Лазерная пластина высокой мощности 1060 нм

Лазерная пластина высокой мощности 1060 нм

Квантовая яма InGaAs (КЯ) как широко используемый двумерный материал в ближнем инфракрасном диапазоне имеет важные применения в полупроводниковых лазерах, солнечных элементах и ​​других устройствах. В области полупроводниковых лазеров квантовая яма InGaAs/GaAs расширяет длину волны света GaAs (0,85–1,1 мкм) и широко используется в различных оптоэлектронных устройствах и в промышленной производственной деятельности.PAM-XIAMEN может предложить лазерные пластины с различной длиной волны, пожалуйста, посетитеhttps://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers/epi-wafer-for-laser-diodeдля получения дополнительной информации о пластинах. При этом наша гетероструктура с квантовыми ямами InGaAs для лазеров с длиной волны 1,06 мкм выглядит следующим образом. 

Лазерная пластина InGaAs на основе квантовой ямы

1. Структура квантовой ямы InGaAs/GaAs для изготовления лазера высокой мощности с длиной волны 1060 нм

No. 1 InGaAs Quantum Well Wafer for High Power Laser

Пластина InGaAs с квантовой ямой для лазера высокой мощности 1,06 мкм (ПАМ190430-1060ЛД)

Слой No. Имя слоя Материал Толщина Концентрация носителей добавка
1 P-Контакт GaAs легированный ПК
2 Облицовка Al(0,36)Ga(0,64)As 800 легированный ПК
2 Облицовка Al(0,36)Ga(0,64)As легированный ПК
3 Оценка Al(0,26-0,36)Ga(0,74-0,64)As 5×10^17 I
4 Волноводное ядро Al(0,26)Ga(0,74)As I
5 барьерный GaAsP (барьер при растяжении) I
6 Квантовая яма InGaAs (сжимающая яма) I
7 барьерный GaAsP (барьер при растяжении) 10 I
8 Волноводное ядро Al(0,26)Ga(0,74)As 1×10^17 Легированный N Si
9 Оценка Al(0,26-0,32)Ga(0,74-0,64)As Легированный N Si
10 Облицовка Al(0,32)Ga(0,68)As Легированный N Si
11 Буфер GaAs 250 Легированный N Si
12 подложка N-легированная подложка GaAs

 

No.2 LD Structure Grown with GaInAs QW

PAM220829 – 1060LD (universal)

Слой No. Материал Толщина Doping Concentration
6 P+ GaAs (0.5~2) x 1020cm-3
5 P- GaAs 1.2um
4 AlGaAs
3 GaInAs QW, PL: 1030-1060nm
2 AlGaAs 0.6um
1 N- AlGaAs
0 N GaAs (100) substrate, 2° or 15° off towards <111>A 350~450um (0.4~4) x 1018cm-3

2. Роль барьера GaAsP в росте квантовых ям InGaAs

Длина волны мазера полупроводникового лазера в основном определяется компонентами материала, шириной квантовой ямы, переменными деформации и другими факторами. Система материалов InGaAs/InGaAsP используется для выращивания лазерной пластины. Чтобы расширить мазерную длину волны кванта деформации InGaAs далеко за пределы 1 мкм, необходимо увеличить компонент In.

Однако в диапазоне длин волн 1000–1100 нм будет наблюдаться большое рассогласование решеток между квантовыми ямами InGaAs с более высоким содержанием In и GaAs. Когда несоответствие решеток близко к 2%, склонны к возникновению дефектов, таких как дислокации. Это повлияет не только на качество эпитаксиального кристалла, но также на производительность, срок службы и надежность лазеров с квантовыми ямами InGaAs. Следовательно, для материалов с квантовыми ямами с высокой деформацией введение структуры компенсации деформации может решить проблему накопления деформации и улучшить качество эпитаксиального кристалла.

GaAsP является типичным материалом для деформации при растяжении. Постоянная решетки GaAsP колеблется от 5,45 до 5,65, что меньше, чем у GaAs. При этом ширина его энергетической зоны колеблется от 1,42 до 2,77, что значительно больше, чем у GaAs и InGaAs. Таким образом, GaAsP очень подходит для использования в качестве барьера квантовой ямы InGaAs. Сформируйте структуру компенсации деформации.

Результаты показывают, что барьерный слой GaAsP снаружи квантовой ямы InGaAs может улучшить способность квантовых ям 0,98 мкм и 1,06 мкм ограничивать носители. Барьер напряжения GaAsP может улучшить способность квантовой ямы InGaAs захватывать носители, тем самым уменьшая пороговую плотность тока и улучшая внутреннюю квантовую эффективность. А лазерные диоды InGaAs с квантовыми ямами, использующие барьерный слой GaAsP, имеют более высокую мощность и лучшую температурную стабильность при высоких температурах.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью