Услуги GaN Foundry для изготовления светодиодов

Услуги GaN Foundry для изготовления светодиодов

PAM-XIAMEN может предложитьСветодиодные эпитаксиальные пластиныи может предложить литейные услуги и поставки GaN для светодиодов. Услуги литейного производства GaN включают в себя услуги по расширению OEM, COW-процесс и различные услуги по тестированию. В частности, следующим образом:

GaN вафли

1. OEM-сервис — индивидуальная структура тонкопленочной эпитаксии на основе AlGaN.

Мы поставляем 2, 4-дюймовые эпитаксиальные пластины DUV-LED на заказ. А длина волны эпитаксиальной пластины GaN из нашего литейного цеха составляет от 265 до 280 нм.

Кроме того, доступны 2 и 4-дюймовые эпитаксиальные светодиодные структуры на основе AlGaN. При этом алюминиевый состав эпитаксиального слоя AlGaN регулируется в диапазоне от 0 до 100%.

2. Услуги по литью GaN-чипов — процесс COW для устройств с синими, УФ-А и УФ-светодиодами

Услуги GaN: COW-процесс и единый OEM-сервис в нашем литейном цеху для устройств с синим, УФА и УФС-светодиодом, включая фотолитографию, реактивное ионное травление (для GaN, AlN и AlGaN), реактивное ионное травление (SiO2, Si3N4), PECVD (SiO2, Si3N4 ), электронно-лучевое напыление (Au, Ni, Cr, Al, Ti), электронно-лучевое напыление (ITO), быстрый отжиг, ХМП (утонение, шлифовка, полировка) и др.

2.1 Фотолитография для GaN-светодиода

Мы можем выполнять прецизионную фотолитографию 1 мкм для светодиодных пластин GaN размером 4 дюйма и меньше, которая может точно контролироваться в соответствии с потребностями клиента.

Услуги литейного производства GaN - Оборудование для фотолитографии

2.2 Индуктивно-связанное плазменное травление (ICP) для светодиодов на основе GaN Epi

Мы можем выполнить травление для материалов GaN, AlN и AlGaN.

2.3 Реактивное ионное травление (RIE) полупроводниковой пластины GaN

Для тонких пленок SiO2 и SiNx травление рисунка выполняется на пластинах GaN.

2.4. Плазменное химическое осаждение из паровой фазы (PECVD) для эпитаксиальных пластин GaN

Для пластин размером 6 дюймов и меньше выполняется химическое осаждение из паровой фазы с усилением плазмы для формирования однородной, плотной и регулируемой по толщине пленки SiO2 или SiNx на поверхности эпитаксии GaN.

2.5 Электронно-лучевое напыление (E-Beam) на эпитаксиальной пластине GaN

Путем бомбардировки мишени электронными лучами из электронной пушки осуществляется испарение тонкой пленки ITO на поверхности GaN, материал - Au, Ni, Cr, Al, Ti и т. Д.

Осаждение из паровой фазы тонких металлических пленок, таких как Ag и Pt.

2.6 Быстрый отжиг (RTA) тонкой пленки GaN

Основываясь на ваших технологических требованиях, наш быстрый отжиг может использовать различные газы, такие как N2 и O2, для соответствия различным процессам, а также устанавливать различные скорости нагрева и охлаждения, температуры отжига и время отжига для сплавления и сплавления металлических электродов в соответствии с электрическими требованиями продукт.

3. Служба тестирования GaN

Мы предоставляем услуги по тестированию пластин GaN, как показано ниже:

3.1 XRD-тест полупроводниковых тонкопленочных материалов

ω-сканирование различных плоскостей кристалла 2-4-дюймовых полупроводниковых тонкопленочных материалов: тест кривой качания может использовать принцип отображения перевернутого пространства для реализации измерения отображения перевернутого пространства, получения состава и напряжения тройных сплавов, таких как AlGaN, а также имеют функции измерения толщины пленки.

GaN Foundry Services - XRD оборудование

3.2 АСМ-тест эпивафель

Тест АСМ имеет два режима: постукивание и контакт, которые могут определять топографию поверхности материалов, оснащенный модулем C-AFM, способным исследовать токовые каналы в материалах. Используя функцию KPFM, можно проверить работу выхода металлических материалов и поверхностный потенциал полупроводниковых материалов. Используя функцию LFM, можно проверить силу трения микродоменов на поверхности органических материалов. С помощью МСМ можно измерить распределение магнитных доменов образца.

3.3 Эпитаксиальный сканер фотолюминесцентного спектра пластин

Эпитаксиальная пластина Сканирующий сканер спектра PL может быть совместим с эпитаксиальной пластиной размером менее 6 дюймов, тест включает в себя: пиковую длину волны эпитаксиальной пластины синего светодиода (WLP), доминирующую длину волны (WLD), спектральную полуширину (HW), интегральную интенсивность света (INT) , пиковая интенсивность (PI); толщина эпитаксиальной пленки и коэффициент отражения (PR); отображать и выводить среднее значение каждого измеренного параметра (Mean), среднеквадратичную ошибку (Std), коэффициент стандартного отклонения (CV) и другие статистические результаты, а также графически отображать отображение распределения каждого параметра; измеряют коробление эпитаксиальных пластин.

3.4 Микроскоп с зондовой силой Кельвина

Атомно-силовой микроскоп имеет функцию тестирования KPFM, которая может проверять работу выхода металлических материалов и поверхностный потенциал полупроводниковых материалов.

В то же время может быть установлена ​​система тестирования с помощью света для проверки изменений поверхностного потенциала полупроводниковых приборов в условиях освещения.

3.5 Испытание на эффект Холла при высоких и низких температурах

Мы обеспечиваем высокотемпературное измерение Холла полупроводниковых тонкопленочных материалов, температура испытания составляет 90-700 К, а напряженность магнитного поля магнита составляет 0,5 Тл, максимальное измеренное поверхностное сопротивление составляет 10 ^ 11 Ом/кв, минимальный испытательный ток составляет 1 мкА, диапазон постоянного тока составляет от 1 мкА до 20 мА, а также доступен режим переменного тока (образцы с высоким сопротивлением не могут быть измерены в режиме переменного тока).

3.6 Спектр переходных процессов глубокого уровня

Для обнаружения в полупроводниках глубоких энергетических уровней и межфазных состояний средних и следовых примесей и дефектов предусмотрены высокотемпературная спектроскопия переходных процессов глубоких уровней и спектроскопия переходных процессов глубоких уровней с использованием света. Для характеристики ширины запрещенной зоны полупроводника может быть задан переходный спектр глубоких уровней. Спектры DLTS примесей, уровней глубоких дефектов и интерфейсных состояний в зависимости от температуры (т.е. энергии).

3.7 Квантовый транспортный тест

Мы проводим тесты квантового транспорта при низкой температуре и сильном магнитном поле, тест линейного магнитосопротивления и тест Холла. Обычно в образцах сначала измеряют переменную температуру IV, а затем измеряют магнитосопротивление. Диапазон измерения магниторезистивного сопротивления составляет 0,1–100 Ом.

Для полупроводников III-V низкотемпературный тест Холла с сильным магнитным полем может определить подвижность образца и изменения концентрации электронов с температурой. Для количественных выборок эффектов субконфайнмента, таких как двумерный электронный газ, слабые теплые и сильные магнитные поля могут привести к зеемановскому расщеплению, тем самым наблюдаются квантовые эффекты, такие как осцилляции ШдГ, и транспортные свойства различных подзон (концентрация электронов подвижности Spend ) может быть получен.

3.8 Анализ электрических параметров полупроводниковых тонкопленочных материалов и структур

Обеспечивает анализ электрических параметров полупроводниковых тонкопленочных материалов и структур, показатели блока измерения источника постоянного тока: максимальное напряжение 210В, максимальный ток 100мА, максимальная мощность 2Вт; индикаторы блока измерения импульсов: частота системного генератора импульсов: 50МГц-1Гц; минимальная ширина импульса: 10 нс; максимальное импульсное напряжение: 80В, -40В-40В.

3.9 Спектрометр комбинационного рассеяния с улучшенным наконечником

Обеспечивает микрозонное рамановское тестирование, владеет рамановским спектрометром Neaspec с улучшенным наконечником (TERS) с пространственным разрешением 10 нм и повышенной интенсивностью рамановского рассеяния.

Он более чем в 1000 раз мощнее и может измерять напряженность ближнего поля и достоверность битов третьего порядка или выше.

3.10 Оптический тест

Платформа для оптических испытаний оснащена лазерами с длиной волны 213, 266, 325, 532 и 633 нм и может использоваться для измерения материалов с различной длиной волны излучения. В спектрометре используется оборудование iHR550, разрешение достигает 0,33 нм, а диапазон длин волн охватывает ультрафиолетовую, видимую и инфракрасную части.

Оптический тест может измерять сыпучие материалы и образцы микронного размера. Спектроскопическое устройство платформы не является интегрированным и может свободно комбинировать компоненты с различными функциями для удовлетворения различных требований к испытаниям, таких как измерение оптической поляризации, спектроскопия давления, низкая температура и переменная мощность. Обеспечить спектральные испытания полупроводниковых тонкопленочных материалов и структур с временным разрешением. Регистрируя изменения спектра во времени, мы можем понять события и процессы, происходящие в мгновенном процессе, чтобы получить информацию, которую нельзя получить в стационарном спектре (интегральном спектре). Измерение времени жизни носителя излучения используется для получения соответствующей информации, такой как время жизни возбужденного состояния, вероятность перехода, сечение столкновения, скорость реакции и передача энергии.

powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу[email protected] и [email protected].

Поделиться этой записью