Эпитаксиальная пластина кремния, легированная бором, P-типа

Эпитаксиальная пластина кремния, легированная бором, P-типа

В настоящее время кремниевые эпитаксиальные пластины P-P+ (легированные бором) широко используются в производстве крупногабаритных интегральных схем и дискретных устройств. Требования к толщине кремниевых эпитаксиальных пластин P-P+ зависят от типа устройства. Для изготовления высокоскоростных цифровых схем требуется всего около 0,5 мкм эпитаксиального слоя. Для мощных устройств он составляет 10-100 мкм. Типичная толщина тонкой пленки легированного бором кремния для КМОП процесса составляет 3-10 мкм.PAM-XIAMEN может растиэпитаксиальные кремниевые пластиныдля удовлетворения потребностей ваших приложений.Возьмем, к примеру, кремниевые пленки, легированные бором, на кремниевых подложках, легированных бором, параметры показаны в таблице ниже. Мы используем технологию обратной герметизации, чтобы точно контролировать удельное сопротивление эпитаксиального слоя.

Кремниевая эпитаксиальная пластина, легированная бором

1. Спецификация эпитаксиальной кремниевой пластины, легированной бором

PAMP17407 - СИ

Нет. параметр Ед. изм Значение
1. Метод выращивания кристаллов CZ
2. Тип проводимости P
3. Кристаллическая ориентация (100) ± 0,5о
4. Легирующая присадка для субстрата Бор
5. Удельное сопротивление подложки Ом·см 0,015±0,005
6. Изменение радиального удельного сопротивления подложки % <10
7. Диаметр мм 100,0 ± 0,5
8. Первичная плоская Длина мм 32,5±2,5
9. Первичная плоская Ориентация (110)±1о
10. Вторичная квартира ни один
11. Толщина подложки в центральной точке мкм 525 ± 15
12.
13. Задняя отделка Травленый
14. Обратный геттерный процесс поликремния
15. Поли толщина задней стороны мкм 1,20±0,40
16. Процесс обратной печати оксид LPCVD
17. Толщина оксида Å 3500±1000
18. TTV Max (после Эпидепозиции) мкм 7
19. Локальное изменение толщины (LTV, SBID), на участке 20×20 мм мкм <2.0
20. Лук Макс (после эпиположения) мкм 30
21. Warp Max (после Epi Deposition) мкм 35
22. Тип проводимости эпислойного слоя P
23. Легирующая присадка эпи-слоя Бор
24. Эпислойное удельное сопротивление Ом·см 12,0±1,2
25. Радиальное изменение удельного сопротивления эпитаксии % <10
26. Толщина слоя эпитаксии в центре мкм 20±2
27. Радиальное изменение толщины эпитаксиального слоя % <10
28. Эпи переходная зона мкм <2
29. Эпи-Флэт Зона мкм >16
30. Вывихи Ни один
31. слип Ни один
32. Мгла Ни один
33. Царапины Ни один
34. Пограничный Chips Ни один
35. Ямочки на щеках Ни один
36. Апельсиновая корка Ни один
37. Трещины/переломы Ни один
38. Гусиные лапки Ни один
39. Инородное вещество Ни один
40. Назад поверхности Загрязнения Ни один
41. Локализованное рассеяние света (LLS) размером >0,3 мкм шт./вл.ч. ≤20
42. Неглубокие травильные ямы см-2 <1·102
43. Поверхностные металлы (Na, K, Zn, Al, Fe, Cr, Ni, Cu) ат/см-2 <1·1011

 

2. Легирование бором кремния, выращенного CZ

Boron (B) is an important electrically active impurity in p-type Czochralski silicon, which is intentionally doped. In particular, heavily boron doped silicon wafer is commonly used as substrate material for p/p+ epitaxial wafer. The introduction of a large number of boron atoms can improve the conductivity of monocrystalline silicon wafer.

Why is B the most important electrically active impurity in p-type monocrystalline silicon? The reasons are:

First of all, when B atom is introduced, holes will be generated in the silicon crystal at the same time, and the number of holes will increase with the increase of B atom concentration.

Secondly, Group IIIA elements B, Al, Ga and In are all acceptor impurities, which can provide holes for Si crystals. However, because the segregation coefficients of Al, Ga and In are too small, it is difficult to control the crystal resistivity when doping if they are used as dopants. The segregation coefficient of boron doping in Si is about 0.8, which is close to 1, so that the boron doped silicon resistivity has good consistency in head and tail, and the utilization of the whole single crystal is improved.

Thirdly, the melting point and boiling point of boron are higher than that of silicon. B hardly volatilizes during the growth of silicon crystal, which ensures the matching of target doping concentration and actual concentration during crystal growth.

Fourthly, B has a large solid solubility (2.2X 1030/cm3) в монокристалле кремния при комнатной температуре. Таким образом, регулируемый диапазон удельного сопротивления кремниевой пластины p-типа является относительно большим путем регулирования концентрации B, а минимальное удельное сопротивление может достигать 0,1 мОм·см. -1.

В-пятых, диффузия B в Si относится к диффузии атомов замещения, которую трудно осуществить за счет генерации и перемещения термических дефектов кристалла. Это обеспечивает стабильность количества и положения B в кремнии, то есть стабильность полупроводниковых материалов p-типа, легированных B.

powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью