CZT детектор
PAM-XIAMEN supplies a series of CZT products, which are including detectors, modules, probes, systems, amplifiers, analyzers, supply and furnace.
- Описание
Описание продукта
An extensive product line of CZT can be provided by PAM-XIAMEN, involving CZT detectors, CZT modules, CZT probes, CZT systems, CZT amplifiers, CZT analyzers, CZT supply and crystal growth furnace. Find more product details, please view below:
1. CZT Detector
1.1 CZT Pixilated Detector (old)
1.3 α / β / γ-лучи Дифференцирование детектор
1.6 ОФЭКТ, детектор γ-изображений
1.7 CZT High Resolution Pixel Detector (old)
1.8 CZT Фотон Подсчет линейного детектора массива
1.9 CZT Compton изображений Detector
1.10 CZT Pixel Detector высокой плотности
2. CZT Module
2.2 Модуль SPCW Широкий диапазон ДОЗОВЫЕ
2.3 Multi-пиксели Спектральных изображений Модуль
2.4 CZT Multi-Pixel Фотон Counting Модуль
3. CZT Probe
3.2 CZT Probe
3.4 CZT Зонд-2
4. CZT System
4.1 X-ray Photon Counting Imaging System (old)
4.2 Система регистрации рентгеновских фотонов MXA-128
4.3 Система многопиксельной визуализации с гамма-лучами CZT
4.4 α-Ray Vacuum Testing System (new)
5. CZT Amplifier
5.2 Зарядочувствительные предварительный усилитель чип
5.3 Зарядочувствительные предварительный усилитель (old)
6. CZT Analyzer
6.1 Analog Multi-channel Analyzer (old)
6.2 Портативный анализатор спектра Диагностического
6.3 CZT Portable Spectrum Analyzer (old)
6.4 Цифровой многоканальный анализатор (new)
7. Other CZT Products
7.1 Высокое напряжение питания
7.2 Crystal growth furnace (old)
7.3 CZT Portable Radionuclide Identifier (new)
Therein, CZT based detectors from PAM-XIAMEN by solid-state detector technology for X-ray or gamma-ray has better energy resolution compared with scitillation crystal based detector. We list the specifications of CZT Planar Detector, CZT Pixilated Detector, CZT Co-Planar Gri Detector as follows for example:
| 1.1 CZT Pixilated Detector | ||
| Технические условия | ||
| Применение | ОФЭКТ, γ-камера | Рентгеновское изображение |
| Диапазон рабочих температур | -20 ℃ ~ 40 ℃ | |
| Типичное энергетическое разрешение | <6.5%@59.5 К | - |
| скорость счета | - | > 2М сП / пиксель |
| Типичная матрица | Площадь Матричный детектор: 8 × 8 | Площадь Матричный детектор: 8 × 8 |
| Линейный матричный детектор: 1 × 16 | Линейный матричный детектор: 1 × 16 | |
| Максимальные размеры кристалла | 40 × 40 × 5 мм 3 | |
| Заметка | Другой рисунок электродов также может быть доступен | |
Стандартный 8 × 8 пикселей сборки детектора CZT
Стандартный 8 × 8 пикселей сборки детектора CZT
| 1.2 CZT Planar Detector | |||
| Технические условия | |||
| HV | +200 В ~ +500 В | ||
| диапазон энергий | 20 К ~ 200 к | ||
| Диапазон рабочих температур | -20 ℃ ~ 40 ℃ | ||
| Размер (мм 3) | 5 × 5 × 2 | 10 × 10 × 2 | |
| Энергетическое разрешение @ 59,5 к | Счетчик класса | > 15% | > 15% |
| класс Дискриминатор | 7% ~ 15% | 8% ~ 15% | |
| класса спектрометр | <7% | <8% | |
| Заметка | Другие размеры также могут быть доступны | ||
Стандартные 5 × 5 × 2 мм 3 CZT сборки
Стандартный 10 × 10 × 2 мм 3 CZT сборки
| 1.5 CZT Hemispherical Detector | ||
| ВН: +200 В ~ +1000 В | Диапазон рабочих температур: от -20 ℃ ~ 40 ℃ | |
| Энергетический диапазон: 50 к ~ 3 МОВ | Типичное энергетическое разрешение: <3% @ 662 К | |
| Стандартный размер (мм 3): 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2,5, 10 × 10 × 5 | ||
| CZT Co-Planar Grid Detectors |
| Технические условия |
| ВН: +1000 В ~ + 3000V |
| Энергетический диапазон: 50 к ~ 3 МОВ |
| Диапазон рабочих температур: от -20 ℃ ~ 40 ℃ |
| Типичное энергетическое разрешение: <4% @ 662 К |
| Пик-Compton соотношение: 3 ~ 5 |
| Стандартный размер (мм 3): 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10 |
В настоящее время двумя важными направлениями развития детектора CZT являются множественные параллельные детекторы большого объема и матричные детекторы с поверхностными элементами. Первый состоит из нескольких массивов кристаллов CdZnTe объемом более 1 см3. Этот тип детектора устраняет недостатки одиночного детектора, который имеет малый размер и низкую общую эффективность обнаружения, а также значительно сокращает время измерения. Он особенно подходит для портативных спектрометрических систем и может использоваться для радиоактивного мониторинга в окружающей среде, порту, железнодорожном грузе и т. д. Последний состоит из матрицы лицевых элементов из кристалла CdZnTe, и эта технология детектора CZT в основном используется для визуализации энергетического спектра. в ядерной медицине, астрофизике и других областях.
Разработка и использование CZT-детектора позволило получать высокоэффективные фотоны с высокими характеристиками. Благодаря постоянному улучшению качестваПолупроводниковый кристалл CdZnTeтехнология подготовки, дальнейшее понимание процесса сбора носителей и развитие быстрой малошумящей микроэлектроники, детектор CdZnTe, несомненно, будет применяться в более широких областях.
Вам также может понравиться ...
-
SiC эпитаксии
Мы предлагаем пользовательские тонкую пленку из карбида кремния (SiC) эпитаксии на 6H или 4H субстратов для развития карбида кремния устройств. SiC, эпите пластины в основном используются для диодов Шоттки, металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов, эффект перехода поля -
InAs вафельные
PAM-XIAMEN предлагает составные полупроводниковые пластины InAs - пластины арсенида индия, которые выращены LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) как готовые к эпиляции или механические сорта с n-типом, p-типом или полуизолирующими в различной ориентации (111) или (100). Кроме того, монокристалл InAs обладает высокой подвижностью электронов и является идеальным материалом для изготовления приборов Холла.
-
Тест Вафли Вафли монитор пустышки вафельные
Как производитель фиктивных пластин, PAM-XIAMEN предлагает силиконовые фиктивные пластины / тестовые пластины / контрольные пластины, которые используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и используются для проверки доставки и оценки формы процесса. Так как макеты кремниевых пластин часто используются для экспериментов и испытаний, их размер и толщина являются важными факторами в большинстве случаев. Доступны макетные пластины диаметром 100 мм, 150 мм, 200 мм или 300 мм.
-
CdZnTe (CZT) Вафли
Кадмий теллурида цинка (CdZnTe или CZT) представляет собой новый полупроводниковый, что позволяет преобразовывать излучение эффективно электрон, то оно в основном используется в инфракрасной области тонкопленочных эпитаксии подложки, детекторы рентгеновского излучения и детекторы гамма-излучения CdZnTe. -
Ge (германий) монокристаллов и Вафли
PAM-XIAMEN предлагает германиевые пластины размером 2, 3, 4 и 6 дюймов, что является сокращением от Ge, выращенного VGF / LEC. Слабо легированные германиевые пластины P и N типов также могут быть использованы для эксперимента с эффектом Холла. При комнатной температуре кристаллический германий хрупок и малопластичен. Германий обладает полупроводниковыми свойствами. Германий высокой чистоты легируют трехвалентными элементами (например, индием, галлием, бором) для получения германиевых полупроводников Р-типа; и пятивалентные элементы (такие как сурьма, мышьяк и фосфор) легируются для получения германиевых полупроводников N-типа. Германий обладает хорошими полупроводниковыми свойствами, такими как высокая подвижность электронов и высокая подвижность дырок. -
Корпусная GaN-подложка
РАМ-СЯМЫНЬ установила технологии изготовления для автономных (нитрид галлия) GaN-подложка пластины, которая является для UHB-LED и LD. Выращенный по технологии гидридной эпитаксии из паровой фазы (HVPE), Наша GaN-подложка имеет низкую плотность дефектов.
-
Нанофабрикация Фоторезист
PAM-СЯМЫНЬ Предложения фоторезиста пластины с фоторезистом
-
GaAs (арсенид галли) Вафли
As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor C doped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, C doped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.
