Отчет о пропускании ИК-излучения

Отчет о пропускании ИК-излучения

Отчет о пропускании ИК-излучения

Отчет об испытаниях необходим для подтверждения соответствия индивидуального описания нашим окончательным данным о пластинах. Мы проверим характеристики пластины с помощью оборудования перед отправкой, проверим шероховатость поверхности с помощью атомно-силового микроскопа, тип с помощью прибора для римских спектров, удельное сопротивление с помощью оборудования для бесконтактного тестирования сопротивления, плотность микротрубок с помощью поляризационного микроскопа, ориентацию с помощью рентгеновского ориентатора и т. д., если Пластины соответствуют требованиям, мы очистим и упакуем их в чистой комнате класса 100. Если пластины не соответствуют индивидуальным спецификациям, мы их снимем.

Тестовый проект:ИК пропускание проект

Коэффициент пропускания поверхности пластины — это эффективность передачи ею лучистой энергии. По сравнению с коэффициентом передачи это доля падающей электромагнитной мощности, передаваемой через образец, а коэффициент передачи представляет собой отношение переданного электрического поля к падающему электрическому полю.

Ниже приведен пример ИК-пропускания CZT:

Отчет о пропускании ИК-излучения

ИК-пропускание CZT

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,

отправьте нам электронное письмо по адресуangel.ye@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com.

2018-08-14

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

6″ Prime Silicon Wafer Thickness 525+/-25um

PAM XIAMEN offers 6″ Prime Silicon Wafer Thickness 525+/-25um. Si, 150mm dia. SSP 525+/-25 thick N type Phos or antimony resistivity 0.01-0.2 ohm-cm. with 200A thermal OX and 1200A LPCVD nitride – stoichiometric For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email [...]

2019-06-28метаавтор
6″FZ Prime Silicon Wafer-2

PAM XIAMEN offers 6″FZ Prime Silicon Wafer-2 6″ Si wafer, Diameter 150mm, FZ Gas Dope, DSP, N(111), resistivity 5000-10,000Ωcm   PARAMETER SPECIFICATION GENERAL CHARACTERISTICS        1         Growth Method FZ Gas Dope        2    Crystal Orientation (111)        3    Conductivity Type n        4    Dopant Phosphorus.        5    Nominal Edge Exclusion 6 mm ELECTRICAL CHARACTERISTICS        6    Resistivity 5000 – 10,000 Wcm        7    Life Time >1500 µsec CHEMICAL CHARACTERISTICS        8    Oxygen Concentrations < 2xE16 at/cm3        9    Carbon Concentrations < 2xE16 at/cm3 WAFER PREPARATION CHARACTERISTICS       10   Front Surface Condition Polished, DSP       11   Edge [...]

2020-04-17метаавтор
GaN on Sapphire for RF

PAM XIAMEN offers GaN on Sapphire for RF. 1. GaN HEMT Structure on Sapphire for RF Application Wafer size 2”, 3”, 4”, 6” AlGaN/GaN HEMT structure Refer 1.2 Carrier density 6E12~2E13 cm2 Hall mobility / XRD(102)FWHM / XRD(002)FWHM / Sheet Resistivity / AFM RMS (nm）of 5x5um2 <0.25nm Bow(um) <=35um Edge exclusion  <2mm SiN passivation layer  0~30nm u-GaN cap layer  / Al composition 20-30% In composition 17% for InAlN AlGaN barrier layer  20~30nm  AlN spacer  / GaN [...]

2019-05-17метаавтор
6″ FZ Silicon Wafer-8

PAM XIAMEN offers 6″ FZ Silicon Wafer-8 Diameter: 150 mm N type Orientation: (100) Thickness: 675±10μm Resistivity 6,000-10,000Ωcm Double Side Polished For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2021-03-19метаавтор
2 INCH ALUMINUM NITRIDE ALN TEMPLATE ON SAPPHIRE 

PAM XIAMEN offers 2 inch AlN on sapphire wafer grown by MOCVD, which is the major technology for growing single-crystal aluminum nitride onto large-size, low-cost, and mature sapphire substrate. One important utilization of high-quality AlN-on-sapphire template is the deep ultraviolet (DUV) optoelectronic devices. 1. Specification of [...]

2019-03-11метаавтор
SrTiO3 single crystal-2

PAM XIAMEN offers SrTiO3 single crystal. SrTiO3 single crystal provides a good lattice match to most of  materials with Perovskite structure.  It is an excellent substrate for epitaxial film of HTS and many oxide. It has been used widely for special optical windows and as high quality sputtering [...]

2019-05-14метаавтор