эпитаксии

Q:Do you have the optical characterization data for this InGaN wafer? We want to know want wavelength it emits when excited optically. A PL spectrum would be perfect. Also, is the InGaN grown on any buffer layer? What is the uniformity of the Indium composition? Any In segregation or clusters?

В: Есть ли у вас данные оптических характеристик этой пластины InGaN? Мы хотим знать длину волны, которую он излучает при оптическом возбуждении. Спектр PL был бы идеальным. Кроме того, выращивается ли InGaN на каком-либо буферном слое? Какова однородность состава индия? Любой В сегрегации или [...]

Q:Dislocation density

В: Плотность дислокаций < 1E8 GaN на сапфире из какой характеристики? A: Учитывая краевую дислокацию и дислокацию смешения, а затем полученную с помощью XRD

Q We actually want to check our reflectance (mirror type) measurement method on an LED structure on a PSS wafer. Would it be possible to get the same LED structure on both a PSS wafer and a single-side polished wafer so we can compare the two directly?

Q We actually want to check our reflectance (mirror type) measurement method on an LED structure on a PSS wafer.  Would it be possible to get the same LED structure on both a PSS wafer and a single-side polished wafer so we can compare the two directly? A: Sure.

В: Наше приложение будет создавать массивы микростолбов на основе МКЯ для светодиодов высокой яркости и настройки их длины волны. Таким образом, нас не очень волнует длина волны излучения, которую вы предоставляете, но мы будем иметь в виду, будут ли процесс и длина волны излучения состоять между пластинами в одной упаковке, а также однородность в одной пластине. Никакой металлический контакт не будет идеальным, поскольку в нашем приложении мы будем использовать высокотемпературный процесс. Вы также предлагаете услугу по нарезке вафель?

В: Наше приложение будет создавать массивы микростолбов на основе МКЯ для светодиодов высокой яркости и настройки их длины волны. Таким образом, нам на самом деле не важна длина волны излучения, которую вы предоставляете, но мы будем иметь в виду, будут ли процесс и длина волны излучения состоять между пластинами в одной упаковке, [...]

Q:We are using 40×40 mil size and 45×45 mil size chips for 1W . And 45×22 or 38x22mil size for 0,5w . Eff. is min. 120lm/w , package form is 3535 ceramic no lens flat type, and 5050 smd flat type.Cct 6500k, cri min 70-75, drive current 350 mA ( it can be change if you have suggest for it ), can you give us suggestion?

В: Мы используем чипы размером 40×40 мил и 45×45 мил для мощности 1 Вт. И размер 45×22 или 38x22 мил для 0,5 Вт. Эфф. мин. 120 лм/Вт, форма корпуса 3535 керамическая без линзы плоского типа и 5050 smd плоского типа. Cct 6500k, криминальный минимум 70-75, ток возбуждения 350 мА ( [...]

В: Можно ли использовать для изготовления 4-дюймовый сапфир без рисунка?

В: Можно ли использовать для изготовления 4-дюймовый сапфир без рисунка? A: Невозможно, в настоящее время все производители быстро переходят на пластины на основе сапфира с рисунком, включая нас, однако, если вам действительно нужна плоская пластина на основе сапфира, мы можем предложить размер 2 дюйма.

В: Идеальная длина волны для нас составляет 465 нм, можете ли вы предложить?

В: Идеальная длина волны для нас составляет 465 нм, можете ли вы предложить? A: Это не проблема, но вы должны знать, что длина волны должна быть в диапазоне, который мы предлагаем вам 465 +/- 2 нм.