Пластина арсенида галлия (GaAs) с высокой мобильностью

Пластина арсенида галлия (GaAs) с высокой мобильностью

PAM-XIAMEN, один из ведущих производителей пластин арсенида галлия, может предложить пластины арсенида галлия (GaAs) с высокой мобильностью. Обычно подвижность n-типа/GaAs, легированного Si, превышает 1000 см2/Вс, подвижность p-типа/GaAs, легированного Zn, превышает 50~120 см2/Вс, а подвижность нелегированного GaAs требуется выше 3500 см2/Вс, но мы можем выбрать материал и получить высокую мобильность >4500 или >5000см2/Вс даже при необходимости.

1. Спецификация 4-дюймовой пластины арсенида галлия (GaAs) с высокой подвижностью:

Метод: ВГФ

Диаметр: 100,0±0,2 мм

Type: S-I, c doped

Ориентация: (100)±0,3° в направлении (110)

Удельное сопротивление: >0,8*10^8 Ом*см

Мобильность: 4800 см2/(В*с)

ЭПД: <= 800 см-2

Толщина: 600±25 мкм

ЛУК: <= 4 мкм

Деформация: <= 5 мкм

ТТВ: <= 3 мкм

МДП: <= 3 мкм

LFPD: <= 1 мкм

LTV: <= 1,5 мкм

PLTV: >90% на площади 15*15 мм

Частицы: <100 шт./пластина (для частиц размером >0,28 мкм), дымка <5 частей на миллион

OF: EJ[0-1-1] ± 0,5°/ 32,5 ± 1,0 мм

ЕСЛИ: EJ[0-1-1] ± 0,5°/ 18,0 ± 1,0 мм

Лицевая сторона: полированная, готовая к эпиляции

Задняя сторона: полированная

Лазерная маркировка: на задней стороне

2. Comparison between C doped GaAs Wafer and Si Doped GaAs Wafer

По сравнению с нелегированной пластиной подвижность пластины арсенида галлия (GaAs), легированной Si, ниже. Подробнее смотрите в таблице ниже:

параметр Требования заказчика Гарантированные/фактические значения UOM
Метод роста: VGF VGF
Тип поведения: SCN SCN
легирующей: GaAs-Si GaAs-Si
Диаметр: 76,2±0,1 76,2±0,1 мм
Ориентация: <100>±0,5° <100>±0,5°
расположение/длина ОВ; ЭД[0-1-1]±0,5°/22±2 ЭД[0-1-1]±0,5°/22±2
IF местоположение/длина: EJ[0-1 1]±0,5°/11±2 EJ[0-1 1]±0,5°/11±2
lngot CC: Мин: 0,5E18 Макс: 2.0E18 Мин: 0,6E18 Макс: 2.0E18
Удельное сопротивление: Мин: 1E-3 Мин: 1.6E-3 Макс: 4.2E-3 Ом * см
Мобильность: Мин: 1500 Мин: 1810 Макс: 2407 см2/против
EPD: Макс: 10000 Мин: 50 Макс: 300 /см2
Толщина: 400±20 400±20 гм
TTV: Макс: 10 Макс: 10 гм
МДП: Макс: 15 Макс: 15 гм
Лук: Макс: 15 Макс: 15 гм
Деформация: Макс: 15 Макс: 15 гм
Скругление краев: 0.25 0.25 MMR
Лазерная маркировка: N / A N / A
Поверхностная отделка-перед: Полированные Полированные
Поверхностная отделка-задняя часть: Травленый Травленый  

 

Примечание. Под подвижностью понимается средняя скорость дрейфа носителя при единичной напряженности электрического поля. Подвижность представляет собой проводимость носителей, которая определяется концентрацией носителей. Подвижность обычных полупроводниковых материалов обычно составляет 10^2-10^6 см2/В·с. Подвижность является важным параметром для характеристики полупроводника. Чем выше мобильность, тем быстрее работает устройство и выше частота среза. Электронная эффективная масса арсенида галлия (GaAs) намного меньше, чем у кремния, поэтому GaAs используется для изготовления высокочастотных устройств.

3. Применение пластины арсенида галлия (GaAs) с высокой подвижностью

Электронная подвижностьарсенид галлия материалпримерно в 6 раз больше, чем у кремния, и имеет прямую запрещенную зону. Поэтому устройства на основе GaAs обладают высокочастотными и быстродействующими оптоэлектронными свойствами по сравнению с устройствами на основе кремния. В результате пластины арсенида галлия широко используются в области оптоэлектроники и микроэлектроники и являются ключевым материалом подложки для изготовления полупроводниковых светодиодов и устройств связи. Пластина арсенида галлия (GaAs) с высокой мобильностью делает микроволновые устройства малой и средней мощности более низкими потерями мощности, поэтому она занимает доминирующее положение в области мобильной связи, локальных беспроводных сетей, GPS и автомобильных радаров.

powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com а такжеpowerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью