Изготовление пластин GaN для электронных и оптоэлектронных устройств.
Изготовление пластин GaN для электронных и оптоэлектронных устройств.
The изготовление пластин GaNиз булей (слитков) GaN. Були нитрида галлия были выращены методом газофазной эпитаксии гидрида, нарезаны ломтиками и откалиброваны в заготовки пластин. Заготовки пластин GaN были притерты и отполированы. Галлиевая сторона пластины была обработана процессом химико-механической полировки (ХМП), в результате которого были устранены поверхностные и подповерхностные повреждения, в результате чего были получены пластины GaN, готовые к гомоэпитаксиальному выращиванию. Полированная поверхность CMP обеспечивала среднеквадратическую шероховатость поверхности (RMS) 0,3 нм на пластине размером 10 × 10 мкм.2область сканирования.
Рис. 1.Скорость притирки в зависимости от давления на пластину GaN для пяти различных абразивных материалов на чугунной пластине. Все остальные условия эксплуатации оставались постоянными.
Источник: Текущая прикладная физика.
Если вам нужна дополнительная информация о производстве пластин GaN для электронных и оптоэлектронных устройств, посетите наш сайт:https://www.powerwaywafer.com/, отправьте нам электронное письмо по адресу[email protected] или [email protected]