GaN HEMT эпитаксиальные вафельные

GaN HEMT эпитаксиальные вафельные

Gallium Nitride (GaN) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) are the next generation of RF power transistor technology. Thanks to GaN technology, PAM-XIAMEN now offer AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire or Silicon, and AlGaN/GaN on sapphire template.

  • Описание

Описание продукта

GaN HEMT epitaxial wafer is a multilayer film grown epitaxially on a substrate, which usually includes a nucleation layer, a transition layer, a buffer layer, a channel layer, a barrier layer, a cap layer, and a passivation layer from bottom to top. The nucleation layer, like AlGaN or AlN, is used to prevent the substrate material from diffusing into the GaN epitaxial layer. The transition layer may contain hierarchical AlGaN, AlN/GaN superlattice or multilayer AlN to balance the stress between the GaN and the substrate. The higher the Al content in the barrier layer of AlGaN, the higher the 2DEG concentration at the heterojunction. Meanwhile, the lower the threshold voltage of the device, and the higher the current capacity. As the Al ratio increasing, the degree of heterogeneous crystal lattice mismatch will be higher, resulting in a decrease in gallium nitride HEMT electron mobility and a decrease in current capacity.

The High Electron Mobility Transistor (HEMT) is developed based on GaN with unique heterostructure and two-dimensional electron gas. The GaN HEMT advantages include high breakdown strength, low on-resistance and faster The switching speed, which is very suitable for medium and low voltage and medium and small power systems, such as travel adapters, wireless chargers, AC-DC converters, smart home appliances, etc. The epitaxial wafer with HEMT structure is more attractive currently for high-frequency converters, in which GaN HEMT breakdown voltage is 600~650 V. With the rapid development of gallium nitride HEMT epi technology, the price of GaN HEMT devices will be competitive, which can gain large GaN HEMT market for GaN HEMT manufacturers. Moreover, due to the gallium nitride HEMT reliability, it can be widely used in industrial fields, such as photovoltaic inverters, energy storage systems, and electric vehicles.

1. GaN HEMT Material: Available size:2”,4”,6”,8”:

More specific parameters of gallium nitride HEMT wafer for D-mode GaN HEMTs, E-mode GaN HEMTs, GaN HEMT power amplifier and RF, please refer to:

GaN на Si для питания, D-режиме

GaN на Si для силы, режим Е

GaN на Si для РФ

GaN на сапфире для власти

GaN на сапфире для РФ

GaN на SiC для РФ

GaN на GaN

2. Now we show you an example as follows:

2.1  2 "(50,8) GaN HEMT эпитаксиальных Вафли

We offer 2″(50.8mm) gallium nitride HEMT Wafers, the GaN HEMT structure is as follows:

Структура (сверху вниз):

* Нелегированный GaN колпачок (2 ~ 3nm)

AlxGa1-х ^ (18 ~ 40 нм)

AlN (буферный слой)

ун-легированных GaN (2 ~ 3 мкм)

сапфировой подложки

* Мы можем использовать Si3N, чтобы заменить GaN на вершине, адгезия является сильной, она покрыта напылением или PECVD.

2.2 AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire/GaN

слой # Состав Толщина X добавка Концентрация носителей
5 GaN 2нм
4 AlxGa1–xN 8 нМ 0.26
3 AlN 1nm Un-легированный
2 GaN ≥1000 нм Un-легированный
1 Буфер / переходный слой
подложка кремний 350μm / 625μm

2.3  2″(50.8mm),4″ (100mm)AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on Si

2.3.1 Specifications for Aluminium Gallium Nitride (AlGaN) / Gallium Nitride (GaN) С высокой подвижностью электронов Транзистор (HEMT) на кремниевой подложке.

Требования Спецификация
AlGaN / GaN HEMT Эпи вафли на Si  
Структура НЕМТ / GaN, AlGaN См 1.2
Материал подложки кремний
Ориентация <111>
метод роста Поплавок зоны
Проводимость Тип P или N
Размер (дюйм) 2” , 4”
Толщина (мкм) 625
задница Грубый
Удельное сопротивление (Ω см) >6000
Лук (мкм) ≤ ± 35

2.3.2 Epi structure: Crack-free Epilayers

слой # Состав Толщина X добавка Концентрация носителей
5 GaN 2нм
4 AlxGa1–xN 8 нМ 0.26
3 AlN 1nm Un-легированный
2 GaN ≥1000 нм Un-легированный
1 Буфер / переходный слой
подложка кремний 350μm / 625μm

2.3.3 Electrical Properties of the AlGaN/GaN HEMT structure

2DEG Мобильность (при 300 К): ≥1,800 см2 /

2DEG кэриера Плотность (при 300 К): ≥0.9 × 1013 см-2

СКО Шероховатость (АФМ): ≤ 0,5 нм (5,0 мкм × 5,0 мкм) Область сканирования

2.4  2″(50.8mm)AlGaN/GaN on sapphire

Для уточнения AlGaN / GaN на сапфировой шаблон, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж: [email protected]

GaN HEMT Applications: Used in blue laser diodes, ultraviolet LEDs (down to 250 nm), and AlGaN/GaN HEMTs device.

3. Explanation of AlGaN/Al/GaN HEMTs:

Нитридные HEMTs интенсивно развиваются для мощных электроник в амплификации и коммутации мощности приложений высокочастотных. Часто высокая производительность при работе постоянного тока теряется, когда НЕМТ включен - например, на ток падает, когда сигнал затвора в импульсном режиме. Считаются, что такие эффекты связаны с взимает отлов, маскирующий эффект от ворота на токах. Полевая-пластина на электродах затвора источника и была использована для манипулирования электрического поля в устройстве, смягчение таких текущего коллапса явлений.

4. GaN EpitaxialTechnology — Customized GaN epitaxy on SiC,Si and Sapphire substrate for HEMTs, LEDs:

ГАН НЕМТ эпитаксиальных пластин (ГАН ЭПИ-ВАФЛИ)

PAM XIAMEN Offers Epitaxial growth of AlGaN/GaN based HEMT on Si wafers

5. GaN Device:

GaN SBD

GaN HEMT

6. Test Characterization Equipment:

Бесконтактный Сопротивление листа

Mapping Laser Thin Film Толщина

Высокая температура / Высокая влажность обратного смещения

Тепловой удар

DIC Nomarski микроскоп

Атомно-силовой микроскоп (АСМ)

Поверхностные Defectivity Scan

Высокий темп обратного смещения

4ППЫ Сопротивление листа

Бесконтактный Hall Mobility

Температура цикла

Дифракция рентгеновских лучей (ДРЛ) / Отражательная (XRR)

эллипсометре Толщина

профилометр

CV Tester

7. Foundry Fabrication:

we also offer foundry GaN HEMT fabrication in the following process as follows:

МОС-гидридной эпитаксии

Металл Распыление / E-Beam

Dry / Wet металл / диэлектрик Etch

Тонкопленочные ПХО / LPCVD / Распыление

RTA / печи Отжиг

Фотолитографии (0.35um мин. CD)

ионная имплантация

GaN/SiC HEMT epi-wafers

Aluminium gallium arsenide epi wafer

650V GaN FETs Chip for Fast Charge

Вам также может понравиться ...