GaN HEMT эпитаксиальные вафельные

GaN HEMT Эпитаксиальная пластина

HEMTs из нитрида галлия (GaN) (транзисторы с высокой подвижностью электронов) являются следующим поколением технологии высокочастотных силовых транзисторов. Благодаря технологии GaN, PAM-XIAMEN теперь предлагает AlGaN / GaN HEMT Epi Wafer на сапфире или кремнии и AlGaN / GaN на сапфировом шаблоне. ,

  • Описание

Описание продукта

4.1 GaN HEMT Материал: Доступные размеры: 2 ”, 4”, 6 ”, 8”:

GaN на Si для питания, D-режиме

GaN на Si для силы, режим Е

GaN на Si для РФ

GaN на сапфире для власти

GaN на сапфире для РФ

GaN на SiC для РФ

GaN на GaN

4.2 Теперь мы покажем вам пример следующим образом:

2 ″ (50,8 мм) эпитаксиальные вафли GaN HEMT

Мы предлагаем 2 ″ (50,8 мм) GaN HEMT вафли, структура выглядит следующим образом:

Структура (сверху вниз):

* Нелегированный GaN колпачок (2 ~ 3nm)

AlxGa1-х ^ (18 ~ 40 нм)

AlN (буферный слой)

ун-легированных GaN (2 ~ 3 мкм)

сапфировой подложки

* Мы можем использовать Si3N для замены GaN сверху, адгезия сильная, он покрыт напылением или PECVD.

AlGaN / GaN HEMT Epi Вафля на сапфире / GaN

слой # Состав Толщина X добавка Концентрация носителей
5 GaN 2нм
4 AlxGa1-х ^ 8 нМ 0.26
3 AlN 1nm Un-легированный
2 GaN ≥1000 нм Un-легированный
1 Буфер / переходный слой
подложка кремний 350μm / 625μm

2 ″ (50.8 мм), 4 ″ (100 мм) AlGaN / GaN HEMT Epi Wafer на Si

1.1 Технические характеристики для нитрида алюминия-галлия (AlGaN) / нитрида галлия (GaN) Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на кремниевой подложке.

Требования Спецификация
AlGaN / GaN HEMT Эпи вафли на Si
Структура НЕМТ / GaN, AlGaN См 1.2
Материал подложки кремний
Ориентация <111>
метод роста Поплавок зоны
Проводимость Тип P или N
Размер (дюйм) 2” , 4”
Толщина (мкм) 625
задница Грубый
Удельное сопротивление (Ω см) >6000
Лук (мкм) ≤ ± 35

1.2.Работа: без трещин

слой # Состав Толщина X добавка Концентрация носителей
5 GaN 2нм
4 AlxGa1-х ^ 8 нМ 0.26
3 AlN 1nm Un-легированный
2 GaN ≥1000 нм Un-легированный
1 Буфер / переходный слой
подложка кремний 350μm / 625μm

1.3.Электрические свойства структуры AlGaN / GaN HEMT

2DEG Mobility (при 300 К): ≥1800 см2 / В

2DEG Плотность несущей (при 300 К): ≥0,9 × 1013 см-2

Среднеквадратичная шероховатость (AFM): ≤ 0,5 нм (площадь сканирования 5,0 мкм × 5,0 мкм)

2 ″ (50,8 мм) AlGaN / GaN на сапфире

Для спецификации AlGaN / GaN на сапфировом шаблоне, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж: sales@powerwaywafer.com.

Применение: Используется в синих лазерных диодах, ультрафиолетовых светодиодах (до 250 нм) и приборах AlGaN / GaN HEMTs.

Объяснение HEMT AlGaN / Al / GaN:

Нитридные HEMT интенсивно разрабатываются для мощной электроники в приложениях высокочастотного усиления и коммутации мощности. Часто высокая производительность в режиме постоянного тока теряется при переключении HEMT - например, при отключенном токе происходит сбой при импульсном сигнале затвора. Считается, что такие эффекты связаны с захватом заряда, который маскирует влияние затвора на протекание тока. Полевые пластины на электродах источника и затвора использовались для управления электрическим полем в устройстве, смягчая такие явления коллапса тока.

GaN EpitaxialTechnology - индивидуальная эпитаксия GaN на подложке из SiC, Si и сапфира для HEMT, светодиодов:

Связанные классификации:

algan / gan hemt, диаграмма диапазона algan / gan hemt, биосенсор на основе algan / gan hemt, диссертация на основе algan / gan hemt, надежность жидкостей на основе algan / gan hemt, надежность algan / gan hemt, hemt algan / gan с 300 ГГц, algan gan hemts обзор устройства, характеристики algan gan hemt, algan / gan hemts с задним барьером на основе ingan, aln / gan hemt, alg / aln / gan hemt, inaln / aln / gan hemt, пассивация aln gan hemt.

GAN HEMT EPITAXIAL WAFERS (GAN EPI-WAFERS)

4,3 GaN устройства:

GaN SBD

GaN HEMT

4.4 Тестирование характеристик оборудования:

Бесконтактный Сопротивление листа

Лазерная картография толщины тонкой пленки

Высокотемпературный / высокая влажность обратного смещения

Тепловой удар

DIC Nomarski микроскоп

Атомно-силовой микроскоп (АСМ)

Поверхностные Defectivity Scan

Высокий темп обратного смещения

4ППЫ Сопротивление листа

Бесконтактный Hall Mobility

Температура цикла

Дифракция рентгеновских лучей (XRD) / Отражение (XRR)

эллипсометре Толщина

профилометр

CV Tester

4.5 Литейное производство: мы также предлагаем литейное производство в следующем процессе:

МОС-гидридной эпитаксии

Металл Распыление / E-Beam

Dry / Wet металл / диэлектрик Etch

Тонкая пленка PECVD / LPCVD / Распыление

RTA / печи Отжиг

Фотолитография (0,35 мкм мин. CD)

ионная имплантация

GaN / SiC НЕМТ эпи-вафель

Алюминий-галлиевый арсенид эпи-вафель

Чип с GaN полевыми транзисторами 650 В для быстрой зарядки

Вам также может понравиться ...