LD Bare Bar для 1550нм @ полости 2мм

LD Bare Bar для 1550нм @ полости 2мм

PAM СЯМЫНЬ предлагает LD Голый Bar для 1550нм @ полость 2 мм.

Марка: PAM-СЯМЫНЬ
Длина волны: 1550 нм
Коэффициент заполнения: 19%
Выходная мощность: 25W
Полость Длина: 2 мм

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Найдено в 1990 году, Сямэнь Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-СЯМЫНЬ) является ведущим производителем полупроводникового материала в Китае.РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксию технологию, производственные процессы, спроектированные подложки и полупроводниковые приборы.технологии PAM-СЯМЫНЬ позволяют более высокую производительность и низкую стоимость изготовления полупроводниковой пластины.

Качество является нашим первым приоритетом. PAM-СЯМЫНЬ была ISO9001: 2008, владеет и разделяет четыре современных facories, которые могут обеспечить достаточно большой спектр квалифицированных продуктов для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен быть обработан с помощью обеспечивается наше строгое качество system.Test отчет для каждой партии груза, и каждой пластины являются гарантия.

2019-05-09

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Ag Nanostructures on GaN (0001): Morphology Evolution Controlled by the Solid State Dewetting of Thin Films and Corresponding Optical Properties

We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands    of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University,      Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance    for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of    Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who bought our wafers or service: Article title: Ag Nanostructures on GaN (0001): Morphology Evolution Controlled by the Solid State Dewetting of Thin [...]

2019-10-25мета-автор
Growth of 3C–SiC films on Si substrates by vapor–liquid–solid tri-phase epitaxy

Growth of 3C–SiC films on Si substrates by vapor–liquid–solid tri-phase epitaxy Cubic SiC films (3C–SiC) were deposited on (111) Si substrates by a vapor–liquid–solid tri-phase growth method. In such a process a thin copper layer, which was evaporated on the Si substrate prior to the [...]

2015-05-07мета-автор , ,
InAs Quantum Dot Layers on InP Substrate

The typical structure of InAs quantum dot (QD) layers on InP substrate is available with wavelength of 1.55um for QD photodetector. Quantum dot is called semiconductor nanocrystals (NCs), which refer to three-dimensional constrained nanomaterials with a radius smaller than or close to the exciton [...]

2021-09-17мета-автор
Rapid heating thermal shock behavior study of CVD ZnS infrared window material: Numerical and experimental study

Highlights • The temperature-dependent strengths of CVD ZnS were obtained. • The thermal shock behavior of infrared window was studied by finite element method. • Rapid heating thermal shock tests were conducted to validate the numerical results. Abstract The thermal shock failure has been recognized as one of key failure modes of [...]

2018-01-24мета-автор
Transmitance-GaN material-TEST REPORT

Transmitance-GaN material-TEST REPORT A test report is necessary to show the compliance between custom description and our final wafers data. We will test the wafer characerization by equipment before shipment, testing surface roughness by atomic force microscope, type by Roman spectra instrument, resistivity by non-contact [...]

2018-08-14мета-автор
Sc Doping in Aluminum Nitride (AlN)

Aluminum nitride (AlN) is a widely used III-V group nitride with a hexagonal wurtzite structure in the field of acoustic electronic devices. It has a large direct bandgap (bandgap of 6.2 eV), is compatible with CMOS technology, and has high thermal conductivity. In addition, [...]

2024-04-03мета-автор