GaN HEMT эпитаксиальные вафельные

Описание продукта

GaN HEMT epitaxial wafer is a multilayer film grown epitaxially on a substrate, which usually includes a nucleation layer, a transition layer, a buffer layer, a channel layer, a barrier layer, a cap layer, and a passivation layer from bottom to top. The nucleation layer, like AlGaN or AlN, is used to prevent the substrate material from diffusing into the GaN epitaxial layer. The transition layer may contain hierarchical AlGaN, AlN/GaN superlattice or multilayer AlN to balance the stress between the GaN and the substrate. The higher the Al content in the barrier layer of AlGaN, the higher the 2DEG concentration at the heterojunction. Meanwhile, the lower the threshold voltage of the device, and the higher the current capacity. As the Al ratio increasing, the degree of heterogeneous crystal lattice mismatch will be higher, resulting in a decrease in gallium nitride HEMT electron mobility and a decrease in current capacity.

The High Electron Mobility Transistor (HEMT) is developed based on GaN with unique heterostructure and two-dimensional electron gas. The GaN HEMT advantages include high breakdown strength, low on-resistance and faster The switching speed, which is very suitable for medium and low voltage and medium and small power systems, such as travel adapters, wireless chargers, AC-DC converters, smart home appliances, etc. The epitaxial wafer with HEMT structure is more attractive currently for high-frequency converters, in which GaN HEMT breakdown voltage is 600~650 V. With the rapid development of gallium nitride HEMT epi technology, the price of GaN HEMT devices will be competitive, which can gain large GaN HEMT market for GaN HEMT manufacturers. Moreover, due to the gallium nitride HEMT reliability, it can be widely used in industrial fields, such as photovoltaic inverters, energy storage systems, and electric vehicles.

1. GaN HEMT Material: Available size:2”,4”,6”,8”:

More specific parameters of gallium nitride HEMT wafer for D-mode GaN HEMTs, E-mode GaN HEMTs, GaN HEMT power amplifier and RF, please refer to:

GaN на Si для питания, D-режиме

GaN на Si для силы, режим Е

GaN на Si для РФ

GaN на сапфире для власти

GaN на сапфире для РФ

GaN на SiC для РФ

GaN на GaN

Мы являемся экспертами в области HEMT-структур, мы также в течение многих лет предлагаем эпи-подложки GaN HEMT.
Что касается кремниевой подложки, нам нужно знать, выращиваете ли вы GaN HEMT на кремнии для POWER или RF, это разные вещи. При необходимости обращайтесьvictorchan@powerwaywafer.comдля получения подробной информации.
Для SiC следует использовать полуизолирующий материал.
Или вы можете купить у нас структуру AlGaN/GaN HEMT на этих трех структурах.

2. Теперь мы покажем вам следующий пример:

2.1 2 "(50,8) GaN HEMT эпитаксиальных Вафли

Мы предлагаем 2-дюймовые (50,8 мм) пластины HEMT из нитрида галлия, структура HEMT GaN следующая:

Структура (сверху вниз):

* Нелегированный GaN колпачок (2 ~ 3nm)

AlxGa1-х ^ (18 ~ 40 нм)

AlN (буферный слой)

ун-легированных GaN (2 ~ 3 мкм)

сапфировой подложки

* Мы можем использовать Si3N, чтобы заменить GaN на вершине, адгезия является сильной, она покрыта напылением или PECVD.

2.2 AlGaN/GaN HEMT Epi Пластина на сапфире/GaN

2,3 2 дюйма (50,8 мм), 4 дюйма (100 мм) AlGaN/GaN HEMT Epi пластина на Si

2.3.1 Технические характеристики нитрида алюминия-галлия (AlGaN) / нитрида галлия (GaN) С высокой подвижностью электронов Транзистор (HEMT) на кремниевой подложке.

2.3.2 Структура Epi: Эпислои без трещин

2.3.3 Электрические свойства HEMT-структуры AlGaN/GaN

2DEG Мобильность (при 300 К): ≥1,800 см2 /

2DEG кэриера Плотность (при 300 К): ≥0.9 × 1013 см-2

СКО Шероховатость (АФМ): ≤ 0,5 нм (5,0 мкм × 5,0 мкм) Область сканирования

2,4 2″ (50,8 мм) AlGaN/GaN на сапфире

Для уточнения AlGaN / GaN на сапфировой шаблон, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж: sales@powerwaywafer.com.

Применение GaN HEMT:Используется в синих лазерных диодах, ультрафиолетовых светодиодах (до 250 нм) и устройствах HEMT AlGaN/GaN.

3. Объяснение HEMT AlGaN/Al/GaN:

Нитридные HEMTs интенсивно развиваются для мощных электроник в амплификации и коммутации мощности приложений высокочастотных. Часто высокая производительность при работе постоянного тока теряется, когда НЕМТ включен - например, на ток падает, когда сигнал затвора в импульсном режиме. Считаются, что такие эффекты связаны с взимает отлов, маскирующий эффект от ворота на токах. Полевая-пластина на электродах затвора источника и была использована для манипулирования электрического поля в устройстве, смягчение таких текущего коллапса явлений.

4. Эпитаксиальная технология GaN — индивидуальная эпитаксия GaN на подложках SiC, Si и сапфира для HEMT, светодиодов:

ГАН НЕМТ эпитаксиальных пластин (ГАН ЭПИ-ВАФЛИ)

PAM XIAMEN предлагает эпитаксиальное выращивание HEMT на основе AlGaN/GaN на пластинах Si

5. Устройство GaN:

GaN SBD

GaN HEMT

6. Оборудование для определения характеристик испытаний:

Бесконтактный Сопротивление листа

Mapping Laser Thin Film Толщина

Высокая температура / Высокая влажность обратного смещения

Тепловой удар

DIC Nomarski микроскоп

Атомно-силовой микроскоп (АСМ)

Поверхностные Defectivity Scan

Высокий темп обратного смещения

4ППЫ Сопротивление листа

Бесконтактный Hall Mobility

Температура цикла

Дифракция рентгеновских лучей (ДРЛ) / Отражательная (XRR)

эллипсометре Толщина

профилометр

CV Tester

7. Foundry Fabrication:

we also offer foundry GaN HEMTfabrication in the following process as follows:

МОС-гидридной эпитаксии

Металл Распыление / E-Beam

Dry / Wet металл / диэлектрик Etch

Тонкопленочные ПХО / LPCVD / Распыление

RTA / печи Отжиг

Фотолитографии (0.35um мин. CD)

ионная имплантация

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

More fabrication services, please visit: GaN Fabrication Services for HEMT Devices

GaN/SiC HEMT epi-wafers

Aluminium gallium arsenide epi wafer

650V GaN FETs Chip for Fast Charge

GaN MOSFET Structure:

GaN MOSFET Structure on SiC Substrate

More about GaN HEMT structures, please read:

What Affects 2DEG of AlGaN/GaN HEMT Wafer?