GaAs (арсенид галли) Вафли

GaAs (арсенида галли) Вафли

Как ведущий поставщик подложек из GaAs, PAM-XIAMEN производит подложки из GaAs (арсенида галлия), готовые к применению в эпитаксиальной среде, включая полупроводниковые n-образные, полупроводниковые нелегированные и p-образные с основным и фиктивным сплавами. Удельное сопротивление подложки GaAs зависит от примесей, легированный Si или Zn составляет (0,001 ~ 0,009) Ом · см, нелегированный -> = 1E7 Ом · см. Ориентация кристалла пластины GaAs должна быть (100) и (111). Для ориентации (100) это может быть отклонение 2 ° / 6 ° / 15 °. ЭПД GaAs пластины обычно составляет <5000 / см2 для светодиодов или <500 / см2 для LD или микроэлектроники.

  • Описание

Описание продукта

(-галли) GaAs Wafer

PAM-XIAMEN develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer. We has used advanced crystal growth technology, vertical gradient freeze(VGF) and GaAs wafer manufacturing process, established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for GaAs wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafers include 2~6 inch ingot/wafers for LED, LD and Microelectronics applications. We are always dedicated to improve the quality of currently GaAs wafer substrates and develop large size substrates. The GaAs wafer size offered is in 2”, 3”, 4” and 6”, and the thickness should be 220-700um. Moreover, the GaAs wafer price from us is competitive.

1. GaAs Wafer Specifications

1.1 (GaAs)-галлиВафли для светодиодных приложений

Пункт Технические условия Замечания
Проводимость Тип SC / п-типа SC / р-типа с Zn дурмана Доступные
Метод роста VGF  
добавка кремний Zn доступен
вафли Diamter 2, 3 и 4 дюйма Слиток или как вырезать Имеющиеся
Кристаллическая ориентация (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° от (110) Другие дезориентации доступны
О EJ или США  
Концентрация носителей (0,4 ~ 2,5) Е18 / см3  
Удельное сопротивление при комнатной температуре (1,5 ~ 9) Е-3 Ohm.cm  
Мобильность 1500 ~ 3000cm2 / · сек  
Etch Pit Плотность <5000 / см2  
Лазерная маркировка по требованию  
Чистота поверхности Р / Е или Р / Р  
Толщина 220 ~ 450um  
эпитаксии Готовый Да  
Пакет Одноместный вафельные контейнер или кассеты

 

1.2 (GaAs)-галлиВафли для LD-приложений

Пункт Технические условия Замечания
Проводимость Тип SC / п-типа  
Метод роста VGF  
добавка кремний  
вафли Diamter 2, 3 и 4 дюйма Слиток или вырезать доступны
Кристаллическая ориентация (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° от (110) Другие дезориентации доступны
О EJ или США  
Концентрация носителей (0,4 ~ 2,5) Е18 / см3  
Удельное сопротивление при комнатной температуре (1,5 ~ 9) Е-3 Ohm.cm  
Мобильность 1500 ~ 3000 см2 / В · сек  
Etch Pit Плотность <500 / см2  
Лазерная маркировка по требованию  
Чистота поверхности Р / Е или Р / Р  
Толщина 220 ~ 350um  
эпитаксии Готовый Да  
Пакет Одноместный вафельные контейнер или кассеты

 

1.3 (GaAs)-галлиВафли, полуизолирующие для микроэлектроники

Пункт Технические условия Замечания
Проводимость Тип изоляционный  
Метод роста VGF  
добавка нелегированный  
вафли Diamter 2, 3 и 4 дюйма  Ingot available
Кристаллическая ориентация (100)+/- 0.5°  
О EJ, США или вырезы  
Концентрация носителей н /  
Удельное сопротивление при комнатной температуре > 1E7 Ohm.cm  
Мобильность > 5000 см2 / В · сек  
Etch Pit Плотность <8000 / см2  
Лазерная маркировка по требованию  
Чистота поверхности P / P  
Толщина 350 ~ 675um  
эпитаксии Готовый Да  
Пакет Одноместный вафельные контейнер или кассеты

 

1.4 6″ (150mm)(GaAs)-галлиВафли, полуизолирующие для микроэлектроники

Пункт Технические условия Замечания
Проводимость Тип Полуизолирующих  –
Grow метод VGF  –
добавка нелегированный  –
Тип N  –
Diamater (мм) 150 ± 0,25  –
Ориентация (100)0°±3.0°  –
NOTCH Ориентация 〔010〕±2°  –
NOTCH Deepth (мм) (1-1.25)mm   89°-95°  –
Концентрация носителей please consult our sales team  –
Удельное сопротивление (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3  –
Мобильность (см2 / В) please consult our sales team  –
вывих please consult our sales team  –
Толщина (мкм) 675 ± 25  –
Край исключение для луки и Деформации (мм) please consult our sales team  –
Лук (мкм) please consult our sales team  –
Деформация (мкм) ≤20.0  –
ТТВ (мкм) ≤10.0  –
МДП (мкм) ≤10.0  –
LFPD (мкм) please consult our sales team  –
Полировка P / P Epi-Ready  –

 

1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (Низкотемпературный-Grown арсенид галлия) Вафельные Технические характеристики

Пункт Технические условия
Проводимость Тип Полуизолирующих
Grow метод VGF
добавка нелегированный
Тип N
Diamater (мм) 150 ± 0,25
Ориентация (100)0°±3.0°
NOTCH Ориентация 〔010〕±2°
NOTCH Deepth (мм) (1-1.25)mm   89°-95°
Концентрация носителей please consult our sales team
Удельное сопротивление (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3
Мобильность (см2 / В) please consult our sales team
вывих please consult our sales team
Толщина (мкм) 675 ± 25
Край исключение для луки и Деформации (мм) please consult our sales team
Лук (мкм) please consult our sales team
Деформация (мкм) ≤20.0
ТТВ (мкм) ≤10.0
МДП (мкм) ≤10.0
LFPD (мкм) please consult our sales team
Полировка P / P Epi-Ready
 
* Мы также можем обеспечить поли кристалл GaAs бар, 99,9999% (6N).

 

2. GaAs Wafer Market & Application

Gallium arsenide is an important semiconductor material. It belongs to group III-V compound semiconductors and the zinc blende crystal lattice structure, with a lattice constant of 5.65×10-10m, a melting point of 1237°C, and a band gap of 1.4 electron volts. Gallium arsenide can be made into semi-insulating high-resistance materials, which can be used to make integrated circuit substrates, infrared detectors, gamma photon detectors, etc. Because its electron mobility is 5 to 6 times greater than silicon, SI GaAs substrate has been importantly used in the fabrication of microwave devices and high-speed digital circuits. Semiconductor devices fabricated on gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance, which make the GaAs substrate market enlarge.

 

3. Test certificate of GaAs wafer can include below analysis if necessary:

1/Surface roughness of Gallium Arsenide including front side and backside(nanometers).

2/Doping concentration of Gallium Arsenide(cm-3)

3/EPD of Gallium Arsenide(cm-2)

4/Mobility of Gallium Arsendie(V.sec)

5/X-ray diffraction analysis (rocking curves) of Gallium Arsenide: Diffraction reflection curve half-width

6/Low-temperature photoluminescence (emission spectra in the range 0.7-1.0 μm) of Gallium Arsenide: The fraction of exciton photoluminescence in the emission spectrum of the near-IR range at a temperature of 4K or 5 K and an optical excitation density of 1 W / cm2

7/Transmission rate or Absorption coefficient: for instant, we can measure absorption coefficient of single crystal undoped GaAs at 1064nm: <0.6423 cm-1, and this corresponds to a transmission minimum of 33.2% for an exactly 6.5mm thick blank at 1064nm.

 

Вам также может понравиться ...