GaN Templates

PAM-XIAMEN’s Template Products consist of crystalline layers of (gallium nitride)GaN templates, (aluminum nitride)AlN template,(aluminum gallium nitride) AlGaN templates and (indium gallium nitride) InGaN templates, which are deposited on sapphire
  • Description

Product Description

GaN Template (gallium nitride template)

PAM-XIAMEN’s GaN Template consists of crystalline layers of gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN) and indium gallium nitride (InGaN), which are epilayer on sapphire and electronic grade for fabrication as MOS-based devices. PAM-XIAMEN’s Gallium Nitride Template Products enable 20-50% shorter epitaxy cycle times and higher quality epitaxial device layers, with better structural quality and higher thermal conductivity,which can improve devices in the cost, yield, and performance.

2″(50.8mm) GaN шаблоны Epitaxy on Sapphire Substrates

Пункт PAM-2inch-GaNT-N PAM-2inch-GaNT-SI
Проводимость Тип N-типа Полуизолирующих
добавка Si doped or low doped Fe легированный
Размер 2 "(50 мм) диаметр.
Толщина 4um,20um,30um,50um,100um 30 мкм, 90um
Ориентация С-ось (0001) +/- 1 °
Удельное сопротивление (300K) <0.05Ω · см >1×106Ω·cm
Вывих Плотность <1x108cm-2
Субстрат Структура  GaN on Sapphire(0001)
Чистота поверхности Одной или двух сторон отполированный, эпи- готов
Полезная площадь ≥ 90%

2″ (50.8mm)GaN Templates Epitaxy on Sapphire Substrates

Пункт РАМ-GANT-П
Проводимость Тип Р-типа
добавка Mg, легированный
Размер 2 "(50 мм) диаметр.
Толщина 5um, 20um, 30 мкм, 50um, 100um
Ориентация С-ось (0001) +/- 1 °
Удельное сопротивление (300K) <1Ω · см или пользовательский
легирующей концентрации 1E17(cm-3)  or custom
Субстрат Структура  GaN on Sapphire(0001)
Чистота поверхности Одной или двух сторон отполированный, эпи- готов
Полезная площадь ≥ 90%

 3″(76.2mm)GaN Templates Epitaxy on Sapphire Substrates

Пункт PAM-3inch-GaNT-N
Проводимость Тип N-типа
добавка Si doped
Зона отчуждения: 5 мм от наружного диаметра
Thickness: 20um,30um
Dislocation density < 1x108cm-2
Сопротивление листа (300K): <0.05Ω · см
Субстрат:  sapphire
Orientation :  C-plane
Сапфир толщина: 430um
Полировка: Односторонний отполированный, эпи-готов, с атомными ступенями.
Задняя сторона покрытия: (custom)high quality Titanium coating, thickness > 0.4 μm
Упаковка: Individually packed under argon
Atmosphere vacuum sealed in class 100 clean room.

3″(76.2mm)GaN Templates Epitaxy on Sapphire Substrates

Пункт PAM-3inch-GaNT-SI
Проводимость Тип Полуизолирующих
добавка Fe Doped
Зона отчуждения: 5 мм от наружного диаметра
Thickness: 20um, 30 мкм, 90um (20um является лучшим)
Dislocation density < 1x108cm-2
Сопротивление листа (300K):  >106 ohm.cm
Субстрат:  sapphire
Orientation :  C-plane
Сапфир толщина: 430um
Полировка: Односторонний отполированный, эпи-готов, с атомными ступенями.
Задняя сторона покрытия: (custom)high quality Titanium coating, thickness > 0.4 μm
Упаковка: Individually packed under argon Atmosphere vacuum sealed in class 100 clean room.

4″(100mm)GaN Templates Epitaxial on Sapphire Substrates

Пункт PAM-4inch-GaNT-N
Проводимость Тип N-типа
добавка  low doped
Thickness: 4um
Dislocation density < 1x108cm-2
Сопротивление листа (300K): <0.05Ω · см
Субстрат:  sapphire
Orientation :  C-plane
Сапфир толщина:
Полировка: Односторонний отполированный, эпи-готов, с атомными ступенями.
Упаковка: Individually packed under argon Atmosphere
vacuum sealed in class 100 clean room.

2″ (50.8mm)AlGaN, InGaN, AlN Epitaxy on Sapphire Templates: custom
2”(50.8mm)AlN Epitaxy on Sapphire Templates

Пункт PAM-AlNT-SI
Проводимость Тип semi-insulating
Диаметр Ф 50,8 ± 1 мм
Thickness: 1000 нм +/- 10%
Субстрат:  sapphire
Orientation : С-ось (0001) +/- 1 °
Ориентация Flat Самолет
ДРЛА полувысот (0002) <200 угл.сек.
Общая площадь поверхности ≥90%
 Polishing: Ни один

2”(50.8mm)InGaN Epitaxy on Sapphire Templates

Пункт PAM-INGAN
Conduction Type
Диаметр Ф 50.8mm ± 1mm
Thickness: 100-200nm, custom
Субстрат:  sapphire
Orientation : C-axis(0001)+/-1O
добавка In
Dislocation Density ~ 108 cm-2
Useable Surface Area ≥90%
Surface Finish Single or Double Side Polished,epi-ready

2”(50.8mm)AlGaN Epitaxy on Sapphire Templates

Пункт PAM-AlNT-SI
Проводимость Тип semi-insulating
Диаметр Ф 50,8 ± 1 мм
Thickness: 1000 нм +/- 10%
Субстрат:  sapphire
Orientation : С-плоскости
Ориентация Flat Самолет
ДРЛА полувысот (0002) <200 угл.сек.
Общая площадь поверхности ≥90%
 Polishing: Ни один

GaN Template on Sapphire& Silicon

2″(50.8mm)GaN on 4H or 6H SiC substrate

1)Undoped GaN buffer or AlN buffer are available;
2)n-type(Si doped or low doped), p-type or semi-insulating GaN epitaxial layers available;
3)vertical conductive structures on n-type SiC;
4)AlGaN – 20-60nm thick, (20%-30%Al), Si doped buffer;
5)GaN n-type layer on 330µm+/-25um thick 2” wafer.
6) Single or double side polished, epi-ready, Ra<0.5um
7)Typical value on XRD:
Wafer ID Substrate ID XRD(102) XRD(002) Толщина
#2153 X-70105033 (with AlN) 298 167 679um
         
 Single or double side polished, epi-ready, Ra<0.5um

GaN on SiC Substrate

6″ (150mm)n-GaN on double-side polished flat sapphire

Target remark  
Substrate diameter 150 mm +/- 0.15 mm
Substrate thickness 1300 um or 1000um +/- 25 um
c-plane (0001), offcut angle towards m-plane 0.2 deg +/- 0.1 deg
Single primary flat length 47.5 mm +/- 1 mm
Flat orientation a-plane +/- 0.2 deg
Si-doped n-GaN thickness 4 um +/- 5%
Si concentration in n-GaN 5e18 cm-3 yes
u-GaN thickness 1 um no this layer
XRD rocking curve (002) < 250 arcsec <300 arcsec
XRD rocking curve (102) < 250 arcsec <350 arcsec
Dislocation density < 5e8 cm-2 yes
Front side surface, AFM (5×5 um2) Ra < 0.5 nm, Epi-ready yes
Back side surfac\e 0.6 – 1.2 um, fine ground yes
Wafer bowing < 100 um no this data
n-GaN resistivity (300K) < 0.01 ohm-cm2 yes
Total thickness variation < 25 um <10um
Defect density Macro defects (>100 um):< 1/wafer  Micro defects (1-100 um):< 1/cm2 Macro defects (>100 um):< 10/wafer Micro defects (1-100 um):< 10/cm2
Laser marking on the backside of the wafer flat yes
Package packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25 pcs or single wafer containers, under nitrogen atmosphere, double sealed yes
Edge exclusion < 3 mm yes
Useable surface area > 90% yes

Hydride Vapour Phase Epitaxy (HVPE) process

GaN template on sapphire is grown by HVPE process and technology for the production of compound semiconductors such as GaN, AlN, and AlGaN. GaN templates are used in a wide applications: nanowire growth, solid state lighting, short wavelength optoelectronics and RF power device.

In the HVPE process, Group III nitrides (such as GaN, AlN) are formed by reacting hot gaseous metal chlorides (such as GaCl or AlCl) with ammonia gas (NH3). The metal chlorides are generated by passing hot HCl gas over the hot Group III metals. All reactions are done in a temperature controlled quartz furnace.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

We will offer test reports, please see below an example:

AlGaN template structure report

FWHM and XRD report

More products:

GaN Thin Film on Sapphire (Al2O3) Template

Монокристаллическая подложка AlN и шаблон на сапфире/кремнии

AlScN Template

Вам также может понравиться…