GaN-подложка

GaN-подложка

Что мы предлагаем:

Пункт нелегированный N- Si, легированный N + Полуизолирующих P+
Корпусная GaN-подложка да да да
GaN на сапфире да да да да
InGaN на сапфире да ***
AlN на сапфире да
Светодиодная пластина (p + GaN / MOW / N + GaN / N-AlGaN / N + GaN / N-GaN / сапфир)

Отдельно стоящая подложка GaN / GaN на сапфире / светодиодная пластина:

 

Технические характеристики отдельно стоящей подложки GaN / GaN на сапфире / светодиодной пластине см.Пластина из нитрида галлия:

http://www.qualitymaterial.net/products_7.html

 

InGaN на Sapphire:

 

Для спецификации InGaN на сапфировом шаблоне просьба просмотретьПодложка InGaN:

https://www.powerwaywafer.com/InGaN-Substrates.html

 

AlN на сапфире:

 

Для спецификации AlN на шаблоне из сапфира, пожалуйста, просмотритеПодложка AlN:

http://www.qualitymaterial.net/AlN-Substrate.html

 

AlGaN / GaN на сапфире

 

Для AlGaN / GaN на шаблоне из сапфира см.AlGaN / GaN:

https://www.powerwaywafer.com/GaN-HEMT-epitaxial-wafer.html

Постоянная решетки подложки GaN

Параметры решетки нитрида галлия были измерены с помощью дифракции рентгеновских лучей высокого разрешения.

GaN, структура вюрцита. Постоянные решетки a в зависимости от температуры.

GaN, структура вюрцита. Постоянные решетки c в зависимости от температуры

СвойстваGaN-подложка

СОБСТВЕННОСТЬ / МАТЕРИАЛ Кубический (бета) GaN Гексагональный (Альфа) GaN
. . .
Состав Цинковая обманка Вурцит
Космическая группа F bar4 3м C46v(= P63mc)
Стабильность Мета-стабильный Стабильный
Параметры решетки при 300K 0,450 нм а0 = 0,3189 нм
c0 = 0,5185 нм
Плотность при 300К 6,10 г. см-3 6.095 г. см-3
Модули упругости при 300 К , , , , , ,
Коэффициент линейного теплового расширения. , , , Вдоль a0: 5,59 × 10-6K-1
при 300 К Вдоль c0: 7,75 × 10-6K-1
Расчетные спонтанные поляризации Непригодный - 0,029 С м-2
Бернардини и др., 1997 г.
Бернардини и Фьорентини 1999
Расчетные пьезоэлектрические коэффициенты Непригодный e33 = + 0,73 См-2
e31 = - 0,49 См-2
Бернардини и др., 1997 г.
Бернардини и Фьорентини 1999
A1 (TO): 66,1 мэВ
E1 (TO): 69,6 мэВ
Фононные энергии ТО: 68,9 мэВ E2: 70,7 мэВ
LO: 91,8 мэВ A1 (LO): 91,2 мэВ
E1 (LO): 92,1 мэВ
Дебая Температура 600 КБ (оценка)
Слабость, 1973
, , , Единицы: Вт · см-1K-1
1.3,
Тэнсли и др., 1997b
2,2 ± 0,2
для толстого отдельно стоящего GaN
Vaudo et al, 2000
2,1 (0,5)
для материала LEO
где мало (много) дислокаций
Теплопроводность Флореску и др., 2000, 2001
около 300K
примерно от 1,7 до 1,0
для n = 1 × 1017до 4 × 1018см-3
в материале HVPE
Флореску, Мольнар и др., 2000 г.
2,3 ± 0,1
в материале HVPE, легированном Fe
ок. 2 х108 Ом-см,
и плотность дислокаций ок. 105см-2
(также приведены эффекты Т и плотности дислокаций).
Мион и др., 2006a, 2006b
Температура плавления , , , , , ,
Диэлектрическая постоянная , , , Вдоль a0: 10,4
на низкой / низкой частоте Вдоль c0: 9,5
Показатель преломления 2,9 при 3 эВ 2,67 при 3,38 эВ
Тэнсли и др., 1997b Тэнсли и др., 1997b
Природа энергетического разрыва, например непосредственный непосредственный
Энергетический разрыв, например, при 1237 К 2,73 эВ
Чинг-Хуа Су и др., 2002 г.
Энергетический зазор, например, при 293-1237 К 3,556 - 9,9 × 10-4T2 / (T + 600) эВ
Чинг-Хуа Су и др., 2002 г.
Энергетический разрыв, например, при 300 К 3,23 эВ 3,44 эВ
Рамирес-Флорес и др., 1994 Монемар 1974
. .
3,25 эВ 3,45 эВ
Логотетидис и др., 1994 Koide et al 1987
.
3,457 эВ
Чинг-Хуа Су и др., 2002 г.
Энергетический разрыв Например, при ок. 0 К 3,30 эВ 3,50 эВ
Рамирес-Флорес и др., 1994 Дингл и др., 1971 г.
Ploog et al 1995 Монемар 1974
Концентрация внутренней несущей. при 300 К , , , , , ,
Энергия ионизации. . . Донор , , , , , , , ,
Электронная эффективная масса меня*/ м0 , , , 0.22
Мур и др., 2002 г.
Подвижность электронов при 300 К , , , .
для n = 1 × 1017см-3: ок. 500 см2V-1s-1
для n = 1 × 1018см-3: ок. 240 см2V-1s-1
для n = 1 × 1019см-3: ок. 150 см2V-1s-1
Род & Гаскилл, 1995
Тэнсли и др., 1997a
Подвижность электронов при 77 К , , , , , , , ,
для n =. .
Энергия ионизации акцепторов , , , Mg: 160 мэВ
Амано и др., 1990
Mg: 171 мэВ
Золпер и др., 1995
Ca: 169 мэВ
Золпер и др., 1996 г.
Подвижность Холла при 300 K , , , , , , ,
для p =. . .
Подвижность Холла при 77 K , , , , , , ,
для p =. . .
. Кубический (бета) GaN Гексагональный (Альфа) GaN

Применение подложки GaN

Нитрид галлия (GaN) с прямой запрещенной зоной 3,4 эВ является многообещающим материалом для разработки коротковолновых светоизлучающих устройств. Другие области применения оптических устройств для GaN включают полупроводниковые лазеры и оптические детекторы.

Поделиться этой записью