Лазерная пластина высокой мощности 1060 нм

Лазерная пластина высокой мощности 1060 нм

Квантовая яма InGaAs (КЯ) как широко используемый двумерный материал в ближнем инфракрасном диапазоне имеет важные применения в полупроводниковых лазерах, солнечных элементах и ​​других устройствах. В области полупроводниковых лазеров квантовая яма InGaAs/GaAs расширяет длину волны света GaAs (0,85–1,1 мкм) и широко используется в различных оптоэлектронных устройствах и в промышленной производственной деятельности.PAM-XIAMEN может предложить лазерные пластины с различной длиной волны, пожалуйста, посетитеhttps://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers/epi-wafer-for-laser-diodeдля получения дополнительной информации о пластинах. При этом наша гетероструктура с квантовыми ямами InGaAs для лазеров с длиной волны 1,06 мкм выглядит следующим образом. 

Лазерная пластина InGaAs на основе квантовой ямы

1. Структура квантовой ямы InGaAs/GaAs для изготовления лазера высокой мощности с длиной волны 1060 нм

No. 1 InGaAs Quantum Well Wafer for High Power Laser

Пластина InGaAs с квантовой ямой для лазера высокой мощности 1,06 мкм (ПАМ190430-1060ЛД)

Слой No. Имя слоя Материал Толщина Концентрация носителей добавка
1 P-Контакт GaAs легированный ПК
2 Облицовка Al(0,36)Ga(0,64)As 800 легированный ПК
2 Облицовка Al(0,36)Ga(0,64)As легированный ПК
3 Оценка Al(0,26-0,36)Ga(0,74-0,64)As 5×10^17 I
4 Волноводное ядро Al(0,26)Ga(0,74)As I
5 барьерный GaAsP (барьер при растяжении) I
6 Квантовая яма InGaAs (сжимающая яма) I
7 барьерный GaAsP (барьер при растяжении) 10 I
8 Волноводное ядро Al(0,26)Ga(0,74)As 1×10^17 Легированный N Si
9 Оценка Al(0,26-0,32)Ga(0,74-0,64)As Легированный N Si
10 Облицовка Al(0,32)Ga(0,68)As Легированный N Si
11 Буфер GaAs 250 Легированный N Si
12 подложка N-легированная подложка GaAs

 

No.2 LD Structure Grown with GaInAs QW

PAM220829 – 1060LD (universal)

Слой No. Материал Толщина Концентрация допинга
6 P+ GaAs (0.5~2) x 1020см-3
5 P- GaAs 1.2um
4 AlGaAs
3 GaInAs QW, PL: 1030-1060nm
2 AlGaAs 0.6um
1 N- AlGaAs
0 N GaAs (100) substrate, 2° or 15° off towards <111>A 350~450um (0.4~4) x 1018см-3

2. Роль барьера GaAsP в росте квантовых ям InGaAs

Длина волны мазера полупроводникового лазера в основном определяется компонентами материала, шириной квантовой ямы, переменными деформации и другими факторами. Система материалов InGaAs/InGaAsP используется для выращивания лазерной пластины. Чтобы расширить мазерную длину волны кванта деформации InGaAs далеко за пределы 1 мкм, необходимо увеличить компонент In.

Однако в диапазоне длин волн 1000–1100 нм будет наблюдаться большое рассогласование решеток между квантовыми ямами InGaAs с более высоким содержанием In и GaAs. Когда несоответствие решеток близко к 2%, склонны к возникновению дефектов, таких как дислокации. Это повлияет не только на качество эпитаксиального кристалла, но также на производительность, срок службы и надежность лазеров с квантовыми ямами InGaAs. Следовательно, для материалов с квантовыми ямами с высокой деформацией введение структуры компенсации деформации может решить проблему накопления деформации и улучшить качество эпитаксиального кристалла.

GaAsP является типичным материалом для деформации при растяжении. Постоянная решетки GaAsP колеблется от 5,45 до 5,65, что меньше, чем у GaAs. При этом ширина его энергетической зоны колеблется от 1,42 до 2,77, что значительно больше, чем у GaAs и InGaAs. Таким образом, GaAsP очень подходит для использования в качестве барьера квантовой ямы InGaAs. Сформируйте структуру компенсации деформации.

Результаты показывают, что барьерный слой GaAsP снаружи квантовой ямы InGaAs может улучшить способность квантовых ям 0,98 мкм и 1,06 мкм ограничивать носители. Барьер напряжения GaAsP может улучшить способность квантовой ямы InGaAs захватывать носители, тем самым уменьшая пороговую плотность тока и улучшая внутреннюю квантовую эффективность. А лазерные диоды InGaAs с квантовыми ямами, использующие барьерный слой GaAsP, имеют более высокую мощность и лучшую температурную стабильность при высоких температурах.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу[email protected] и [email protected].

Поделиться этой записью