Полупроводниковые материалы GaAs в основном используются в активных устройствах оптической связи, полупроводниковых светоизлучающих диодах (СИД), высокоэффективных солнечных элементах и ​​устройствах Холла. Кроме того, оптоэлектронные устройства GaAs находят важные применения в бытовой технике, промышленных приборах, дисплеях с большими экранами, оборудовании для автоматизации делопроизводства, управлении дорожным движением и т. д. Для выращивания монокристаллов GaAs необходимы поликристаллы GaAs.PAM-СЯМЫНЬможет поставлять поликристаллический арсенид галлия. В следующей таблице приведены конкретные параметры поликристаллической пластины GaAs:

1. Спецификация поликристаллической пластины GaAs

Поликристаллическая пластина GaAs может быть использована для выращивания монокристалла GaAs.

Кроме того, поликристаллическая пластина может использоваться в качестве материала инфракрасного окна. И исследования показали, что поликристаллическое покрытие GaAs для инфракрасного окна с антибликовым покрытием (AR) будет иметь лучший коэффициент пропускания.

2. Challenges and Solutions for Polycrystalline GaAs Synthetized by Horizontal Method

Поскольку арсенид галлия представляет собой бинарное соединение, давление паров мышьяка высокое, а галлий и мышьяк легко окисляются, синтетический поликристалл GaAs подвержен дефектам, таким как деформация кварца, поликристаллическое окисление и богатый галлием хвост. Чтобы преодолеть эти дефекты, мы можем оптимизировать формулу сырья, контроль давления паров мышьяка и конструкцию температурного поля охлаждения печи. Конкретно следующим образом:

1) Что касается сырья, помимо строгого соблюдения молярного соотношения галлия и мышьяка 1:1, дополнительно добавляют 0,5% молярного соотношения мышьяка.

2) Контроль давления паров мышьяка в основном используется для наблюдения за состоянием паров мышьяка в кварцевой трубке и формой стенки кварцевой трубки через окно корпуса печи, чтобы регулировать скорость сублимации мышьяка. Если пары мышьяка в кварцевой трубке выглядят густым туманом, а кварцевая трубка показывает признаки расширения, это указывает на то, что давление паров мышьяка слишком высокое, в это время температура на конце мышьяка может быть соответствующим образом снижена на 5–8 ℃. замедлить скорость возгонки мышьяка. Напротив, если пары мышьяка в кварцевой трубке тонкие и кварцевая трубка сжимается, температура на конце мышьяка может быть соответственно увеличена на 5~8 ℃, ускоряя сублимацию мышьяка и восстанавливая первоначальную полную форму кварцевой трубки. .

3) Для решения проблемы растрескивания кварцевых трубок и поликристаллического окисления, вызванного охлаждением в печи, в основном используется оптимизация программы температурного охлаждения на высокотемпературном конце. После синтеза галлия и мышьяка нагревательный провод на высокотемпературном конце не может одновременно охлаждаться, а начинается с первого нагревательного провода вблизи средней температурной зоны. Процесс медленного охлаждения постепенно снимает внутреннее напряжение кварцевой трубки, что позволяет избежать растрескивания и даже разрыва во время процесса охлаждения кварцевой трубки.

Арсенид полигаллия, полученный после оптимизированного процесса, имеет очевидный металлический блеск, на поверхности нет окисления, а на срезанном конце нет богатого галлия. Полученные параметры подвижности и концентрации носителей заряда соответствуют требованиям получения монокристаллов GaAs.

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.