Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd., ведущий поставщик полуизоляционных SiC-подложек высокой чистоты и других сопутствующих продуктов и услуг, объявила о том, что компания PVT начала массовое производство новых размеров 2, 3, 4 и 6 дюймов. Этот новый продукт представляет собой естественное дополнение к линейке продуктов PAM-XIAMEN. Доктор Шака сказал: «Мы рады предложить нашим клиентам полуизолирующие пластины SiC высокой чистоты. Полуизолирующая подложка из карбида кремния (SiC) 4H доступна с осевой ориентацией. В процессе эпитаксии полуизолирующих пластин карбида кремния в нашем исследовании мы обнаружили, что плотность микротрубок обычно не является основным препятствием для выращивания высококачественных эпи-слоев, вместо этого проблема заключаются в углеродных включениях, поэтому мы сосредотачиваемся на контроле или удалении пластины без или с меньшим размером. углеродные включения, поэтому для полуизолирующей подложки SiC высокой чистоты исследовательского и производственного класса она может обеспечить высококачественную гетероэпитаксию, такую как структура AlGaN / GaN ».
1. Полуизолирующий карбид кремния высокой чистоты.Список вафель:
| Номер предмета | Диаметр | Тип | Ориентация | Толщина | Сопротивление (Ом-см) | класс |
| S4H-150-SI-PWAM-500-D | 150мм | HPSI | По оси | 500 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Фиктивная оценка |
| S4H-150-SI-PWAM-500-R | 150мм | HPSI | По оси | 500 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Исследовательский уровень |
| S4H-150-SI-PWAM-500-А | 150мм | HPSI | По оси | 500 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Уровень производства |
| S4H-100-SI-PWAM-500-D | 100мм | HPSI | По оси | 500 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Фиктивная оценка |
| S4H-100-SI-PWAM-500-R | 100мм | HPSI | По оси | 500 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Исследовательский уровень |
| S4H-100-SI-PWAM-500-А | 100мм | HPSI | По оси | 500 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Уровень производства |
| S4H-76-SI-PWAM-350-D | 76,2 мм | HPSI | По оси | 350 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Фиктивная оценка |
| S4H-76-SI-PWAM-350-R | 76,2 мм | HPSI | По оси | 350 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Исследовательский уровень |
| S4H-76-SI-PWAM-350-А | 76,2 мм | HPSI | По оси | 350 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Уровень производства |
| S4H-51-SI-PWAM-350-D | 50,8 | HPSI | По оси | 350 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Фиктивная оценка |
| S4H-51-SI-PWAM-350-R | 50,8 | HPSI | По оси | 350 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Исследовательский уровень |
| S4H-51-SI-PWAM-350-А | 50,8 | HPSI | По оси | 350 мкм +/-25 мкм | ≥ 1E7 | Уровень производства |
2. Спецификация полуизолирующей подложки SiC высокой чистоты
2-1 ПОЛУИЗОЛЯЦИОННАЯ ПЛАСТИНА 4H-SIC ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ, СПЕЦИФИКАЦИЯ, 2”
| ОСНОВАНИЕ СВОЙСТВА | S4H-51-SI-PWAM-350 |
| Описание | Производственный класс A/B C/D Исследовательский класс D Стандартный класс 4H Полуподложка SEMI |
| Polytype | 4H |
| Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
| Толщина | (350 ± 25) мкм |
| Тип | Полуизоляционный материал высокой чистоты (HPSI), нелегированный |
| добавка | нелегированный |
| Удельное сопротивление (RT) | > 1E7 Ом · см |
| Шероховатость поверхности | < 0,5 нм (готовность к Si-face CMP Epi); <1 нм (оптическая полировка лицевой стороны C) |
| FWHM | A<30 угловых секунд B/C/D <50 угловых секунд |
| Плотность микротрубки | A+<1см-2 A<10см-2 B<30см-2 C<50см-2 D<100см-2 |
| Ориентация поверхности | |
| По оси <0001>± 0,5° | |
| Вне оси 3,5° в сторону <11-20>± 0,5° | |
| Первичная плоская ориентация | Параллельно {1-100} ± 5° |
| Первичная плоская длина | 16,00 ± 1,70 мм |
| Вторичная плоская ориентация | Si-лицо: 90° по часовой стрелке. от плоской ориентации ± 5° |
| C-образная грань: 90° по часовой стрелке. от плоской ориентации ± 5° | |
| Вторичная плоская длина | 8,00 ± 1,70 мм |
| Чистота поверхности | Одинарная или двойная полировка |
| Упаковка | Одиночная вафельная коробка или несколько вафельных коробок |
| Полезная площадь | ≥ 90% |
| Исключение края | 1 мм |
2-2 ПОЛУИЗОЛЯЦИОННАЯ ПОДЛОЖКА 4H-SIC ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ, 3”
| ОСНОВАНИЕ СВОЙСТВА | С4Х-76-Н-ШИМ-350 |
| Описание | Производственный класс A/B C/D Исследовательский класс D Стандартный класс 4H Подложка SiC |
| Polytype | 4H |
| Диаметр | (76,2 ± 0,38) мм |
| Толщина | (350 ± 25) мкм |
| Тип | Полуизоляционный материал высокой чистоты (HPSI) |
| добавка | нелегированный |
| Удельное сопротивление (RT) | >1E7Ом·см |
| Шероховатость поверхности | < 0,5 нм (готовность к Si-face CMP Epi); <1 нм (оптическая полировка лицевой стороны C) |
| FWHM | A<30 угловых секунд B/C/D <50 угловых секунд |
| Плотность микротрубки | A+<1см-2 A<10см-2 B<30см-2 C<50см-2 D<100см-2 |
| TTV/Лук/Варп | <25 мкм |
| Ориентация поверхности | <0001>± 0,5° |
| Первичная плоская ориентация | <11-20>±5,0° |
| Первичная плоская длина | 22,22 мм±3,17 мм |
| 0,875″±0,125″ | |
| Вторичная плоская ориентация | Si-лицо: 90° по часовой стрелке. от плоской ориентации ± 5° |
| C-образная грань: 90° по часовой стрелке. от плоской ориентации ± 5° | |
| Вторичная плоская длина | 11,00 ± 1,70 мм |
| Чистота поверхности | Одинарная или двойная полировка |
| Упаковка | Одиночная вафельная коробка или несколько вафельных коробок |
| Скретч | Ни один |
| Полезная площадь | ≥ 90% |
| Исключение края | 2мм |
2-3 4H ПОЛУИЗОЛЯЦИОННЫЕ SIC ПЛАСТИНЫ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ, СПЕЦИФИКАЦИЯ, 4”
| НЕДВИЖИМОСТЬ | Оценка | Б класс | C класс |
| Диаметр | 100,0 мм + 0,0/-0,5 мм | ||
| Ориентация поверхности | {0001} ± 0,2° | ||
| Первичная плоская ориентация | [11-20] ± 5° | ||
| Вторичная плоская ориентация | Кремниевая лицевая сторона вверх: 90° по часовой стрелке. от Прайм-флэт ±5,0° | ||
| Первичная плоская длина | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||
| Вторичная плоская длина | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||
| Шероховатость поверхности | Si-грань Ra≤0,2 нм | ||
| Толщина | 500,0 мкм ± 25,0 мкм | ||
| ТТВ(10мм2) | ≤10 мкм | ||
| LTV | ≤3 мкм | ≤5 мкм | |
| деформироваться | ≤35 мкм | ≤45 мкм | |
| Лук (Абсолютный) | ≤25 мкм | ≤30μm | |
| Плотность микротрубки | ≤1 см-2 | ≤10 см-2 | ≤20 см-2 |
| Удельное сопротивление | ≥1E8Ом-см | Площадь 75%: ≥1E8Ом-см | |
| Polytype | Ничего не разрешено | Совокупная площадь≤5% | |
| Шестигранные пластины светом высокой интенсивности | Ничего не разрешено | Кол-во: 6＜100 мкм | Совокупная площадь≤5% |
| Визуальные включения углерода | Совокупная площадь≤0,05% | Совокупная площадь≤10% | N / A |
| Чистота поверхности | Двусторонняя полировка, Si Face CMP (химическая полировка) | ||
| Край вафли | Снятие фасок | ||
| Краевые сколы/вмятины от рассеянного освещения | Не допускается ширина и глубина ≥0,5 мм. | Кол-во 2 <1,0 мм ширина и глубина | |
| Царапины(CS920/CS8520) | Совокупная длина≤1*диаметр пластины | Совокупная длина≤1,5*диаметр пластины | |
| трещины | Ничего не разрешено | ||
| Исключение края | 3мм | ||
2-4 4H ПОЛУИЗОЛЯЦИОННАЯ ПОДЛОЖКА SIC ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ, 6”
| ОСНОВАНИЕ СВОЙСТВА | Оценка | Б класс | C класс |
| Диаметр | 150,0 мм ± 0,2 мм | ||
| Ориентация поверхности | {0001} ± 0,2° | ||
| Ориентация выреза | [1-100] ± 5,0° | ||
| Глубина выреза | 1,0 мм +0,25 мм, -0,00 мм | ||
| Шероховатость поверхности | Si-грань Ra≤0,2 нм | ||
| Толщина | 500,0 мкм ± 25,0 мкм | ||
| TTV | ≤10 мкм | ||
| LTV(10мм2) | ≤3 мкм | ≤5 мкм | |
| деформироваться | ≤40 мкм | ≤60 мкм | |
| Лук (Абсолютный) | ≤25 мкм | ≤40 мкм | |
| Плотность микротрубки | ≤1 см-2 | ≤5 см-2 | ≤10 см-2 |
| Удельное сопротивление | ≥1E8Ом-см | Площадь 75%: ≥1E8Ом-см | |
| Polytype | Ничего не разрешено | Совокупная площадь≤5% | |
| Шестигранные пластины светом высокой интенсивности | Совокупная площадь ≤0,05% | Совокупная площадь ≤0,1% | Совокупная площадь≤5% |
| Визуальные включения углерода | Совокупная площадь ≤0,05% | Совокупная площадь ≤10% | N / A |
| Чистота поверхности | Двойная боковая полировка, Si Face CMP (химическая полировка) | ||
| Край вафли | Снятие фасок | ||
| Краевые сколы/вмятины от рассеянного освещения | Не допускается ширина и глубина ≥0,5 мм. | Кол-во 2 <1,0 мм ширина и глубина | |
| Царапины(CS920/CS8520) | Совокупная длина≤1*диаметр пластины | Совокупная длина≤1,5*диаметр пластины | |
| трещины | Ничего не разрешено | ||
| Исключение края | 3мм | ||
3. Диаграмма флуоресценции Vsi.
См. ниже диаграмму ФЛ флуоресценции Vsi, протестированную на 2-дюймовой полуизолирующей подложке SiC высокой чистоты 4H.
Диаграмма ФЛ флуоресценции Vsi
На рынке полуизолирующих подложек SiC высокой чистоты в настоящее время основной потокПодложка из карбида кремнияСпецификация 4 дюйма. Благодаря высокой чистоте и отсутствию каких-либо добавок материал подложки HPSI SiC сохраняет высокое удельное сопротивление и хорошую однородность. Полуизолирующая подложка SiC в основном используется при производстве радиочастотных устройств из нитрида галлия. Путем выращивания эпитаксиального слоя нитрида галлия на пластине SiC типа HPSI удалосьЭпитаксиальная пластина нитрида галлия на основе SiCготово, из которого в дальнейшем можно превратить ВЧ-устройство на основе GaN.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.