Epi вафельные для лазерного диода

Эпи-пластина для лазерного диода

Пластина эпитаксии LD на основе GaAs, которая может генерировать стимулирующее излучение, широко используется для изготовления лазерных диодов, поскольку превосходные свойства эпитаксиальной пластины GaAs делают устройство низким энергопотреблением, высоким КПД, длительным сроком службы и т. Д. В дополнение к пластине LD epi из арсенида галлия , обычно используемыми полупроводниковыми материалами являются сульфид кадмия (CdS), фосфид индия (InP) и сульфид цинка (ZnS).

  • Описание

Описание продукта

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), a LD epitaxial wafer supplier, focuses on the GaAs and InP based laser diode epi wafers grown by MOCVD reactors for fiber-optic communication, industrial application, and special-purpose usage. PAM-XIAMEN can offer LD epitaxy wafer based on GaAs substrate for various fields, like VCSEL, infrared, photo-detector and etc. More details about the LD epitaxy wafer material, please refer to the table below:

Материал подложки Материал Capability Длина волны Применение
GaAs GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 635nm  
Эпи-пластина на основе GaAs 650nm Лазер с вертикальным резонатором поверхностного излучения (VCSEL)
RCLED
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 660nm  
GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs 703nm  
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 780 нм  
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 785nm  
Эпи-пластина на основе GaAs 800-1064nm Инфракрасный LD
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 808nm Инфракрасный LD
Эпи-пластина на основе GaAs 850нм Лазер с вертикальным резонатором поверхностного излучения (VCSEL)
RCLED
Эпи-пластина на основе GaAs <870 нм Фото-детектор
Эпи-пластина на основе GaAs 850-1100nm Лазер с вертикальным резонатором поверхностного излучения (VCSEL)
RCLED
GaAs / AlGaAs / GaInAs / AlGaAs / GaAs 905nm  
GaAs / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / GaAs 950nm  
Эпи-пластина на основе GaAs 980nm Инфракрасный LD
Эпи-пластина на основе InP 1250-1600nm Лавинный фотодетектор
Эпи-пластина на основе GaAs 1250-1600 нм /> 2,0 мкм
(Поглощающий слой InGaAs)
Фото-детектор
Эпи-пластина на основе GaAs 1250-1600 нм / <1,4 мкм
(Поглощающий слой InGaAsP)
Фото-детектор
Эпи-пластина на основе InP 1270-1630nm DFB лазер
Подложка GaAsP / GaAs / GaAs 1300nm  
Эпи-пластина на основе InP 1310nm Лазер FP
Подложка GaAsP / GaAs / GaAs 1550nm Лазер FP
  1654nm  
Эпи-пластина на основе InP 1900nm Лазер FP
  2004nm  

 

About LD Epitaxy Wafer Applications & Market

The applications of GaAs based LD epitaxy wafer in the laser field can be divided into VCSELs and non-VCSELs. The current GaAs based LD epitaxy applications mainly lies in VCSELs. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), based on GaAs materials, is mainly used for face recognition. It is expected to have a high growth rate in the future. EEL (Edge Emitting Laser) is a non-VCSEL device, mainly used in the field of automotive lidar, and the demand is expected to increase with the expansion of the driverless car market.

The GaAs substrate used in the laser field requires high technical indicators, and the unit epitaxial wafer price is significantly higher than that of other fields. The future LD epitaxial market space can be expected. Laser applications are the most sensitive to dislocation density. There is a high requirement for the GaAs substrate materials in laser applications. Therefore, the higher requirement is put forward on LD epitaxial wafer manufacturers and LD epitaxial wafer process. At present, the near-infrared band (760~1060 nm) semiconductor laser based on GaAs substrate has the most mature development and the most widespread application, and it has already been commercialized.

Please see below detail specification of LD epitaxy wafer:

VCSEL Лазерный вафельный чип

VCSEL Laser Epi Wafer

703нм лазерный диод epi wafer

808нм лазерный диод epi wafer-1

780 нм лазерный диод epi wafer

Эпи-пластина с лазерным диодом 650 нм

785 нм лазерный диод epi wafer

808нм лазерный диод epi wafers-2

Эпи-пластина с лазерным диодом 850 нм

905 нм лазерный диод epi wafer

950 нм лазерный диод epi wafer

1550нм лазерный диод epi wafer

Эпи-пластина с лазерным диодом 1654нм

2004nm лазерный диод epi wafer

 

Чипы с одним эмиттером

LD-чип с одним излучателем 755 нм при 8 Вт

Single-эмиттер LD Chip 808nm @ 8W

Микросхема LD с одним эмиттером, 808 нм, 10 Вт

Микросхема LD с одним эмиттером, 830 нм, 2 Вт

Микросхема LD с одним эмиттером, 880 нм, 8 Вт

Микросхема LD с одним эмиттером 900 + нм @ 10 Вт

Микросхема LD с одним эмиттером 900 + нм @ 15 Вт

Микросхема LD с одним эмиттером, 905 нм, 25 Вт

Микросхема LD с одним эмиттером, 1470 нм, 3 Вт

PAM XIAMEN предлагает один высокомощный лазерный чип с длиной волны 1470/1550 нм:

LD Bare Bar

LD Bare Bar для 780 нм @ полости 2,5 мм

LD Bare Bar для 808 нм @ полости 2 мм

LD Bare Bar для 808 нм @ полости 1,5 мм

LD Bare Bar для 880 нм @ полости 2 мм

LD Bare Bar для 940nm @ полости 2мм

LD Bare Bar для 940 нм @ полости 3 мм

LD Bare Bar для 940 нм @ полости 4 мм

LD Bare Bar для 940nm @ полости 2мм

LD Bare Bar для 976 нм @ полости 4 мм

LD Bare Bar для 1470 нм @ полости 2 мм

LD Bare Bar для 1550 нм @ полости 2 мм