Лента из свинцовой фольги

Лента из свинцовой фольги

PAM XIAMEN предлагает ленту из свинцовой фольги.

Лента из свинцовой фольги: ширина 2 дюйма, толщина 0,0063 дюйма, длина 36 ярдов.

Лента из 100% чистой свинцовой фольги, покрытая клеевой системой на основе синтетического каучука, которая демонстрирует превосходную адгезию к широкому спектру поверхностей, особенно к металлу, стеклу, пленке, фольге и бумаге. Очень податлив и может быть сформирован в самые замысловатые узоры.
Физические свойства:

Основа из свинцовой фольги 5 мил
Адгезивная смешанная резина
Толщина ленты (без подкладки) 6,5 мил
Адгезия отслаивания 96 унций/дюйм
Прочность на растяжение 23 фунта/дюйм
3-дюймовый центральный сердечник
Термостойкость от 40 F до 180 F
Удлинение (при разрыве) 30%

Приложения:

Используется в качестве экрана рентгеновского излучения для рентгеновского аппарата
Используется для блокировки рентгеновского излучения от рентгеновской установки DX-100 и MD-10 Compact XRD.
Используется в качестве электромагнитного и радиочастотного экрана.

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), основанная в 1990 году, является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае.PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные подложки и полупроводниковые устройства.Технологии PAM-XIAMEN обеспечивают более высокую производительность и более низкую стоимость производства полупроводниковых пластин.

Обладая более чем 25-летним опытом работы в области составных полупроводниковых материалов и экспортного бизнеса, наша команда может заверить вас, что мы можем понять ваши требования и профессионально справиться с вашим проектом.

2019-05-10

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Why Wafer Thinning Is Required?

From the perspective of the cross-sectional structure of integrated circuits, most integrated circuits are fabricated on the shallow surface layer of the silicon base material. Due to the requirements of the manufacturing process, high requirements are placed on the dimensional accuracy, geometric accuracy, surface [...]

2022-06-13meta-author
Shortwave Infrared InGaAs Sensor

Indium gallium arsenide (InGaAs) sensors are supplied by PAM-XIAMEN, a InGaAs sensor manufacturer. Its working principle is actually the principle of shortwave infrared (SWIR). And the working principle of SWIR-based sensor is similar to that of CMOS-based sensor, converting photons into electrons. SWIR technology [...]

2021-07-15meta-author
4″ FZ Prime Silicon Wafer-5

PAM XIAMEN offers 4″FZ Prime Silicon Wafer. 4″ Si wafer, R>20,000Ωcm Silicon, Si wafers orientation (100) dimensions 100 mm x 525µm (+/-25µm) thick. FZ >20 000 ohm.cm Ra<0.5 nm One side polished Ra<0.5nm (µelectronic grade) For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send [...]

2019-07-05meta-author
3″ Silicon EPI Wafer-2

PAM XIAMEN offers 3″ Silicon EPI Wafers. Substrate EPI Comment Size Type Res Ωcm Surf. Thick μm Type Res Ωcm 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 28.5 n- Si:P 4±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 28.5 n- Si:P 20±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 30 n- Si:P 4.5±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 9.5±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 11±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 36 n- Si:P 4±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 41 n- Si:P 25±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 42 n- Si:P 20.5±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 42.5 n- Si:P 17±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 52.5 n- Si:P 12.5±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 56 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 70 n- Si:P 73±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 72 n- Si:P 12.5±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 73 n- Si:P 84±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 75 n- Si:P 13±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 75 n- Si:P 11±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 80 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx375μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 85 n- [...]

2019-03-08meta-author
LaAlO3 single crystal-2

PAM XIAMEN offers LaAlO3 single crystal. LaAlO3 single crystal provides a good lattice match to many materials with perovskite structure. It is an excellent substrate for epitaxial growth of high Tc superconductors, magnetic and ferro-electric thin films. The dielectric properties of LaAlO3 crystal are well [...]

2019-05-07meta-author
GaAs/AlAs Wafer

From a solid-state device perspective, aluminum arsenide (AlAs) has great potential, especially because alloys of AlAs and GaAs can provide material for high-speed electronic and optoelectronic devices. Moreover, GaAs / AlAs quantum well structures are widely used in the fabrication of III-V epitaxial wafer. [...]

2014-11-21meta-author