PAM-XIAMEN, один из ведущих производителей пластин арсенида галлия, может предложить пластины арсенида галлия (GaAs) с высокой мобильностью. Обычно подвижность n-типа/GaAs, легированного Si, превышает 1000 см2/Вс, подвижность p-типа/GaAs, легированного Zn, превышает 50~120 см2/Вс, а подвижность нелегированного GaAs требуется выше 3500 см2/Вс, но мы можем выбрать материал и получить высокую мобильность >4500 или >5000см2/Вс даже при необходимости.
1. Спецификация 4-дюймовой пластины арсенида галлия (GaAs) с высокой подвижностью:
Метод: ВГФ
Диаметр: 100,0±0,2 мм
Type: S-I, c doped
Ориентация: (100)±0,3° в направлении (110)
Удельное сопротивление: >0,8*10^8 Ом*см
Мобильность: 4800 см2/(В*с)
ЭПД: <= 800 см-2
Толщина: 600±25 мкм
ЛУК: <= 4 мкм
Деформация: <= 5 мкм
ТТВ: <= 3 мкм
МДП: <= 3 мкм
LFPD: <= 1 мкм
LTV: <= 1,5 мкм
PLTV: >90% на площади 15*15 мм
Частицы: <100 шт./пластина (для частиц размером >0,28 мкм), дымка <5 частей на миллион
OF: EJ[0-1-1] ± 0,5°/ 32,5 ± 1,0 мм
ЕСЛИ: EJ[0-1-1] ± 0,5°/ 18,0 ± 1,0 мм
Лицевая сторона: полированная, готовая к эпиляции
Задняя сторона: полированная
Лазерная маркировка: на задней стороне
2. Comparison between C doped GaAs Wafer and Si Doped GaAs Wafer
По сравнению с нелегированной пластиной подвижность пластины арсенида галлия (GaAs), легированной Si, ниже. Подробнее смотрите в таблице ниже:
параметр | Требования заказчика | Гарантированные/фактические значения | UOM | ||
Метод роста: | VGF | VGF | |||
Тип поведения: | SCN | SCN | |||
легирующей: | GaAs-Si | GaAs-Si | |||
Диаметр: | 76,2±0,1 | 76,2±0,1 | мм | ||
Ориентация: | <100>±0,5° | <100>±0,5° | |||
расположение/длина ОВ; | ЭД[0-1-1]±0,5°/22±2 | ЭД[0-1-1]±0,5°/22±2 | |||
IF местоположение/длина: | EJ[0-1 1]±0,5°/11±2 | EJ[0-1 1]±0,5°/11±2 | |||
lngot CC: | Мин: 0,5E18 | Макс: 2.0E18 | Мин: 0,6E18 | Макс: 2.0E18 | |
Удельное сопротивление: | Мин: 1E-3 | Мин: 1.6E-3 | Макс: 4.2E-3 | Ом * см | |
Мобильность: | Мин: 1500 | Мин: 1810 | Макс: 2407 | см2/против | |
EPD: | Макс: 10000 | Мин: 50 | Макс: 300 | /см2 | |
Толщина: | 400±20 | 400±20 | гм | ||
TTV: | Макс: 10 | Макс: 10 | гм | ||
МДП: | Макс: 15 | Макс: 15 | гм | ||
Лук: | Макс: 15 | Макс: 15 | гм | ||
Деформация: | Макс: 15 | Макс: 15 | гм | ||
Скругление краев: | 0.25 | 0.25 | MMR | ||
Лазерная маркировка: | N / A | N / A | |||
Поверхностная отделка-перед: | Полированные | Полированные | |||
Поверхностная отделка-задняя часть: | Травленый | Травленый |
Примечание. Под подвижностью понимается средняя скорость дрейфа носителя при единичной напряженности электрического поля. Подвижность представляет собой проводимость носителей, которая определяется концентрацией носителей. Подвижность обычных полупроводниковых материалов обычно составляет 10^2-10^6 см2/В·с. Подвижность является важным параметром для характеристики полупроводника. Чем выше мобильность, тем быстрее работает устройство и выше частота среза. Электронная эффективная масса арсенида галлия (GaAs) намного меньше, чем у кремния, поэтому GaAs используется для изготовления высокочастотных устройств.
3. Применение пластины арсенида галлия (GaAs) с высокой подвижностью
Электронная подвижностьарсенид галлия материалпримерно в 6 раз больше, чем у кремния, и имеет прямую запрещенную зону. Поэтому устройства на основе GaAs обладают высокочастотными и быстродействующими оптоэлектронными свойствами по сравнению с устройствами на основе кремния. В результате пластины арсенида галлия широко используются в области оптоэлектроники и микроэлектроники и являются ключевым материалом подложки для изготовления полупроводниковых светодиодов и устройств связи. Пластина арсенида галлия (GaAs) с высокой мобильностью делает микроволновые устройства малой и средней мощности более низкими потерями мощности, поэтому она занимает доминирующее положение в области мобильной связи, локальных беспроводных сетей, GPS и автомобильных радаров.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com а такжеpowerwaymaterial@gmail.com.