AlGainP EPI вафли

AlGainP EPI вафли

 AlGaInP is used in manufacture of light-emitting diodes of high-brightness red, orange, green, and yellow color, to form the heterostructure emitting light. It is also used to make diode lasers.
слой AlGaInP часто выращены гетероэпитаксии на арсенид галлия или фосфид галлия для того, чтобы сформировать структуру квантовой ямы.

1.Specs of AlGaInP Wafers on Chips

AlGaInP LED вафельные для чипа
Пункт No.:PAM-CAYG1101
Размеры:
Рост Техника - MOCVD
Подложка Материал: арсенид галлия
Субстрат Проводимость: п Тип
Диаметр: 2 "
● Чип Размеры:
1) Размер стружки: передний размер: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)
задняя сторона: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)
2) Толщина стружки: 7mil (± 1mil)
3) Коврик размер: 4mil (± 0.5mil)
4) Состав: см 1-1
 
● Фотоэлектрические свойства
параметр Состояние Минимум Typ. Максимум. Ед. изм
Напряжение в прямом направлении (Vf1) Если = 10мкА 1.35 V
Напряжение в прямом направлении (VF2) Если = 20 мА 2.2 V
Обратное напряжение (Lr) Vr = 10V 2 мкА
Доминирующая длина волны (λd) Если = 20 мА 565 575 нм
Полувысоте (Δλ) Если = 20 мА 10 нм
 
● Интенсивность освещения:
Код Аккредитив LD LE LF LG LH LI
IV (мкд) 20-30 25-35 30-35 35-50 40-60 50-70 60-80

2. Band gap of strained AlGaInP on GaAs substrate

In this tutorial we want to study the band gaps of strained AlxДжорджияyВ1-хP on a GaAs substrate.
Материальные параметры взяты из
Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan
J. Appl. Phys. 89 (11), 5815 (2001)
 
Чтобы понять влияние напряжения на запрещенной зоны на отдельные компоненты этого четверного, мы сначала рассмотрим влияние на
 
1) AlP напряженное tensilely относительно GaAs
2) ОаР напряженное tensilely относительно GaAs
3) InP напряженными компрессивно относительно GaAs
4)AlxGa1-xP напряженное tensilely относительно GaAs
5)GaxIn1-xP напряженными относительно GaAs
6)AlxIn1-xP напряженными относительно GaAs
7)Al0.4Ga0.6P напряженное tensilely относительно GaAs
8)Ga0.4In0.6P напряженными компрессивно относительно GaAs
9)Al0.4In0.6P напряженными компрессивно относительно GaAs
Каждый слой материала имеет длину 10 нм при моделировании.
Слои материала 4), 5) и 6) изменяются его содержание сплава линейно:
4)AlxGa1-xP             from 10 nm to 20 nm from x=0.0 to x=1.0
5)GaxIn1-xP             from 30 nm to 40 nm from x=0.0 to x=1.0
6)AlxIn1-xP              from 50 nm to 60 nm from x=1.0 to x=0.0

3. About AlGaInP/InGaP Structure

Since InGaAlP quaternary materials can have a wide direct band gap, by adjusting the composition of In, Al and Ga, they can be lattice-matched with high-quality and low-cost GaAs thin films. The light-emitting range of the epitaxial structure can cover red, orange, yellow, yellow-green band. Thus in the visible light emitting diode, 650nm red laser has a wide range of applications.

AlGaInP quaternary compound materials are used to grow GaAs epitaxial wafers, which are widely used in high-brightness red light emitting diodes and semiconductor lasers and have become the mainstream material for red light emitting devices. The conduction band order of AlGaInP/GaInP heterojunctions is very small, with a maximum value of about 270meV, which is smaller than that of 350meV AlGaAs materials. The electronic barrier is relatively low, and the leakage current is formed. The threshold current of the laser based GaAs epitaxy wafer is increased, which is more obvious in high temperature and high current operation. The AlGaInP layer will scatter in the alloy, and the thermal resistance is much higher than that of AlGaAs. The excess heat causes the junction temperature and cavity surface temperature. Therefore, the characteristic temperature of AlGaInP laser is lower, and the electro-optical conversion efficiency becomes lower during continuous operation, and more heat is generated.

4. Refractive Index of AlGaInP

 

Источник: PAM-СЯМЫНЬ

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью