PAM-XIAMEN может поставитьGaAs вафельныес ЭПД менее 5000/см².

В: Не могли бы вы сообщить гарантированную EPD для нижележащего субстрата и эпитаксии?
Пластины арсенида галлия, P/E 2″Ø×380±25 мкм,
LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm,
Полировка с одной стороны, матовое травление с обратной стороны, 2 плоскости,
LT-GaAs EPI: 1–2 мкм, удельное сопротивление > 1E7 Ом·см, время жизни носителя <1 пс,
Герметичный под азотом в кассете с одной пластиной.
A: плотность дислокации <1×10^6см-2

EPD (плотность ямок травления) является мерой качества полупроводниковых пластин. В промышленности по производству арсенида галлия (GaAs) хорошо известно, что уровень EPD подложки очень важен для надежности устройств с неосновными носителями и для производительности изготовленных устройств. При производстве электронных устройств GaAs, таких как биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT) и транзисторы с псевдовысокой подвижностью электронов (pHEMT), EPD подложки GaAs является одним из факторов, определяющих выход устройства.

Итак, как измерить EPD подложки GaAs? Предлагается стандартный метод проверки плотности ямок травления в полированной пластине GaAs с низкой плотностью дислокаций следующим образом:

Этот метод применяется для измерения ЭПР круглых пластин GaAs диаметром 2 дюйма и 3 дюйма и ЭПР менее 5000/см.².

1. Принципы метода измерения EPD полированной подложки GaAs

После травления пластины GaAs расплавленным гидроксидом калия количество коррозионных ямок наблюдают и регистрируют с помощью микроскопа.

2. Инструменты для определения ЭПД

Микроскоп: площадь поля зрения измерения должна быть 0,01 см.²или больше.

3. Химические реагенты

# Серная кислота (p=1,84 г/мл), концентрация 95%~98%, отличной чистоты;

# Перекись водорода (p=1,00 г/мл), концентрация >=30%, отлично;

# Гидроксид калия, концентрация >=85%, чистота отличного качества.

4. Этапы измерения EPD

1) Позиции счета для пластин GaAs диаметром 2 дюйма и 3 дюймов показаны на рисунках 1 и 2 соответственно. Точка счета находится в центре каждой сетки. Для пластины диаметром 2 дюйма длина стороны сетки составляет 5 мм, общее количество счетных точек равно 69, а 35-я точка расположена в центре пластины. Для пластины диаметром 3 дюйма длина стороны сетки составляет 10 мм, общее количество счетных точек равно 37, а 19-я точка расположена в центре пластины.

2) Подсчитайте и запишите количество очагов коррозии, центр которых находится в пределах поля зрения измерения. Если ямки слишком плотные для подсчета, увеличьте увеличение. Затем подсчитайте количество очагов коррозии и запишите результаты вместе с увеличением микроскопа.

3) Повторите операцию, описанную в пункте 2), для всех других подсчитанных точек, а именно точек 2–69 для 2-дюймовых пластин арсенида галлия и точек 2–37 для 3-дюймовых пластин.

Рис. 1 Позиции счета для пластин GaAs диаметром 2 дюйма

Рис. 2 Позиции счета для пластин GaAs диаметром 3 дюйма

5. Расчет плотности ямки травления

EPD каждого поля измерения равен количеству очагов коррозии в этом поле, деленному на площадь поля, то есть:

ЭПД=В/С…………………………… (1)

В формуле:

W — количество ямок травления, шт.;

S — площадь поля зрения, см².

Пример: размер поля измерения составляет 0,1 см x 0,1 см, а затем его площадь поля зрения составляет 0,01 см.².

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.