эпитаксии

EPD для подложки из GaAs и эпитаксиальной пластины

В: Не могли бы вы посоветовать гарантированный EPD для указанных ниже субстратов и эпи? Пластины из арсенида галлия, P / E 2 ″ Ø × 380 ± 25 мкм, LEC SI, нелегированный GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-тип Ro = (0,8E8-0,9E8) Ом · см, полировка с одной стороны, обратная сторона с боковым матовым травлением, 2 плоскости, LT-GaAs EPI: 1-2 мкм, удельное сопротивление> 1E7 Ом-см, срок службы носителя <1ps, запаивается под азотом в одной пластинчатой ​​кассете. A: Плотность дислокации <1 × 10 ^ 6 см-2

Структура EPI высокой мощности 1550

В: Не могли бы вы предоставить информацию о стандартной эпи-структуре пластины InGaAsP / InP? A: Здесь мы можем предложить вам только общую структуру: Материал слоя 6 InP 5 GaInAs 4 GaInAsP 3 InP 2 AlGaInAs MQW PL 1500-1560 нм 1 InP буферная подложка InP

В: В отчете об испытаниях пластин с синими светодиодами указаны Vf и IV (mcd). Как измеряется этот микроконтроллер без фактической обработки пластины в устройствах?

В: В отчете об испытаниях пластин с синими светодиодами указаны Vf и IV (mcd). Как измеряется этот микроконтроллер без фактической обработки пластины в устройствах? A: Мы используем испытательное оборудование и контактируем с положительным и отрицательным полюсом, подключаем ток, а затем получаем напряжение и IV.

В: Что касается эпивафера с красными светодиодами, как насчет верхнего слоя или верхнего слоя на структуре эпивафера?

В: Что касается эпивафера с красными светодиодами, как насчет верхнего слоя или верхнего слоя на структуре эпивафера? A: Как и раньше, у нас есть p + GaAs (только несколько нанометров) в верхнем слое, однако в эти два года, благодаря технологическим инновациям, и все литейные производства удалили этот слой, и теперь GaP как [...]

В: входит ли в стоимость изготовление металлических контактов p и n? Если нет, можете ли вы изготовить p- и n-контакты плюс пассивацию SiO2 на основе моей конструкции? Это может превратиться в более крупный проект.

В: входит ли в стоимость изготовление металлических контактов p и n? Если нет, можете ли вы изготовить p- и n-контакты плюс пассивацию SiO2 на основе моей конструкции? Это может превратиться в более крупный проект. A: К сожалению, мы не можем предложить изготовление металлических контактов p и n, также мы можем [...]

Q:For pss wafer, the light comes out from the p-GaN side not from sapphire, so I can’t do flipchip packaging. Also I don’t know whether laser liftoff is possible for pss wafer.

Q:For pss wafer, the light comes out from the p-GaN side not from sapphire, so I can’t do flipchip packaging. Also I don’t know whether laser liftoff is possible for pss wafer. A:LED light is sourcing from mqw light, emitting in all directions, p-GaN is positive(front side), it will naturally [...]