GaN на GaN

PAM-XIAMEN предлагает GaN на пластине GaN, в которой используется однородная подложка. Основным рынком применения эпипластин GaN-on-GaN являются синие/зеленые лазеры, которые используются в лазерных дисплеях, лазерных накопителях, лазерном освещении и других областях.

1. Структура эпитаксии GaN на GaN.

Пункт 1:

Эпитаксиальный слой	Толщина
GaN Cap	3 нм
АлксГаН	20 нм
AIN	1nm
GaN	0,5 мкм
Буферный слой	3um
Подложка GaN

 

Пункт 2:2” и 4” GaN Sub (N+) PAM201111-GG

Слой No.	Состав	Толщина
1-й слой	N-GaN	10-15 мкм (Nd-1e15-5e16cm-3)
2-й слой	P-GaN	0,5-2 мкм (Na-1e17-1e19см-3)

 

Пункт 3:2” и 4” GaN Sub (N+) PAM201111-GG

Слой No.	Состав	Толщина
1-й слой	N-GaN	От 10 до 15 мкм (от Nd-1e15 до 5e16см-3)
2-й слой	P-GaN	0,2-1 мкм (Na-1e17-1e19см-3)
3-й слой	P-GaN	0,1 мкм (Н4-8е19см-3)

 

Пункт 4:2” и 4” GaN Sub (N+) PAM201111-GG

1-й слой: Н-Ган 10-15мк (Nd1e15-5e16cm-3)

2. О технологии GaN on GaN

GaN-на-GaN имеет лучшие характеристики рассеивания тепла, чем GaN-на-SiC HEMT, из-за более высокой теплопроводности эпитаксиального слоя GaN. АПодложка GaNПроцесс утонения может способствовать рассеиванию тепла в HEMT GaN-на-GaN.

Выращивание эпитаксиальных слоев на независимом GaN является эффективным способом снижения плотности дислокаций. Плотность дислокаций подложки составляет 106 см-2 или менее, так что по сравнению с подложкой GaN плотность дислокаций эпитаксиального слоя GaN на GaN снижается как минимум на два порядка.

3. Соответствующие отраслевые критерии эпитаксии GaN на GaN.

3.1 Характеристики материала GaN Epi на подложке GaN

* Эпитаксиальная пластина GaN-на-GaN SHeet рesistance Uединообразие

Распределение поверхностного сопротивления в эпитаксиальной пластине нитрида галлия обычно выражается как отношение разницы между максимальным и минимальным поверхностным сопротивлением и средним поверхностным сопротивлением.

*РостаточныйSзавивать локоныGaN-эпитаксии на основе GaN

Когда к объекту не прилагается внешняя сила, в объекте существует система напряжений, которая поддерживает собственный фазовый баланс.

3.2 Технические требования. Эпитаксиальный GaN, выращенный на тонкой пленке GaN.

Параметры геометрии GaN на эпитаксиальной пластине GaN должны соответствовать требованиям соответствующих стандартов на продукцию, а конкретные элементы показаны в следующей таблице:

Параметры		Технические требования
		Минимум	Номинальная стоимость	максимальная
Диаметр		-	O	-
деформироваться		-	-	O
Толщина	Тип П	O	-	O
	Активный слой	O	-	O
	Тип Н	O	-	O
Примечание: «-» означает, что соответствующее регулирование параметра отсутствует, «О» означает, что параметр предусмотрен.

 

Качество поверхности GaN epi на пленке GaN соответствует требованиям стандартов на продукцию, приведенным в следующей таблице:

Параметры	Технические требования
	Минимум	Номинальная стоимость	максимальная
Царапины	-	-	O
Точечный дефект	-	-	O
Поверхностные частицы	-	-	O
Шероховатость поверхности	-	-	O
Примечание: «-» означает, что соответствующее регулирование параметра отсутствует, «О» означает, что параметр предусмотрен.

 

Оптоэлектронные характеристики пластин GaN на подложке GaN должны соответствовать требованиям соответствующих стандартов на продукцию:

Категория	Параметры	Технические требования
		Минимум	максимальная
Светодиод	Прямое напряжение/В	O	O
	Обратное напряжение/В	O
	Направление тока/мкА	-	O
	Пиковая длина волны излучения/нм	O	O
	Спектральная полоса излучения/нм	-	O
	Доминирующая длина волны/нм	O	O
	Эффективность электрооптического преобразования/%	O	-
	Коэффициент сохранения оптической мощности/%	O	O
	Чувствительность к электростатическому разряду	O	-
Лазерный диод	Прямое напряжение/В	O	O
	Волна излучения/нм	O	O
	Выходная мощность/мВт	O	-
	Нестабильность выходной мощности/%	O	O
	Наклон/КПД наклона/%	O	O
	Степень поляризации/%	O	O
	Порог/мА	-	-
детектор	Прямое напряжение/В	O	O
	Доминирующая длина волны/нм	O	O
	Эффективность фотоэлектрического преобразования/%	O	-
	Отзывчивость/(А/Вт)	O	-
	Время отклика/с	-	O
	Темновой ток/А	-	O
Устройство микроволнового питания	Сопротивление тонкой пленки/Ом·1	-	O
	Мобильность/см2В-1с-1	O	-
	Концентрация носителя/см-3	O	O
	Ток утечки канала/мкА	-	O
	Ток утечки стока/мкА	-	O
Силовое электронное силовое устройство	Сопротивление тонкой пленки/Ом·1	-	O
	Мобильность/см2В-1с-1	O	-
	Концентрация носителя/см-3	O	O
	Ток утечки канала/мкА	-	O
	Ток утечки стока/мкА	-	O
Примечание. Фотоэлектрические параметры готовятся из эпитаксии пластины нитрида галлия на GaN в стандартный чип и измеряются в соответствии с методом испытаний чипа; «-» означает, что соответствующее регулирование параметра отсутствует, «О» означает, что параметр предусмотрен.

 

3.3 Стандартная испытательная среда для эпитаксиальной пластины GaN на GaN

Стандартная испытательная среда должна соответствовать требованиям соответствующих стандартов методов. В случае отсутствия регулирования должны быть выполнены следующие требования:

а) Температура: 23+/- 10град.;

б) Относительная влажность: 20%-80%;

в) Чистота: уровень Е8 (при необходимости);

г) Давление воздуха: 86-106 кПа;

д) отсутствие механической вибрации, электромагнитных и световых помех, влияющих на точность испытания;

е) Если не указано иное, все фотоэлектрические параметры GaN на эпитаксиальных пластинах GaN должны определяться в условиях теплового равновесия;

ж) Испытательная система должна быть хорошо заземлена.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу[email protected] и [email protected].