Распределение включений Te в пластине CdZnTe и их влияние на электрические свойства изготовленных устройств

  • Домой
  • Новости
  • Распределение включений Te в пластине CdZnTe и их влияние на электрические свойства изготовленных устройств

Распределение включений Te в пластине CdZnTe и их влияние на электрические свойства изготовленных устройств

Мы количественно оценили размер и концентрацию включений Te вдоль бокового направления и направления роста пластины толщиной ∼6 мм, разрезанной в осевом направлении по центру слитка CdZnTe. Мы изготовили устройства, отбирая образцы из центрального среза в обоих направлениях, а затем протестировали их реакцию на падающее рентгеновское излучение. Мы совместно использовали автоматизированную систему просвечивающей ИК-микроскопии и высококоллимированный синхротронный источник рентгеновского излучения, который позволил нам собрать и сопоставить исчерпывающую информацию о включениях Te и других дефектах для оценки материальных факторов, ограничивающих производительность детекторов CdZnTe.

Ключевые слова
CdZnTe; Детекторы; Te включения; Вывихи; Трубы; ИК-передача
Источник: Sciencedirect

Для получения дополнительной информации посетите наш веб-сайт: www.powerwaywafer.com, отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.com.

2015-12-11

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

2″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm

PAM XIAMEN offers 2″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm 2inch diameter wafer made of monocrystalline silicon with isolation oxide Diameter 50.8mm Polishing: one-sided for microelectronics  Type of conductivity and alloying: not specified  Surface orientation:  not specified  Primary and secondary flat orientation: not specified Thickness: 675 microns±20 microns  Wedge (TTV): less than 15 microns TTV<15μm  Distortion: less than 35 microns (the value is unchanged) Thickness of the isolation oxide: at least 20 nm Front side: polished  Back side: lapped-etched  For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2021-03-17метаавтор
La3Ga5SiO14 crystals

PAM XIAMEN offers La3Ga5SiO14 crystals. Langasite- La3Ga5SiO14 crystals is a new piezoelecrictric materials with the value of electromechanical coupling coefficient, which is, intermediate between this coefficient of a quartz crystal and that of lithium tantalate. Characteristics\Crystals Quartz, SiO2 Langasite, La3Ga5SiO14 Lithium tetraborate, Li2B2O3 Lithium tantalate, LiTaO3 Electromechanical Coupling Factor [...]

2019-05-07метаавтор
GaAs (100) crystal-3

PAM XIAMEN offers GaAs(100) Si- doped crystal . GaAs – Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2″ dia x 0.35mm, 2sp,cc: (1.07-3.89) x 10^18 /cm^3 GaAs – Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2″ dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.59) x 10^18 /cm^3 [...]

2019-04-22метаавтор
2″ Prime Silicon Wafer Tnickness 675 +/- 20 microns

PAM XIAMEN offers 2″ Prime Silicon Wafer Tnickness 675 +/- 20 microns. 2 inch in diameter wafers Monocrystalline silicon with insulating oxide Polishing: one-sided for microelectronics Thickness: 675 +/- 20 microns TTV <15 microns, Warping <35 microns For more information, please visit our website: [...]

2019-07-01метаавтор
YAG Crystals-2

PAM XIAMEN offers YAG Er Doped Yttrium Aluminium Garnet Laser Crystal. PAM XIAMEN can supply a wide range of Er:YAG, Er doped Yttrium aluminium garnet single crystals and epi-ready crystal substrates to meet customer’s specific requirements. Specifications:  Crystal structure: cubic Lattice parameters: 12.01 Å Orientations available: <111> or <100> crystalline within 5° Melt [...]

2019-03-15метаавтор
Mo – Molybdenum Substrates (polycrystalline)

PAM XIAMEN offers Mo – Molybdenum Substrates (polycrystalline). General Properties  for Molybdenum Symbol                 Mo Atomic Number      42 Atomic Weight:      95.96 g/mol Crystal structure:   BCC Lattice constant at room temperature :   0.315 nm Density:                10.28 g/cm3 Melting Point:        2623 °C Boiling Point:         4639 °C Mo Polycrystalline Substrate: [...]

2019-05-13метаавтор