InGaAs / InP эпи вафельные для PIN

InGaAs / InP эпи вафельные для PIN

PAM-XIAMEN can offer 2” InGaAs/InP epi wafer for PIN as follows. InGaAs is the compound of InAs and GaAs. In the periodic table of chemical elements, In and Ga are elements of the third group, and As is the fifth group element. The properties of InGaAs are between the properties of GaAs and inAs. As a room temperature semiconductor, InGaAs is widely used in electronics and photonics nowadays.

1. Specifications of InGaAs/InP Epi Wafer for PIN

1.1 InGaAs Epi Wafer on InP Substrate

InP Субстрат:

InP Ориентация: (100)

Легированный Fe, полуизолирующим

вафельный Размер: 2 "Диаметр

Удельное сопротивление:> 1 × 10 ^ 7) ohm.cm

ЭПД: <1 × 10 ^ 4 / см ^ 2

Односторонняя полировка.

ЭПИ слой:

InxGa1-XAS

Nc> 2 × 10 ^ 18 / см (с использованием в качестве легирующей примеси Si),

Толщина: 0,5 мкм (+/- 20%)

Шероховатость эпислоя, Ra <0,5 нм

1.2 InP-based InGaAs Epi Wafer for PIN

(PAM-190320-InGaAs PIN)

Пластина InGaAs PIN epi со структурой, состоящей из слоя P + InP / внутреннего слоя InGaAs / слоя N + InP, выращенного на пластине InP 2 дюйма (или больше), более подробная информация приведена ниже:

Слой № Состав Толщина Слой эпи
Слой # 4 Контактный слой 0,15 мм Верхний слой InGaAs, верхний контакт
Слой # 3 P-регион 1 мм Слой InP
Слой # 2 I-регион 3мм InGaAs absorption layer
Слой # 1 N-регион 0,5 мм Слой InP
подложка n-InP (n-легированный, n ~ 1-10 × 1018см−3)
Характеристики подложки:
Ориентация кристалла 100
Диаметр 2”
Толщина 350мм
прекращение Односторонняя полировка, задняя сторона протравлена; эпиреда

 

1.3 InGaAs/InP (PIN) Epitaxy on 3″ InP Substrate

(PAM160906-INGAAS)

Back Side Illuminated Structure 1
Layer No. Материал Толщина Carrier Concentration
5 P+ InP 200A
4 P++ InGaAs
3 InGaAs
2 n+ InP
1 InP Buffer layer Un-doped
0 3″ Semi-Insulating InP 300~600um

1.4 InGaAs EPI Wafer with PIN Structure

PAM200814-INGAAS PIN

No. item thickness type dopant doping concentration
1 InP substrate 350um,2 inch Semi-insulating  
2 InP buffer layer n type S
3 InGaAs Intrinsic  
4 InP cap layer 0.5um n type Si

2. InGaAs Epi Wafer for PIN

Ordinary diodes are composed of PN junctions. A thin, low-doped Intrinsic semiconductor layer is added between the P and N semiconductor materials to form a diode with a P-I-N structure, which is a PIN. Because the carrier concentration and electron mobility of the InGaAs epitaxial layer matched with the InP lattice are very high, which exceed that of the AlGaAs matched with the GaAs lattice, the InGaAs/InP epi wafer has a large application prospects in the frequency range of more than ten hertz. Therefore, the InGaAs epi wafer on InP substrate from PAM-XIAMEN makes the PIN device a fast data transmission rate, low dark current, high response and high reliability.

Powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.comи powerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью