нитрид галлия: N type, p type and semi-insulating gallium nitride substrate and template or GaN epi wafer for HEMT with low Marco Defect Density and Dislocation Density for LED, LD or other application.PAM-XIAMEN offer GaN wafer including Freestanding GaN Substrate, GaN template on sapphire/SiC/silicon, GaN based LED epitaxial wafer and GaN HEMT epitaxial wafer.
-
Отдельно стоящая подложка GaN
PAM-Xiamen создала технологию производства для отдельно стоящей (нитридной галльем) субстратной пластины, которая предназначена для UHB и LD. Выросшая технологиями гидридной фазовой фазы (HVPE), наша подложка GAN имеет низкое значение…
-
Шаблоны GaN
Продукты шаблона Pam-Xiamen состоят из кристаллических слоев (нитрид-нитрид-матриц (нитрид галлия), (алюминиевый нитрид) шаблон ALN, (алюминиевые нитриды галлия) шаблоны алгана и (нитрид индиевого галлия), которые нанесены на сапфир
-
Светодиодная эпитаксиальная пластина на основе GaN
Светодиодная эпитаксиальная пластина на основе Gan (нитрид-нитрий на основе Galium) предназначена для синего и зеленого света, излучающих синие и зеленый свет (светодиод) и лазерные диоды (LD).
-
Эпитаксиальная пластина GaN HEMT
Нитрид галлия (GAN) HEMTS (высокие транзисторы мобильности электронов) являются следующим поколением технологии транзисторов RF. Благодаря технологии Gan, Pam-Xiamen теперь предлагает Algan/Gan Hemt Epi Paff на сапфире…