Тонкая пленка GaN на сапфире (Al2O3) Шаблон

Тонкая пленка GaN на сапфире (Al2O3) Шаблон

эпитаксиальный Шаблон GaN выращены на подложке из Al2O3 (сапфир), и доступны настраиваемые стопки с высоким качеством и низкой плотностью дефектов. Прилагается список нескольких типов тонких пленок GaN на сапфировых подложках с различной толщиной, типами подложек и покрывающими слоями, которые мы изготовили:

Тонкая пленка GaN

1. Характеристики эпитаксии тонких пленок GaN PAM160107-GAN

Эпитаксиальный GaN №1 на сапфировой подложке

Слой Материал Толщина Легирование
2 GaN 5 мкм п- < 1016см-3
1 Буфер C-GaN, легированный 1-2 мкм 5Э18-1Э19
  сапфировой подложки

Примечание: допуск по толщине составляет 4 мкм +/-1 мкм, а концентрация носителя должна быть <3E17 (не концентрация легирования, поскольку она не легирована). Если вы хотите, чтобы концентрация носителя <1016, мы можем это сделать, но нам нужно наладить производство, что приведет к удорожанию.

№2 Эпитаксиальный GaN на подложке Al2O3

Слой Материал Толщина Легирование
2 GaN 10 мкм п- < 1017см-3
1 Буфер U-GaN 1-2 мкм
  сапфировой подложки

Примечание: Обычная концентрация носителя должна быть (5-8) E16 (не легирующая концентрация). И мы не можем изменить концентрацию носителей.

Эпислои GaN №3 на сапфире

Слой Материал Толщина Легирование
4 GaN 0,25 мкм р+ 1019см-3мг
3 GaN 5 мкм п- < 1016см-3
2 GaN 1 мкм Н+ 1019см-3
1 Буфер U-GaN 1-2 мкм
  сапфировой подложки

 

№4 Монокристалл GaN на сапфире

Слой Материал Толщина Легирование
3 GaN 5,25 мкм п- < 1016см-3
2 GaN 1 мкм Н+ 1019см-3
1 Буфер U-GaN 1-2 мкм
  сапфировой подложки

 

Тонкая пленка GaN № 5 на сапфире

Слой Материал Толщина Легирование
4 AlN 100 Å UID
3 GaN 5,25 мкм п- < 1016см-3
2 GaN 1 мкм Н+ 1019см-3
1 Буфер U-GaN 1-2 мкм
  сапфировой подложки    

 

Шаблон GaN на основе сапфира № 6

Слой Материал Толщина Легирование
3 AlN 100 Å UID
2 GaN 0,250 мкм п- < 1016см-3
1 Буфер C-GaN, легированный 1-2 мкм 5Э18-1Э19
  сапфировой подложки

Примечание: Для шаблонных пластин GaN от № 3 до № 6 мы можем достичь плотности носителей <10E16 см-3 в определенных различных слоях.

No.7 Тонкие пленки нитрида галлия, выращенные на сапфировой подложке

Слой Материал Толщина Легирование
4 GaN 0,25 мкм р+ 1019см-3мг
3 GaN 10 мкм п- < 1016см-3
2 GaN 1 мкм Н+ 1019см-3
1 Буфер U-GaN 1-2 мкм
  сапфировой подложки

 

2. Буферный слой для роста пленки GaN на Al2O3

Потребуется ли для всех эпитаксиальных пластин GaN буферный слой толщиной 1–2 мкм? Например, пластина № 6: колпачок из AlN 100 А и GaN 0,25 мкм, она будет установлена ​​непосредственно поверх буферного слоя 1-2 мкм? Для всех пластин GaN/сапфира потребуется 1 буферный слой 1-2 мкм, точный должен быть № 6: 100A крышка AlN/0,25 мкм GaN/буферный слой-GaN/сапфир. Буферные слои необходимы для всех этих тонкопленочных подложек GaN из-за проблем несоответствия решеток между GaN и сапфировой подложкой.

3. Метод активационного отжига для роста пленки GaN

Возьмем, к примеру, активационный отжиг для тонкой пленки GaN p-типа: Активационный отжиг после роста не будет работать для GaN p-типа, вы можете отжигать 10 минут при 830 градусах через RTA до активного состояния. И концентрация легирования Mg составляет 2E19cm3. Концентрация носителя будет 4,4E17 после активации. Конкретно:

Для окружающей среды RTA для активации Mg выращенная тонкая пленка GaN отжигается в газовой смеси N2 / O2 высокой чистоты, а активация соотношения потоков N2: O2 составляет 4: 1, общий объем 5 л (стандартные литры в минуту). Температура отжига 830 градусов, а время 10 минут. Этот процесс выполняется в печи для отжига с быстрым нагревом, а не в печи для отжига трубчатого типа.

Концентрацию свободных носителей в монокристаллической пленке GaN после активации можно измерить с помощью эффекта Холла, разрезав 5*5 мм металлическими контактами.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу [email protected] и [email protected].

Поделиться этой записью