл | - |
| TIX (вкл.) | Задержка включения | - | 0.5 | - | - | VDS = 200VVG = -25V для OV, ID = 10A |
| Tr | Время нарастания | - | 9 | - | ||
| tD (выкл.) | Отключить задержку | - | 0.5 | - | ||
| tF | время падения | - | 10 | - | ||
| Обратное устройство характерно | ||||||
| VSD | Обратное напряжение | - | 7 | - | v | VГ.С.= -25V, IS = 10a, Tc = 25 ′ c |
1.3 Типичные характеристики 650V GANЗарядное устройство Чип (TJ = 25 ° C, если не указано иное)
1.4 Тестовая цепь и формы волны 650 В GANМощность чип
1,5 размера упаковки 650 ВЧип GaN
| ВЕЩЬ | Я 1 предел (Мм) |
Центр (Мм) |
верхний 1 предел (Мм) |
| А | 0.80 | - | 1.00 |
| A1 | 0 | - | 0.05 |
| A2 | 0.15 | 0.25 | 0.35 |
| б | 0.9 | 1 | 1.1 |
| D | 7.9 | 8 | 8.1 |
| D1 | 6.9 | 7 | 7.1 |
| D2 | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
| D3 | 7.1 | 7.2 | 7.3 |
| D4 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E | 7.9 | 8 | 8.1 |
| E1 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E2 | 4.25 | 4.35 | 4.45 |
| E3 | 2.65 | 2.75 | 2.85 |
| е | 1.9 | - | 2.1 |
| L | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
2. Общие черты 650V GANМощность FETs
Легко водить - совместим со стандартными воротами
Низкие потери проводимости и переключения
Низкий QRR 17NC-нет свободного диода
требуется
ROHS Compliant и Halogen без галогени
3. Автомобиль 650V Gan Fets Chip
Быстрое зарядное устройство
Возобновляемая энергия
Телеком и данные
Сервоприводы
Промышленное
Автомобиль
4. Преимущества 650В Gan Chip
Повышение эффективности за счет быстрого переключения
Повышенная плотность мощности
Увеличенный размер системы и вес
Как представитель третьего поколения полупроводниковых материалов, когда нитрид галлия используется в устройствах быстрого зарядки, выходная мощность устройств чипов GaN в три раза больше, чем у традиционных материалов в случае того же размера. Технология Gan FET переопределяет стандарт для быстрой зарядки мобильных телефонов. Полупроводниковая промышленность третьего поколения также открывает новые разработки из-за применения нитрида галлия.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу[email protected]и[email protected]