GaN HEMT эпитаксиальные вафельные

GaN HEMT Epitaxial Wafer

HEMT (транзисторы с высокой подвижностью электронов) из нитрида галлия (GaN) - это новое поколение силовых высокочастотных транзисторов. Благодаря технологии GaN, PAM-XIAMEN теперь предлагает пластину AlGaN / GaN HEMT Epi на сапфире или кремнии и AlGaN / GaN на шаблоне из сапфира.

  • Описание

Описание продукта

GaN HEMT epitaxial wafer is a multilayer film grown epitaxially on a substrate, which usually includes a nucleation layer, a transition layer, a buffer layer, a channel layer, a barrier layer, a cap layer, and a passivation layer from bottom to top. The nucleation layer, like AlGaN or AlN, is used to prevent the substrate material from diffusing into the GaN epitaxial layer. The transition layer may contain hierarchical AlGaN, AlN/GaN superlattice or multilayer AlN to balance the stress between the GaN and the substrate. The higher the Al content in the barrier layer of AlGaN, the higher the 2DEG concentration at the heterojunction. Meanwhile, the lower the threshold voltage of the device, and the higher the current capacity. As the Al ratio increasing, the degree of heterogeneous crystal lattice mismatch will be higher, resulting in a decrease in gallium nitride HEMT electron mobility and a decrease in current capacity.

The High Electron Mobility Transistor (HEMT) is developed based on GaN with unique heterostructure and two-dimensional electron gas. The GaN HEMT advantages include high breakdown strength, low on-resistance and faster The switching speed, which is very suitable for medium and low voltage and medium and small power systems, such as travel adapters, wireless chargers, AC-DC converters, smart home appliances, etc. The epitaxial wafer with HEMT structure is more attractive currently for high-frequency converters, in which GaN HEMT breakdown voltage is 600~650 V. With the rapid development of gallium nitride HEMT epi technology, the price of GaN HEMT devices will be competitive, which can gain large GaN HEMT market for GaN HEMT manufacturers. Moreover, due to the gallium nitride HEMT reliability, it can be widely used in industrial fields, such as photovoltaic inverters, energy storage systems, and electric vehicles.

1. GaN HEMT Material: Available size:2”,4”,6”,8”:

More specific parameters of gallium nitride HEMT wafer for D-mode GaN HEMTs, E-mode GaN HEMTs, GaN HEMT power amplifier and RF, please refer to:

GaN на Si для питания, D-режиме

GaN на Si для силы, режим Е

GaN на Si для РФ

GaN на сапфире для власти

GaN на сапфире для РФ

GaN на SiC для РФ

GaN на GaN

2. Now we show you an example as follows:

2.1  2 ″ (50,8 мм) эпитаксиальные вафли GaN HEMT

We offer 2″(50.8mm) gallium nitride HEMT Wafers, the GaN HEMT structure is as follows:

Структура (сверху вниз):

* Нелегированный GaN колпачок (2 ~ 3nm)

AlxGa1-х ^ (18 ~ 40 нм)

AlN (буферный слой)

ун-легированных GaN (2 ~ 3 мкм)

сапфировой подложки

* Мы можем использовать Si3N для замены GaN сверху, адгезия сильная, он покрыт напылением или PECVD.

2.2 AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire/GaN

слой #СоставТолщинаXдобавкаКонцентрация носителей
5GaN2нм
4AlxGa1-х ^8 нМ0.26
3AlN1nmUn-легированный
2GaN≥1000 нмUn-легированный
1Буфер / переходный слой
подложкакремний350μm / 625μm

2.3  2″(50.8mm),4″ (100mm)AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on Si

2.3.1 Specifications for Aluminium Gallium Nitride (AlGaN) / Gallium Nitride (GaN) Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на кремниевой подложке.

ТребованияСпецификация
AlGaN / GaN HEMT Эпи вафли на Si 
Структура НЕМТ / GaN, AlGaNСм 1.2
Материал подложкикремний
Ориентация<111>
метод ростаПоплавок зоны
Проводимость ТипP или N
Размер (дюйм)2” , 4”
Толщина (мкм)625
задницаГрубый
Удельное сопротивление (Ω см)>6000
Лук (мкм)≤ ± 35

2.3.2 Epi structure: Crack-free Epilayers

слой #СоставТолщинаXдобавкаКонцентрация носителей
5GaN2нм
4AlxGa1-х ^8 нМ0.26
3AlN1nmUn-легированный
2GaN≥1000 нмUn-легированный
1Буфер / переходный слой
подложкакремний350μm / 625μm

2.3.3 Electrical Properties of the AlGaN/GaN HEMT structure

2DEG Mobility (при 300 К): ≥1800 см2 / В

2DEG Плотность несущей (при 300 К): ≥0,9 × 1013 см-2

Среднеквадратичная шероховатость (AFM): ≤ 0,5 нм (площадь сканирования 5,0 мкм × 5,0 мкм)

2.4  2″(50.8mm)AlGaN/GaN on sapphire

Для спецификации AlGaN / GaN на сапфировом шаблоне, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж: [email protected]

GaN HEMT Applications: Used in blue laser diodes, ultraviolet LEDs (down to 250 nm), and AlGaN/GaN HEMTs device.

3. Explanation of AlGaN/Al/GaN HEMTs:

Нитридные HEMT интенсивно разрабатываются для мощной электроники в приложениях высокочастотного усиления и коммутации мощности. Часто высокая производительность в режиме постоянного тока теряется при переключении HEMT - например, при отключенном токе происходит сбой при импульсном сигнале затвора. Считается, что такие эффекты связаны с захватом заряда, который маскирует влияние затвора на протекание тока. Полевые пластины на электродах источника и затвора использовались для управления электрическим полем в устройстве, смягчая такие явления коллапса тока.

4. GaN EpitaxialTechnology — Customized GaN epitaxy on SiC,Si and Sapphire substrate for HEMTs, LEDs:

GAN HEMT EPITAXIAL WAFERS (GAN EPI-WAFERS)

PAM XIAMEN Offers Epitaxial growth of AlGaN/GaN based HEMT on Si wafers

5. GaN Device:

GaN SBD

GaN HEMT

6. Test Characterization Equipment:

Бесконтактный Сопротивление листа

Лазерная картография толщины тонкой пленки

Высокотемпературный / высокая влажность обратного смещения

Тепловой удар

DIC Nomarski микроскоп

Атомно-силовой микроскоп (АСМ)

Поверхностные Defectivity Scan

Высокий темп обратного смещения

4ППЫ Сопротивление листа

Бесконтактный Hall Mobility

Температура цикла

Дифракция рентгеновских лучей (XRD) / Отражение (XRR)

эллипсометре Толщина

профилометр

CV Tester

7. Foundry Fabrication:

we also offer foundry GaN HEMT fabrication in the following process as follows:

МОС-гидридной эпитаксии

Металл Распыление / E-Beam

Dry / Wet металл / диэлектрик Etch

Тонкая пленка PECVD / LPCVD / Распыление

RTA / печи Отжиг

Фотолитография (0,35 мкм мин. CD)

ионная имплантация

GaN / SiC НЕМТ эпи-вафель

Алюминий-галлиевый арсенид эпи-вафель

650V GaN FETs Chip for Fast Charge

Вам также может понравиться ...