Ge монокристаллический (высший сорт) -8

PAM СЯМЫНЬ предлагает 4 "Диаметр вафли.

4 "Диаметр вафельные

Ge N-типа 4” , нелегированный

Ge Вафли (111) 4 "диаметр х 0,5 мм, 1SP, N-типа (не- легированный)
Ge Вафли (100). Нелегированный, 4 "диаметр х 0,5 мм, 1SP
Ge Вафли (100). Нелегированный, 4 "диаметр х 0,5 мм, 2SP, R> 50 Ом · см
Ge Вафли (110). Нелегированный, 4 "диаметр х 0,5 мм, 1SP, Р:> 50 ohm.cm
Ge Вафли (110). Нелегированный, 4 "диаметр х 0,5 мм, 2SP, Р:> 50 ohm.cm
Ge Вафли (111) 4 "диаметр х 0,5 мм, 2SP, N-типа (не- легированный)

Ge р-типа 4“ Ga-легированный

Ge Вафли (100) 100 диаметр х 0,5 мм, тип 1SP Р (Ga легированный) R: 1-5 ohm.cm
Ge Вафли (100). 100 мм диаметр х 0,5 мм, 2SP, тип Р (Ga, легированный) R: 0.004-0.01ohm.cm
Ge Вафли (100). 100 мм диаметр х 0,5 мм, 2SP, тип Р (Ga, легированный) R: 1.4-1.7 ohm.cm
ВГФ-Ge Вафли (100) с 6 степени разориентации в направлении <111>, 100 mmdia х 0,5 мм, 1SP, тип Р (Ga, легированный) R: 0.296-0.326 Ohm.cm
ВГФ-Ge Вафли (100) 100 мм диаметр х 0,5 мм, 2SP, тип Р (Ga, легированный) R: 0.128-0.303 Ohm.cm
ВГФ-Ge Вафли (100). 100 мм диаметр х 0,4 мм, 2SP, тип Р (Ga, легированный) R: 0.0038-0.0158 Ohm.cm
ВГФ-Ge Вафли (100). 100 mmdia х 0,175 мм, 1SP, тип Р (Ga), легированного R: 0.279-0.324 Ом.см
ВГФ-Ge Вафли (100). 100 mmdia х 0,175 мм, 2SP, тип Р (Ga, легированный) R: 0.1-0.182 ohm.cm
ВГФ-Ge Вафли (100) 100 mmdia х 0,5 мм, 1SP, тип Р (Ga, легированные) R: 0.128-0.303 Ohm.cm

Ge, N-типа, 4” Sb & Как -легированный

Ge Вафли (100) 100 мм диаметр х 0,5 мм, 2SP, N-типа (Sb, легированный) R: 2,5-2,7 ohm.cm
Ge Вафли (100) с главной плоской <110> 100 мм диаметр х 0,5 мм, 1SP, N-типа (Sb, легированного) R: 0,1-0,5 Ом · см
Ge Вафли (110) 4 "диаметр х 0,5 мм, 2SP, N-типа (Sb, легированный) R: 0.1-0.5ohm.cm
Ge Вафли (110) 4 "диаметр х 0,5 мм, 2SP, N-типа (Sb, легированный) R: 1-5 ohm.cm
Ge Вафли (110) 4 "диаметр х 0,5 мм, 1SP, N-типа (Sb, легированный) R: 1-5 ohm.cm
ВГФ-Ge Вафли (100) 100 мм диаметр х 0,5 мм, 1SP, тип N (As- легированный) R: 0,214 - 0,250 ohm.cm
ВГФ-Ge Вафли (100) 100 мм диаметр х 0,5 мм, 2SP, тип N (As- легированный) R: 0.173-0.25 ohm.cm
Ge Вафли (111) 4 "диаметр х 0,5 мм, 1SP, тип N (Sb-легированные) с сопротивлениями: 0.014-0.022 Ом-см
Ge Вафли (111) 4 "диаметр х 0,5 мм, 2SP, тип N (Sb-легированные) с сопротивлениями: 0.014-0.022 Ом-см
Ge Вафли (100) с плоской (100) 4 "диаметр х 0,5 мм, 1SP, N-типа (Sb, легированных) удельное сопротивление: 0,1-0,5 Ом · см

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Найдено в 1990 году, Сямэнь Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-СЯМЫНЬ) является ведущим производителем полупроводникового материала в Китае.РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксию технологию, производственные процессы, спроектированные подложки и полупроводниковые приборы.технологии PAM-СЯМЫНЬ позволяют более высокую производительность и низкую стоимость изготовления полупроводниковой пластины.

РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксии технологии, диапазон от первого поколения Германий пластин, второго поколения на основе арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на III-V кремния, легированного полупроводниковых материалов п-типа на основе Ga, Al, In, As и P выращенный метод МЛЭ или MOCVD, к третьему поколению: карбид кремния и нитрид галлия для светодиодов и применения устройства питания.

Поделиться этой записью