Рост SiC на основе хлоридов на подложках 4H-SiC по оси a

В последние несколько лет карбид кремния становится все более важным в качестве материала для силовых устройств высокого напряжения. Толстый низколегированный эпитаксиальный слой, поддерживающий напряжение, обычно выращивается методом CVD на подложках 4H-SiC, отрезанных под углом 4°, со скоростью роста

с использованием силана (SiH4) и пропана (C3H8) или этилена (C2H4) в качестве прекурсоров. Концентрация эпитаксиальных дефектов и дислокаций в значительной степени зависит от подложки, но на нее также может влиять сам процесс эпитаксиального роста. Здесь мы представим исследование свойств эпитаксиальных слоев, выращенных методом на основе Cl на подложке 4H-SiC по оси a (отрезанной на 90 ° от направления c).

Ключевые слова
4H-SiC; лицо; ДЛТС; Фотолюминесценция; Раман; Эпитаксия
Источник: Sciencedirect

For more information, please visit our website:www.powerwaywafer.com, send us email at [email protected] or [email protected].