GaN Templates
- Description
Описание
GaN шаблон (нитрид галлия шаблон)
Шаблон GAN Pam-Xiamen состоит из кристаллических слоев нитрида галлия (GAN), нитрида алюминия (ALN), алюминиевого нитрида галлия (Algan) и нитрида индий-галлия (Ingan), которые являются эпилайере на сапфире и электронном сортировке для производства в качестве оборудования на основе MOS. Продукты нитрида галлия Pam-Xiamen обеспечивают на 20-50% более короткие времена цикла эпитаксии и более качественные эпитаксиальные слои устройств, с лучшим качеством конструкции и более высокой теплопроводности, которые могут улучшить устройства в стоимости, урожайности и производительности.
2″(50,8 мм)Шаблоны GaNЭпитаксия на сапфировых субстратах
| Пункт | PAM-2inch-GaNT-N | PAM-2inch-GaNT-SI |
| Тип проводимости | N-типа | Полуизолирующий |
| добавка | Легированный Si или низколегированный | Fe легированный |
| Размер | 2″(50мм) диам. | |
| Толщина | 4ум, 20ум, 30ум, 50ум, 100ум | 30 мкм, 90um |
| Ориентация | Ось C(0001)+/-1° | |
| Сопротивление (300K) | <0.05Ω · см | > 1 × 106Ω · см |
| Плотность дислокации | <1x108cm-2 | |
| Структура субстрата | GaN на сапфире (0001) | |
| Чистота поверхности | Один или двойная сторона отполирован, эпос | |
| Полезная площадь | ≥ 90% | |
2 ″ (50,8 мм) шаблоны GAN Epitaxy на сапфировых субстратах
| Пункт | РАМ-GANT-П | |
| Тип проводимости | Р-типа | |
| добавка | Mg, легированный | |
| Размер | 2″(50мм) диам. | |
| Толщина | 5ум, 20ум, 30ум, 50ум, 100ум | |
| Ориентация | Ось C(0001)+/-1° | |
| Сопротивление (300K) | <1 Ом·см или по индивидуальному заказу | |
| Концентрация легирующей примеси | 1E17(см-3) или на заказ | |
| Структура субстрата | GaN на сапфире (0001) | |
| Чистота поверхности | Один или двойная сторона отполирован, эпос | |
| Полезная площадь | ≥ 90% | |
3 ″ (76,2 мм) шаблоны GAN Epitaxy на сапфировых субстратах
| Пункт | PAM-3inch-GaNT-N |
| Тип проводимости | N-типа |
| добавка | легированный кремнием |
| Зона отчуждения: | 5 мм от внешнего диаметра |
| Толщина: | 20um, 30 мкм |
| Плотность дислокаций | < 1x108см-2 |
| Листовое сопротивление (300K): | <0.05Ω · см |
| Субстрат: | сапфир |
| Ориентация: | С-плоскости |
| Толщина сапфира: | 430um |
| Полировка: | Однобокополированная, эпосья, с атомными ступенями. |
| Покрытие задней стороны: | (обычай) высококачественное титановое покрытие, толщина> 0,4 мкм |
| Упаковка: | Индивидуально упакован под аргоном |
| Атмосфера вакуум запечатана в чистой комнате класса 100. |
3 ″ (76,2 мм) шаблоны GAN Epitaxy на сапфировых субстратах
| Пункт | PAM-3inch-GaNT-SI |
| Тип проводимости | Полуизолирующий |
| добавка | Fe, легированный |
| Зона отчуждения: | 5 мм от внешнего диаметра |
| Толщина: | 20 мм, 30 мкм, 90ум (20 мкм - лучшая) |
| Плотность дислокаций | < 1x108см-2 |
| Листовое сопротивление (300K): | >106 Ом.см |
| Субстрат: | сапфир |
| Ориентация: | С-плоскости |
| Толщина сапфира: | 430um |
| Полировка: | Однобокополированная, эпосья, с атомными ступенями. |
| Покрытие задней стороны: | (обычай) высококачественное титановое покрытие, толщина> 0,4 мкм |
| Упаковка: | Индивидуально упаковано в Argon Atmosphere Vacuum, запечатанное в чистой комнате класса 100. |
4 ″ (100 мм) шаблоны GAN Эпитаксиальные на сапфировых субстратах
| Пункт | PAM-4inch-GaNT-N |
| Тип проводимости | N-типа |
| добавка | низколегированный |
| Толщина: | 4um |
| Плотность дислокаций | < 1x108см-2 |
| Листовое сопротивление (300K): | <0.05Ω · см |
| Субстрат: | сапфир |
| Ориентация: | С-плоскости |
| Толщина сапфира: | - |
| Полировка: | Однобокополированная, эпосья, с атомными ступенями. |
| Упаковка: | Индивидуально упакован в атмосферу аргона |
| Вакуум запечатан в чистой комнате класса 100. |
2 ″ (50,8 мм) Algan, Ingan, Aln Epitaxy на шаблонах сапфира: пользовательский
2”(50.8mm)AlN Epitaxy on Sapphire Templates
| Пункт | ПАМ-АлНТ-СИ |
| Тип проводимости | полуизолирующий |
| Диаметр | Ф 50,8 мм ± 1 мм |
| Толщина: | 1000нм+/- 10% |
| Субстрат: | сапфир |
| Ориентация: | Ось C(0001)+/-1° |
| Ориентация Квартира | Самолет |
| XRD FWHM (0002) | <200 угловых секунд. |
| Полезная площадь поверхности | ≥90% |
| Полировка: | Ни один |
2” (50,8)Engan Epitaxy на шаблонах сапфира
| Пункт | PAM-InGaN |
| Тип проводимости | - |
| Диаметр | Ф 50,8 мм ± 1 мм |
| Толщина: | 100-200нм, на заказ |
| Субстрат: | сапфир |
| Ориентация: | Ось C(0001)+/-1O |
| добавка | В |
| Плотность дислокации | ~ 108 см-2 |
| Полезная площадь поверхности | ≥90% |
| Чистота поверхности | Один или двойная сторона отполирован, эпос |
2 ”(50,8 мм) Эпитаксия Алгана на шаблонах сапфира
| Пункт | ПАМ-АлНТ-СИ |
| Тип проводимости | полуизолирующий |
| Диаметр | Ф 50,8 мм ± 1 мм |
| Толщина: | 1000нм+/- 10% |
| Субстрат: | сапфир |
| Ориентация: | С-плоскости |
| Ориентация Квартира | Самолет |
| XRD FWHM (0002) | <200 угловых секунд. |
| Полезная площадь поверхности | ≥90% |
| Полировка: | Ни один |
Шаблон GAN на сапфире и кремнии
2 ″ (50,8 мм) GAN на подложке 4H или 6H SIC
| 1) доступны нерешинный буфер Gan или Aln Buffer; | ||||
| 2) N-тип (легированный или низкий легированный), P-тип или полуинтукационные эпитаксиальные слои GAN; | ||||
| 3) вертикальные проводящие структуры на N-типе SIC; | ||||
| 4) Algan-толщиной 20-60 нм, (20%-30%Al), легированный буфер Si; | ||||
| 5) слой ган N-типа на 330 мкм +/- 25 мкл 2 ”пластина. | ||||
| 6) Одиночная или двойная отполированная, эпосья, RA <0,5 ч. | ||||
| 7) Типичное значение XRD: | ||||
| вафли ID | Идентификатор подложки | ДРЛ (102) | ДРЛ (002) | Толщина |
| #2153 | X-70105033 (с AlN) | 298 | 167 | 679um |
| Одиночная или двойная отполированная, эпосья, RA <0,5 ч. | ||||
6″ (150 мм)n-GaN надвусторонняя полировкаплоский сапфир
| Цель | замечание | |
| Диаметр подложки | 150 мм | +/- 0,15 мм |
| Толщина подложки | 1300 мкм или 1000 мкм | +/- 25 мкм |
| C-плоскость (0001), угол перекота в направлении M-плоскости | 0,2 град | +/- 0,1 град |
| Одинарная основная плоская длина | 47,5 мм | +/- 1 мм |
| Плоская ориентация | самолет | +/- 0,2 град |
| Толщина легированного Si n-GaN | 4 мкм | +/- 5% |
| Концентрация Si в n-GaN | 5e18 см-3 | да |
| толщина u-GaN | 1 мкм | нет этого слоя |
| Кривая качания XRD (002) | < 250 угловых секунд | <300 угловых секунд |
| Кривая качания XRD (102) | < 250 угловых секунд | <350 угловых секунд |
| Плотность дислокаций | < 5e8 см-2 | да |
| Передняя сторона поверхности, афм (5 × 5 мм2) ra | < 0,5 нм, Epi-ready | да |
| Поверхность задней стороны | 0,6–1,2 мкм, мелкий помол | да |
| Вафельный поклон | <100 мкм | нет этих данных |
| Удельное сопротивление n-GaN (300K) | < 0,01 Ом-см2 | да |
| Общее изменение толщины | <25 мкм | <10um |
| Плотность дефектов | Макросменные дефекты (> 100 мкм): <1/Микро-дефекты пластины (1-100 мкм): <1/см2 | Макросменные дефекты (> 100 мкм): <10/пластины Микро-дефекты (1-100 мкм): <10/см2 |
| Лазерная маркировка | На задней стороне пластины | да |
| Пакет | упакован в среду чистой комнаты класса 100, в кассет из 25 шт. | да |
| Исключение края | <3 мм | да |
| Полезная площадь поверхности | > 90% | да |
Фаза пары гидридов (HVPE) процесс
Шаблон GaN на сапфирерядовойпо процессу и технологии HVPE для производства составных полупроводников, таких как Gan, Aln и Algan.Шаблоны GaN используются в широких приложениях: рост нанопроволоков, твердотельное освещение, оптоэлектроника короткой длины волны и питания RF.
В процессе HVPE нитриды группы III (такие как GAN, ALN) образуются путем реагирования хлоридов горячих газообразных металлов (таких как GACL или ALCL) с помощью аммиачного газа (NH3). Металлические хлориды генерируются путем прохождения горячего газа HCl по металлам Hot Group III. Все реакции выполняются в кварцевой печи, контролируемой температурой.
Примечание:
Правительство Китая объявило о новых ограничениях на экспорт материалов галлия (таких как GaAs, Gan, GA2O3, GAP, Ingaas и Gasb) и Германия, используемые для изготовления полупроводниковых чипов. Начиная с 1 августа 2023 года, экспорт этих материалов разрешена только в том случае, если мы получим лицензию от Министерства торговли Китая. Надеюсь на ваше понимание и сотрудничество!
Мы предложим отчеты о тестировании, см. Ниже пример:
Отчет о структуре шаблонов Algan
Больше продуктов:
Тонкая пленка GAN на шаблоне сапфира (AL2O3)
