1. Характеристики пластин AlGaInP на чипах
параметр | Состояние | Минимум | Typ. | Максимум. | Ед. изм |
Напряжение в прямом направлении (Vf1) | Если = 10мкА | 1.35 | ﹎ | ﹎ | V |
Напряжение в прямом направлении (VF2) | Если = 20 мА | ﹎ | ﹎ | 2.2 | V |
Обратное напряжение (Lr) | Vr = 10V | ﹎ | ﹎ | 2 | мкА |
Доминирующая длина волны (λd) | Если = 20 мА | 565 | ﹎ | 575 | нм |
Полувысоте (Δλ) | Если = 20 мА | ﹎ | 10 | ﹎ | нм |
Код | Аккредитив | LD | LE | LF | LG | LH | LI |
IV (мкд) | 20-30 | 25-35 | 30-35 | 35-50 | 40-60 | 50-70 | 60-80 |
2. Ширина запрещенной зоны напряженного AlGaInP на подложке GaAs
Зонные параметры составных полупроводников AIIIBV и их сплавов
И. Вургафтман, Дж. Р. Мейер, Л. Р. Рам-Мохан
Дж. Заявл. физ. 89 (11), 5815 (2001)
1) AlP | напряженное tensilely | относительно GaAs |
2) ОаР | напряженное tensilely | относительно GaAs |
3) InP | напряженными компрессивно | относительно GaAs |
4)AlxGa1-xP | напряженное tensilely | относительно GaAs |
5)GaxIn1-xP | напряженными | относительно GaAs |
6)AlxIn1-xP | напряженными | относительно GaAs |
7)Ал0,4Га0,6П | напряженное tensilely | относительно GaAs |
8)Ga0.4In0.6P | напряженными компрессивно | относительно GaAs |
9)Ал0.4В0.6П | напряженными компрессивно | относительно GaAs |
Каждый слой материала имеет длину 10 нм в моделировании. | ||
Слои материала 4), 5) и 6) изменяют содержание сплава линейно: | ||
4)AlxGa1-xP от 10 нм до 20 нм от х=0,0 до х=1,0 | ||
5)GaxIn1-xP от 30 нм до 40 нм от х=0,0 до х=1,0 | ||
6)AlxIn1-xP от 50 нм до 60 нм от х=1,0 до х=0,0 |
3. О структуре AlGaInP/InGaP
Поскольку четверные материалы InGaAlP могут иметь широкую прямую запрещенную зону, регулируя состав In, Al и Ga, их решетку можно согласовать с высококачественными и недорогими тонкими пленками GaAs. Светоизлучающий диапазон эпитаксиальной структуры может охватывать красную, оранжевую, желтую, желто-зеленую полосу. Таким образом, в светодиодах видимого света красный лазер с длиной волны 650 нм имеет широкий спектр применения.
Материалы четвертичного соединения AlGaInP используются для выращивания эпитаксиальных пластин GaAs, которые широко используются в диодах, излучающих красный свет высокой яркости, и полупроводниковых лазерах и стали основным материалом для устройств, излучающих красный свет. Порядок зоны проводимости гетеропереходов AlGaInP/GaInP очень мал, с максимальным значением около 270 мэВ, что меньше, чем у материалов AlGaAs с 350 мэВ. Электронный барьер относительно низок, и формируется ток утечки. Пороговый ток лазерной эпитаксиальной пластины GaAs увеличивается, что более очевидно при работе при высоких температурах и сильном токе. Слой AlGaInP будет рассеиваться в сплаве, а термическое сопротивление намного выше, чем у AlGaAs. Избыточное тепло вызывает температуру перехода и температуру поверхности полости. Следовательно, характеристическая температура AlGaInP-лазера ниже, и эффективность электрооптического преобразования становится ниже во время непрерывной работы, и выделяется больше тепла.
4. Показатель преломления AlGaInP
Источник: PAM-СЯМЫНЬ
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.