GaN HEMT эпитаксиальные вафельные

Описание продукта

GaN HEMT epitaxial wafer is a multilayer film grown epitaxially on a substrate, which usually includes a nucleation layer, a transition layer, a buffer layer, a channel layer, a barrier layer, a cap layer, and a passivation layer from bottom to top. The nucleation layer, like AlGaN or AlN, is used to prevent the substrate material from diffusing into the GaN epitaxial layer. The transition layer may contain hierarchical AlGaN, AlN/GaN superlattice or multilayer AlN to balance the stress between the GaN and the substrate. The higher the Al content in the barrier layer of AlGaN, the higher the 2DEG concentration at the heterojunction. Meanwhile, the lower the threshold voltage of the device, and the higher the current capacity. As the Al ratio increasing, the degree of heterogeneous crystal lattice mismatch will be higher, resulting in a decrease in gallium nitride HEMT electron mobility and a decrease in current capacity.

The High Electron Mobility Transistor (HEMT) is developed based on GaN with unique heterostructure and two-dimensional electron gas. The GaN HEMT advantages include high breakdown strength, low on-resistance and faster The switching speed, which is very suitable for medium and low voltage and medium and small power systems, such as travel adapters, wireless chargers, AC-DC converters, smart home appliances, etc. The epitaxial wafer with HEMT structure is more attractive currently for high-frequency converters, in which GaN HEMT breakdown voltage is 600~650 V. With the rapid development of gallium nitride HEMT epi technology, the price of GaN HEMT devices will be competitive, which can gain large GaN HEMT market for GaN HEMT manufacturers. Moreover, due to the gallium nitride HEMT reliability, it can be widely used in industrial fields, such as photovoltaic inverters, energy storage systems, and electric vehicles.

1. GaN HEMT Material: Available size:2”,4”,6”,8”:

More specific parameters of gallium nitride HEMT wafer for D-mode GaN HEMTs, E-mode GaN HEMTs, GaN HEMT power amplifier and RF, please refer to:

GaN на Si для питания, D-режиме

GaN на Si для силы, режим Е

GaN на Si для РФ

GaN на сапфире для власти

GaN на сапфире для РФ

GaN на SiC для РФ

GaN на GaN

We are expert in HEMT structure, we also offer GaN HEMT epi wafer for many years.
For silicon substrate, we need to know if you grow GaN HEMT on silicon for POWER or RF, it is different. If needed, please contact victorchan@powerwaywafer.com for details.
For SiC, you should use semi-insulating.
Or you can buy AlGaN/GaN HEMT structure on these three structure from us.

2. Now we show you an example as follows:

2.1  2 ″ (50,8 мм) эпитаксиальные вафли GaN HEMT

We offer 2″(50.8mm) gallium nitride HEMT Wafers, the GaN HEMT structure is as follows:

Структура (сверху вниз):

* Нелегированный GaN колпачок (2 ~ 3nm)

AlxGa1-х ^ (18 ~ 40 нм)

AlN (буферный слой)

ун-легированных GaN (2 ~ 3 мкм)

сапфировой подложки

* Мы можем использовать Si3N для замены GaN сверху, адгезия сильная, он покрыт напылением или PECVD.

2.2 AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire/GaN

2.3  2″(50.8mm),4″ (100mm)AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on Si

2.3.1 Specifications for Aluminium Gallium Nitride (AlGaN) / Gallium Nitride (GaN) Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на кремниевой подложке.

2.3.2 Epi structure: Crack-free Epilayers

2.3.3 Electrical Properties of the AlGaN/GaN HEMT structure

2DEG Mobility (при 300 К): ≥1800 см2 / В

2DEG Плотность несущей (при 300 К): ≥0,9 × 1013 см-2

Среднеквадратичная шероховатость (AFM): ≤ 0,5 нм (площадь сканирования 5,0 мкм × 5,0 мкм)

2.4  2″(50.8mm)AlGaN/GaN on sapphire

Для спецификации AlGaN / GaN на сапфировом шаблоне, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж: sales@powerwaywafer.com.

GaN HEMT Applications: Used in blue laser diodes, ultraviolet LEDs (down to 250 nm), and AlGaN/GaN HEMTs device.

3. Explanation of AlGaN/Al/GaN HEMTs:

Нитридные HEMT интенсивно разрабатываются для мощной электроники в приложениях высокочастотного усиления и коммутации мощности. Часто высокая производительность в режиме постоянного тока теряется при переключении HEMT - например, при отключенном токе происходит сбой при импульсном сигнале затвора. Считается, что такие эффекты связаны с захватом заряда, который маскирует влияние затвора на протекание тока. Полевые пластины на электродах источника и затвора использовались для управления электрическим полем в устройстве, смягчая такие явления коллапса тока.

4. GaN EpitaxialTechnology — Customized GaN epitaxy on SiC,Si and Sapphire substrate for HEMTs, LEDs:

GAN HEMT EPITAXIAL WAFERS (GAN EPI-WAFERS)

PAM XIAMEN Offers Epitaxial growth of AlGaN/GaN based HEMT on Si wafers

5. GaN Device:

GaN SBD

GaN HEMT

6. Test Characterization Equipment:

Бесконтактный Сопротивление листа

Лазерная картография толщины тонкой пленки

Высокотемпературный / высокая влажность обратного смещения

Тепловой удар

DIC Nomarski микроскоп

Атомно-силовой микроскоп (АСМ)

Поверхностные Defectivity Scan

Высокий темп обратного смещения

4ППЫ Сопротивление листа

Бесконтактный Hall Mobility

Температура цикла

Дифракция рентгеновских лучей (XRD) / Отражение (XRR)

эллипсометре Толщина

профилометр

CV Tester

7. Foundry Fabrication:

we also offer foundry GaN HEMT fabrication in the following process as follows:

МОС-гидридной эпитаксии

Металл Распыление / E-Beam

Dry / Wet металл / диэлектрик Etch

Тонкая пленка PECVD / LPCVD / Распыление

RTA / печи Отжиг

Фотолитография (0,35 мкм мин. CD)

ионная имплантация

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

More fabrication services, please visit: GaN Fabrication Services for HEMT Devices

GaN / SiC НЕМТ эпи-вафель

Алюминий-галлиевый арсенид эпи-вафель

650V GaN FETs Chip for Fast Charge

GaN MOSFET Structure:

GaN MOSFET Structure on SiC Substrate

More about GaN HEMT structures, please read:

What Affects 2DEG of AlGaN/GaN HEMT Wafer?