InSb вафли

InSb вафли

PAM XIAMEN предлагает InSb Wafer.

InSb, легированный Ge

InSb (100) 10x10x 0,45 мм, тип P, легированный Ge, 1 сторона полированная

InSb (100) 5x5x 0,45 мм, тип P, легированный Ge, 1 сторона полированная-1

InSb (100) 2″ диам. x 0,45 мм, тип P, легированный Ge, односторонняя полировка, концентрация носителя: (0,5-5,0)x10^17/см3

InSb (100) 2″ диам. x 0,45 мм, тип P, легированный Ge, двусторонняя полировка, CC: 1,35×10^15/см3

InSb, легированный Te

InSb (100) 10x10x 0,45 мм, тип N, легированный Te, 1 сторона полированная

InSb (100) 5 x 5 x 0,45 мм, тип N, легированный Te, 1 сторона полированная

InSb (100) 2″ диам. x 0,45 мм, легированный Te, тип N, 1 сторона полированная

InSb (100) 2″” диаметр x 0,5 мм, легированный Te, тип N, полировка с 2 сторон”

InSb (111)- B 2″ диам. x 0,45 мм, легированный Te, тип N, 1 сторона (Sb) полированная

InSb нелегированный

InSb (100) 10x10x 0,5 мм, нелегированный, тип N, 1 сторона полированная

InSb (100) 10x10x 0,5 мм, нелегированный, тип N, 2-сторонняя полировка

InSb (100) 5x5x 0,5 мм, нелегированный, тип N, 2-сторонняя полировка

InSb (100) 5x5x0,5 мм, нелегированный, тип N, 1 сторона полированная

InSb (100) 2″ диам. x 0,5 мм, нелегированный, тип N, 1 сторона полированная

InSb (100) 2″ диам. x 0,5 мм, тип N Нелегированный, полированный с 2 ​​сторон

InSb (111)A 2″ диам. x 0,5 мм, нелегированный, тип N, полированная с одной стороны

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), основанная в 1990 году, является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае.PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные подложки и полупроводниковые устройства.Технологии PAM-XIAMEN обеспечивают более высокую производительность и более низкую стоимость производства полупроводниковых пластин.

Наша цель - удовлетворить все ваши требования, независимо от того, насколько малы заказы и насколько сложными они могут быть вопросы,
поддерживать устойчивый и прибыльный рост для каждого клиента благодаря нашим качественным продуктам и удовлетворительному обслуживанию.

2019-05-07

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Микросхема LD с одним эмиттером, 830 нм, 2 Вт

PAM XIAMEN offers Single-emitter LD Chip 830nm @2W. Brand: PAM-XIAMEN Wavelength: 830nm Stripe width: 40um Output Power: 2W Cavity Length:2mm For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd [...]

2019-05-09мета-автор
LD Bare Bar для 808 нм при полости 2 мм

PAM XIAMEN offers LD Bare Bar for 808nm@cavity 2mm. Brand: PAM-XIAMEN Wavelength: 808nm Filling Factor: 38% Output Power: 100W Cavity Length:2mm For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., [...]

2019-05-09мета-автор
Characterization of LT GaAs carrier lifetime in multilayer GaAs epitaxial wafers by the transient reflectivity technique

Characterization of LT GaAs carrier lifetime in multilayer GaAs epitaxial wafers by the transient reflectivity technique A methodology for determining the carrier lifetime of LT GaAs buffer layers in GaAs multilayer wafers utilizing the femtosecond transient reflectivity technique is introduced. Experimental results and computer simulations performed as a function of [...]

2014-03-14мета-автор
MoTe2 crystal

PAM XIAMEN offers MoTe2 crystal. MoTe2 (Molybdenum Ditelluride) can crystallise in two dimensional sheets which can be thinned down to monolayers that are flexible and almost transparent. It is a semiconductor, and can fluoresce. It is part of a class of materials called transition [...]

2019-05-13мета-автор
12″ Dummy Grade Silicon Wafer Thickness 650-700um

PAM XIAMEN offers 12″ Dummy Grade Silicon Wafer Thickness 650-700um. 12” 300mm dummy grade wafers Surface is double side polished thickness 650-700um V Notch(SMI STD) slight scratch(with no stains or heavy/deep scratches) Dummy grade silicon wafers perform very efficiently for experimental and testing projects. These [...]

2019-06-24мета-автор
(20-21) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate

PAM-XIAMEN offers (20-21) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate: Item PAM-FS-GAN(20-21)-N Dimension 5 x 10 mm2 or 5 x 20 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type / Si Doped Resistivity (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine Ground or polished. Dislocation Density ≤ 5 x 106 cm-2 Macro Defect Density 0 cm-2 Useable Area > 90% (edge exclusion) Package each in single wafer container, under nitrogen atmosphere, packed in class 100 clean room   For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-08-20мета-автор