ПАМ-СИАМЭНЬ,эпи-провайдердля GaN-светодиодов на Si, может предложить высокопроизводительные прототипы синих и зеленых светодиодов, которые выращивают 2, 4, 6 и 8 дюймов из нитрида галлия (GaN) слои на основе структуры светодиодной пластины на кремниевой подложке, а также на сапфировой подложке. Кремний имеет низкую стоимость по сравнению с сапфировыми подложками, а обработка кремниевых пластин большого диаметра уже популярна на рынке полупроводников с возможностью массового производства светодиодов. Дополнительные сведения о светодиодной пластине см. в таблицах ниже.
Сапфировая подложка, кремниевая подложка и подложка из карбида кремния — это три наиболее часто используемых материала подложки для изготовления светодиодных чипов. Световая отдача белого светодиода с сапфировой подложкой превысила 150 лм/Вт, а лабораторный уровень превысил 200 лм/Вт. В то же время светодиод белого света на кремниевой подложке с независимыми правами на техническую собственность достиг 150 лм/Вт. С точки зрения светоотдачи светодиодное освещение достигло стандарта замены традиционных источников света. Таким образом, скорость проникновения на рынок светодиодного освещения будет быстро расти.
1. Характеристики светодиодной пластины на кремнии
1.1 Светодиодная пластина Epiwafer на кремнии для синего света (в основном используется в дисплеях MicroLED)
| Пункт | Параметры | |
| Размер микро-светодиодной пластины | 2", 4", 6" и 8" | |
| Ориентация | Ось C(0001)+/-1° | |
| P-(AlIn)GaN | 120 – 170 нм, [Mg] > 1E19/см3 | |
| Несколько квантовых ям InGaN/GaN | 100 – 200 нм | |
| nGaN | 1,40 – 1,60 мкм, [Si] ~ 5,0E18/см3 | |
| Буфер | 1,50 – 1,70 мкм | |
| Средняя доминирующая длина волны | 450 ~ 470 нм | |
| Вафельный бант | < ±50 мкм | |
| FWHM | < 20 нм | |
| подложка | Si(111) | |
| Толщина подложки | 100 мм | 800 мкм |
| 150 мм | 1 мм | |
| 200 мм | 1,15 мм | |
1.2 Светодиодная пластина на кремнии для зеленого света
| Пункт | Параметры | |
| Размер | 2", 4", 6" и 8" | |
| Ориентация | Ось C(0001)+/-1° | |
| P-(AlIn)GaN | 100 – 170 нм, [Mg] > 1E19/см3 | |
| Несколько квантовых ям InGaN/GaN | 200 – 300 нм | |
| nGaN | 1,40 – 1,60 мкм, [Si] ~ 5,0E18/см3 | |
| Буфер | 1,50 – 1,70 мкм | |
| Средняя доминирующая длина волны | 500 ~ 520 нм | |
| Вафельный бант | < ±50 мкм | |
| FWHM | < 40 нм | |
| подложка | Si(111) | |
| Толщина подложки | 100 мм | 800 мкм |
| 150 мм | 1 мм | |
| 200 мм | 1,15 мм | |
2. Изготовление светодиодных пластин: мы можем предложить услуги по изготовлению, вы можете отдельно заказать услугу подъема и склеивания флип-чипов или полный процесс изготовления чипов.
2.1 Подготовка светодиодной пластины III-N:
Перед эпитаксиальным отрывом и склеиванием убедитесь, что качество поверхности Top (n-стороной вверх).
2.2 Спецификация эпитаксиального отрыва и флип-чип-склеивания:
а. Качество поверхности и материала после склеивания такое же или лучше, чем у исходной пластины: подходит дляn-контактная схема для microLEDПриложения;
б. Связывание металла / материала с кремниевой несущей пластиной имеет высокую проводимость (более низкое удельное сопротивление, чем несущая кремниевая пластина, см. ниже);
в. Кремниевая несущая пластина обладает высокой проводимостью (низкое удельное сопротивление ~0,001-0,005 Ом·см или менее) для обеспечения формирования тыльных p-контактов;
д. Подложка Si чистая (такая же стартовая поверхность светодиодной пластины): Нет смазки, песка или частиц;
е. Пластина-носитель Si должна быть достаточно толстой, чтобы ее можно было взять пинцетом, не разрушив:
- 300 мкм или 500 мкм (+/- 10%) Siдоступный;
- Чтобы удовлетворить требованиям по проводимости и формированию контактов, можно указать более тонкую пластину, но это необходимо пересмотреть.
2.3 Очистите купленные образцы в том виде, в каком они были получены:
а. Образцы узоров с двухцветным фоторезистом (несколько шагов): Проявление в проявителе на основе ТМАХ;
б. При необходимости выполните RIE;
в. Обработка поверхности образцов в разбавленном растворе КОН в условиях нагрева;
д. Металлизировать (электронно-лучевое напыление) вершину мезы n-контактным металлом;
е. Металлизируйте (электронно-лучевое испарение) заднюю сторону проводящей кремниевой пластины или дно мезы металлом p-контакта: отжигайте p-контакт с RTA.
3. Почему стоит выбрать светодиодную пластину на основе кремния для приложений MicroLED?
Причины выбора светодиодных пластин на кремниевой основе для приложений microLED проиллюстрированы ниже:
Во-первых, кремний может иметь диаметр до 300 мм, а стоимость невысокая.
Во-вторых, поскольку частицы встраиваются в поверхность в процессе роста и ухудшают качество материала, чем меньше частиц, тем лучше качество эпитаксиальной пластины. Кремний может стать хорошей подложкой для высококачественных светодиодных пластин с низким содержанием частиц.
Важнее,GaN-на-кремнииимеет то преимущество, что она совместима со зрелым производством на основе кремния. Эта производственная технология для производства светодиодных пластин очень зрелая и может использоваться для монолитной интеграции тонкопленочных процессов и матриц.
Наконец, в эпитаксиальных пластинах светодиодов GaN-на-кремнии можно использовать соответствующие методы инженерии деформации для достижения хорошей однородности и минимальной деформации.
Большое количество испытаний светодиодных пластин PAM-XIAMEN GaN на кремнии показывает, что они обладают большим потенциалом для изготовления микросветодиодов. Материал светодиодной пластины PAM-XIAMEN имеет коробление пластины менее 30 мкм, внутреннюю квантовую эффективность более 80% и хорошую однородность длины волны, что может хорошо способствовать увеличению производительности производства дисплеев microLED.
4. Часто задаваемые вопросы о светодиодной пластине GaN
В1:Должны ли мы активировать GaN p-типа на кремнии ниже, то есть выполнять термический цикл, чтобы водород диффундировал, или этот шаг уже был сделан на вашем предприятии?
PAMP18168-СИЛЕД
| Слой No. | Материал | Толщина |
| 8 | P++ GaN | – |
| 7 | P-GaN | – |
| 6 | Р-AlGaN | – |
| 5 | MQW | – |
| 4 | N-GaN | – |
| 3 | Нелегированный GaN | 500 нм |
| 2 | буфер AlGaN | – |
| 1 | AlN | – |
| Si (111) подложка |
А：Да, вы должны активировать GaN p-типа на основе Si под N2 при определенной степени в течение нескольких минут (190609). Для получения более подробной информации, пожалуйста, свяжитесь сvictorchan@powerwaywafer.com.
Q2:Какова самая высокая концентрация легирующей примеси p-типа для верхнего слоя эпитаксиальных пластин синих светодиодов (GaN или AlGaN)?
А:Концентрация легирования Mg для верхнего слоя синей светодиодной пластины GaN составляет (1-5)E20, а эффективность активации Mg составляет 1%, поэтому после активации концентрация легирования Mg должна быть (1-5)E18.
Q3:Можете ли вы поделиться с нами данными CTLM вашего ITO на вашей светодиодной пластине p-GaN/Si?
:Мы используем метод тестирования с четырьмя зондами для тестирования светодиодной пластины GaN на кремнии со слоем ITO и соответствующих данных: в настоящее время существуют только максимальные, минимальные и типичные значения:
| Тестовый элемент | Состояние | параметр | Мин.значение | Типичное значение | Максимальное значение |
| испытательное сопротивление | после отжига | p-GaN контакт | 1.00Э-04 | 4.20Э-04 | 1.00Э-03 |
Q4:Какой метод вы используете для нанесения ITO на структуру светодиода GaN/Si?
:Мы наносим ITO на структуру светодиодов на основе кремния методом напыления.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com а такжеpowerwaymaterial@gmail.com.