Лазерная диодная пластина GaN 405 нм

Лазерная диодная пластина GaN 405 нм

Нитриды группы III представляют собой материалы с прямой запрещенной зоной, преимуществами которых являются широкая запрещенная зона, высокая химическая стабильность, сильное электрическое поле пробоя и высокая теплопроводность. Они имеют широкие перспективы применения в области эффективных светоизлучающих устройств и устройств силовой электроники. При этом, изменяя состав In, ширину запрещенной зоны тройных составных материалов InGaN можно непрерывно регулировать в диапазоне от 1,95 до 3,40 эВ, что подходит для активной области светоизлучающих диодов (LED) и лазеров (LD). . PAM-XIAMEN может предложитьэпитаксиальная пластинаInGaN/GaN MQW (многоквантовые ямы) на подложке Si для изготовления лазерного диода с длиной волны 405 нм. Подробные характеристики см. в таблице ниже:

 Эпитаксическая пластина InGaN / GaN MQW

1. Фиолетовая пластина LD 405 нм на основе структуры InGaN/GaN MQW

Эпи-слой Материал Толщина (нм) Состав Легирование
Ал% В% [Си] [мг]
0 Si(111) подложка 5.0E+18
1 nGaN
2 AlGaN 3-10
3 InGaN 70-150
4 MQW InGaN-КЯ
GaN-QB
5 InGaN 2-8
6 AlGaN
7 pGaN 2.0E+19
8 Контактный слой 10

 

2. Применение мощных лазеров, выращенных на многоквантовых ямах InGaN/GaN

Лазеры на основе систем материалов GaN (GaN, InGaN и AlGaN) расширяют длину волны полупроводниковых лазеров до видимого и ультрафиолетового спектра, как показано на рисунке ниже. Он имеет большие перспективы применения в области дисплеев, освещения, медицины, национальной обороны и безопасности, металлообработки и других областях.

Спектр длин волн материалов GaN (GaN, InGaN и AlGaN), от видимого до ультрафиолетового

Спектр длин волн материалов GaN (GaN, InGaN и AlGaN), от видимого до ультрафиолетового

Среди всех лазерных диодов разработка и применение GaN-лазера с длиной волны 405 нм способствовали развитию производства оптических накопителей высокой плотности, литографии с прямой лазерной записью и светоотверждения.

3. Why Epitaxial InGaN / GaN MQW Materials on Silicon Substrate?

Технология полупроводниковых материалов и устройств на основе GaN на кремниевой подложке может не только значительно снизить стоимость производства оптоэлектроники и электронных устройств на основе GaN благодаря крупногабаритным недорогим кремниевым пластинам и их автоматизированным технологическим линиям, но также, как ожидается, обеспечит новый путь оптоэлектронной интеграции на основе кремния. Прямой рост лазерного диода InGaN/GaN на материалах кремниевой подложки позволяет органически интегрировать оптоэлектронные устройства на основе GaN с оптоэлектронными устройствами на основе кремния.

 

Пластина GaN LD с синим излучениемтакже может быть поставлен. Для получения дополнительной информации см.https://www.powerwaywafer.com/blue-gan-ld-wafer.html.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью