Доступна пластина из монокристаллического фосфида индия фиктивного сорта с легированием S, выращенным с помощью VGF. Концентрация электронов на пластине фосфида индия N-типа достигает 1018см-3, а удельное сопротивление фосфида индия очень низкое, обычно 10-2~10-3Ω·cm. It is mostly used in high-speed optoelectronic devices, such as LD, LED, PIN- PD, PIN-APD and etc. EPD map of InP can be offered if necessary, please contact us at victorchan@powerwaywafer.com. The specifications of the test grade InP wafers перечислены ниже:
1. Технические характеристики пластины из фосфида индия на манекен
Пункт 1:
| Пункт | параметр | UOM |
| Материал | Вафля из фосфида индия | |
| класс | Манекен | |
| Диаметр | 50,0 ± 0,5 | мм |
| Толщина | Мин: 300 Макс: 400 | гм |
| Ориентация | (100) ± 0,5 ° | |
| Тип проводимости / присадка | SCN / S | |
| Первичная плоская Длина | 16 ± 2 | мм |
| Первичная плоская Ориентация | EJ (0-1-1) | |
| Вторичная плоская Длина | 7 ± 1 | мм |
| Secondary Квартира Ориентация | EJ (0–11) | |
| Концентрация носителей | Мин Макс: / | см-3 |
| удельное сопротивление | Мин Макс: / | Ом-см |
| Мобильность | Мин Макс: / | см2/ V * сек |
| EPD | Ave: / Макс: <1000 см-2 | см-2 |
| TTV | 10 | гм |
| МДП | 10 | гм |
| ЛУК | 10 | гм |
| деформироваться | 15 | гм |
| Поверхность | P / P, P / E | |
| Закругление кромок | 0,25 (соответствует стандартам SEMI) | MMR |
| Эпи-готовый | Да | |
| Лазерная Марка | / | |
| Пластинчатая двойная зона | полезная площадь монокристалла с ориентацией (100)> 80% | |
| Пакет | индивидуальный контейнер, заполненный N2 |
Пункт 2:
| Пункт | параметр | UOM |
| Материал | Субстрат из фосфида индия | |
| класс | Манекен | |
| Диаметр | 76,2 ± 0,5 | мм |
| Толщина | Мин: 600 Макс: 650 | гм |
| Ориентация | (100) ± 0,5 ° | |
| Тип проводимости / присадка | SCN / S | |
| Первичная плоская Длина | 22 ± 1 | мм |
| Первичная плоская Ориентация | EJ | |
| Вторичная плоская Длина | 12 ± 1 | мм |
| Secondary Квартира Ориентация | EJ | |
| Концентрация носителей | Мин Макс: / | см-3 |
| удельное сопротивление | Мин Макс: / | Ом-см |
| Мобильность | Мин Макс: / | см2/ V * сек |
| EPD | Ave: / Макс: <1000 см-2 | см-2 |
| TTV | 10 | гм |
| МДП | 10 | гм |
| ЛУК | 10 | гм |
| деформироваться | 15 | гм |
| Поверхность | P / P, P / E | |
| Закругление кромок | 0,25 (соответствует стандартам SEMI) | MMR |
| Эпи-готовый | Да | |
| Лазерная Марка | / | |
| Пластинчатая двойная зона | полезная площадь монокристалла с ориентацией (100)> 80% | |
| Пакет | индивидуальный контейнер, заполненный N2 |
Пункт 3:
| Пункт | параметр | UOM |
| Материал | Вафля из фосфида индия | |
| класс | Манекен | |
| Диаметр | 100,0 ± 0,5 | мм |
| Толщина | Мин: 600 Макс: 650 | гм |
| Ориентация | (100) ± 0,5 ° | |
| Тип проводимости / присадка | SCN / S | |
| Первичная плоская Длина | 32,5 ± 1 | мм |
| Первичная плоская Ориентация | EJ | |
| Вторичная плоская Длина | 18 ± 1 | мм |
| Secondary Квартира Ориентация | EJ | |
| Концентрация носителей | Мин Макс: / | см-3 |
| удельное сопротивление | Мин Макс: / | Ом-см |
| Мобильность | Мин Макс: / | см2/ V * сек |
| EPD | Ave: / Макс: <1000 см-2 | см-2 |
| TTV | 10 | гм |
| МДП | 10 | гм |
| ЛУК | 10 | гм |
| деформироваться | 15 | гм |
| Поверхность | P / P, P / E | |
| Закругление кромок | 0,25 (соответствует стандартам SEMI) | MMR |
| Эпи-готовый | Да | |
| Лазерная Марка | / | |
| Пластинчатая двойная зона | полезная площадь монокристалла с ориентацией (100)> 80% | |
| Пакет | индивидуальный контейнер, заполненный N2 |
2. Применение фосфида индия фиктивного сорта
Пластина InP фиктивного сорта используется для тестирования процесса роста эпитаксии и определения характеристик состава эпитаксиального слоя. Он не подходит для травления структур устройства, например волновода и оптической решетки, из-за двойных кристаллов и возможных отверстий ориентации пластины на стороне двойника.
Допускается микродвойник или линейность поверхности пластины <20%.
3. Свойства фосфида индия
Indium phosphide is a group III-V compound semiconductor material compounded by the combination of group III element indium (In) and group V element phosphorus (P). It has a zinc blende structure with a indium phosphide lattice constant of 0.586 9 nm. InP single crystal is soft and brittle, silver-gray with metallic luster. The indium phosphide band gap at room temperature is 1.344 eV, which is a direct transition band structure. The emission wavelength is 0.92 um, the intrinsic carrier concentration of InP at room temperature is 2×107см-3, подвижность электронов и дырок составляет 4 500 см2/ В · с и 150 см2 / В · с соответственно.
Кристаллическая структура фосфида индия
4. Процесс производства пластин InP.
Фосфид индия имеет почти такую же гранецентрированную кубическую кристаллическую структуру, что и арсенид галлия GaAs и большинство полупроводников AIIIBV. Пластины из фосфида индия должны быть подготовлены перед изготовлением устройства и должны быть перекрыты, чтобы исключить повреждение поверхности во время резки. Затем фиктивная пластина из InP подвергается химико-механической полировке (CMP) на этапе окончательного удаления материала, что позволяет получить зеркальную поверхность с ультраплоской шероховатостью атомного масштаба.
However, the growth process of indium phosphide from raw materials to ingots to wafers is very difficult. During the growth process, a high temperature of 1070℃ and extreme pressure are required. In addition, the atomic structure may change. What comes out may not meet expectations. From raw materials to ingots to a 2-inch or 4-inch indium phosphide single crystal wafer, the yield is generally about 28%, and the technical threshold is very high. Therefore, PAM-XIAMEN is one of the indium phosphide wafer suppliers that can successfully control the growth technology of indium phosphide. Relying on VGF, VB method crystal growth technology, high surface quality wire cutting technology, ultra-flat mechanical chemical polishing technology, ultra-clean surface cleaning technology and other related core technologies, the commercialization of indium phosphide wafers tends to be stable, and the products provided by PAM-XIAMEN are mainly used in optical fiber communications, optical detectors, infrared optics, high-frequency millimeter wave communications and other fields. In addition to the current application areas, the monocrystalline indium phosphide wafer substrate will expand in the terahertz field used in 6G communications.
5. Дальнейшее развитие материалов InP
In fact, InP substrate material is the most critical core material in the optical communication industry chain, ultra-high frequency millimeter wave radar, infrared detection and other fields. It is inseparable from indium phosphide since the demand for higher bandwidth continues to grow, especially in the Human-driven cars, 5G communications, even the implementation and application of 6G, 7G, and 8G in the future. The indium phosphide wafer market at dummy or prime grade will usher in rapid growth, thereby, the indium phosphide wafer cost will go down.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.