GA2O3 на сапфировой гетероэпитаксии
Sapphire based gallium oxide(Ga2O3) epitaxial technology is currently one of the hotspots in semiconductor material research. β- Ga2O3 has the characteristics of ultra-high bandgap, high breakdown voltage, and strong radiation resistance, and has shown broad application prospects in the fields of high-voltage, high-power, and high-efficiency electronic devices. Sapphire, as an insulating substrate, can provide a favorable crystal growth environment for gallium oxide epitaxy, thereby improving the quality of epitaxial films and device performance. PAM-XIAMEN can prepare high-quality Ga2O3 on sapphire heteroepitaxial thin film with the following parameters:
1.Эпитаксиальные параметрыβ ga2o3 на сапфиреподложка
| Пункт | GA2O3 Гетеоэпитакси | |
| класс | Промышленный класс | Исследовательский класс |
| подложка | ||
| Материал | Сапфир (al2o3) | |
| Размер | 10*10 мм, 10*15 мм, 2 дюйма, индивидуально | |
| Толщина | 430um | |
| Ориентация | （0001) | |
| Эпислой | ||
| Polytype | β-Ga2O3 | |
| Толщина | 0,01 ~ 0,2 мм | |
| Толерантность | ± 5% | ± 10% |
| единообразие | ≤5% | ≤10% |
| Ориентация | （-201) 、 (002) | |
| кондукция | UID | |
| Шероховатость поверхности | ≤5nm (10*10um) | |
| Плотность дефектов | <1 см-2 | <2 см-2 |
| Пригодность для использования | ≥95% | ≥90% |
2. ЯвлияниеВне оси S.АпхирSUBStrate OnMОрфология
Ориентация субстрата является ключевым фактором, влияющим на качество эпитаксиальных пленок. Недавно исследовательская группа использовала метод MOCVD для изучения технологии роста оксида галлия на сапфировых субстратах с различными углами с ошибкой. Результаты показывают, что неверный сапфировый субстрат может значительно улучшить эпитаксиальное качество кристаллов материалов оксида галлия. Например, когда угол резки субстрата составляет 6 °, кривая рентгеновского качания эпитаксиальной пленки имеет наименьшую полную ширину на половине максимума (FWHM) и более высокого качества кристаллов. Это оказывает положительное влияние на изучение гетероэпитаксиального роста тонких пленок оксида галлия и стимулирования их применения.
3.Приложениепospectes из оксида галлия на основе сапфира
GA2O3 на сапфировой технологии имеет потенциальные приложения в следующих областях:
Солнечная слепая ультрафиолетовая фотоприемника: тонкая пленка GA2O3 подходит для обнаружения ультрафиолетового ультрафиолета солнечной батареи из-за его высоких характеристик полосовой зоны, с высокой чувствительностью и способностью противоинтерференции;
Силовые устройства, такие как диоды Шоттки (SBD) и полупроводниковые транзисторы с оксидом металлов, могут применяться к высоковольтным мощным электронным устройствам;
Другие поля: такие как радиочастотные устройства, газовое зондирование, фотокатализ и хранение информации.
В настоящее время GA2O3 на сапфировых эпитаксиальных пластинах стали идеальным материалом для мощных устройств, поддерживая индивидуальные размеры для удовлетворения различных требований применения. Глобальная индустрия оксида галлия вступила в раннюю стадию коммерциализации, с силовыми устройствами, а солнечные слепые ультрафиолетовые фотоприемники - четкие направления для коммерциализации.
* Требуется лицензия.
Если вам нужна пластина GA2O3 для исследований или для промышленных приложений, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу[email protected] и [email protected].