Тонкая пленка LT GaAs для фотодетекторов и фотосмесителей

Тонкая пленка LT GaAs для фотодетекторов и фотосмесителей

Выращенная при низкой температуре (LTG) тонкая пленка арсенида галлия (GaAs) на подложке GaAs доступна для фотодетекторов и фотосмесителей. Кроме того, мы можем поставлять пластины Gaas Epi, для получения дополнительной тонкопленочной пластины GaAs см.https://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers/gaas-epiwafer.html. LTG-GaAs — это GaAs, выращенный при низкой температуре 250-300 градусов Цельсия с использованием МЛЭ. LT-GaAs имеет субпикосекундное время жизни носителей и высокое сопротивление после отжига с удельным сопротивлением 107Ом*см, что может предотвратить образование оксидов и предотвратить эффект пиннинга интерфейса металл-полупроводник. Более того, тонкая пленка арсенида галлия, выращенная при низкой температуре, имеет высокие электрические поля пробоя и относительно большую подвижность. Эти свойства делают LT-GaAs одним из предпочтительных материалов для быстродействующих и чувствительных различных оптоэлектронных устройств, таких как фотодетекторы и фотоэмиксеры. Для получения дополнительной информации о тонких пленках GaAs см. таблицу ниже:

Тонкопленочная пластина GaAs

1. Тонкая пленка LT-GaAs, выращенная для фотодетекторов и фотосмесителей

PAMP16051-LTGAAS

Материал слоя Толщина Заметка
LT GaAs Может сделать с коротким сроком службы <1ps
Увы 500 нм
2-дюймовая подложка GaAs

 

Примечание:

По сравнению с GaAs слой AlAs имеет более высокую постоянную решетки, что позволяет выращивать LT-GaAs с большей постоянной решетки. Генерация фототока в GaAs, выращенном при низких температурах, может быть значительно улучшена за счет роста AlAs между вставками. Слой AlAs позволяет включить больше мышьяка в слой LT GaAs, предотвращая диффузию тока в подложку GaAs.

2. Разработка оптоэлектронных устройств на пленке LTG GaAs.

Марш сообщил о производстве и высокочастотных характеристиках отдельно стоящих фотопроводников и фотосмесителей на основе LT GaAs. Фотоотклик устройств показал переходные электрические эффекты длительностью 0 пс ~ 55 пс и напряжением усиления 1,3 В.

Malooci сообщил, что LTG GaAs используется в качестве волноводного оптического смесителя в приложениях миллиметрового и терагерцового диапазона.

Mayorga использует поглощение LTG CaAs для смешивания двух лазеров (ближнего инфракрасного диапазона) для получения высокочастотных сигналов, которые можно использовать в качестве опорных сигналов для объемных генераторов терагерцового диапазона для таких приложений, как ALMA (Исследовательский проект больших миллиметровых решеток Atacama).

Вингендер использовал оптический смеситель, изготовленный из тонкопленочных материалов LT-GaAs, для создания стационарного диодного лазера с оптической обратной связью.

Хан Цинь и др. изготовил фотодетектор с усиленным резонатором (RCE) на основе GaAs 1,55 мкм с использованием материала LTG GaAs в качестве светопоглощающего слоя, а также проанализировал и изучил его фотоэлектрические свойства. Темновой ток прибора 8,0х10-12А; пиковая длина волны спектра фототока 1563 нм; полуширина спектра отклика составляет 4 нм с хорошей избирательностью по длине волны.

Кратко представлены основные области применения и результаты исследований эпислоя LT-GaAs в оптоэлектронных устройствах, которые очень важны для улучшения характеристик тонкопленочных устройств LT-GaAs. Когда устройство переходит на субмикронный уровень, может быть образован чистый омический контакт, что позволяет избежать процесса термообработки омического контакта для устройства, а эффективность и производительность устройства также будут значительно улучшены. Считается, что в ближайшем будущем LT-GaAs станет незаменимым информационным функциональным материалом в устройствах на основе GaAs.

 

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

2022-08-12

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Fabrication of ZnO nanorod/p-GaN high-brightness UV LED by microwave-assisted chemical bath deposition with Zn(OH)2–PVA nanocomposites as seed layer

Chemical solution deposition is a low-temperature and possibly the lowest-cost method of growing ZnO nanorods on a GaN substrate. However, most reported methods leave an interface layer between the grown ZnO nanorods and substrate, which can interfere with light emission and extraction. Here we [...]

2013-09-22мета-автор , , ,
Si с никелевым покрытием

PAM XIAMEN предлагает кремниевые пластины с покрытием. Никель <111> Пленка (100 нм) Si-пластина с покрытием (100) P/Boron, 10x10x0,5 ммSSP, R: 1-20 Ом.см Никель <111> Пленка (100 нм) Si-пластина с покрытием (100) P/Boron, 5x5x0. 5 ммSSP, R: 1–20 Ом·см, никелевая пленка <111> (100 нм) Пластина SiO2/Si с покрытием - (100) P/Boron, 10x10x0,5 ммSSP, R: 1–20 Ом·см, никель<111> пленка (100 нм) ) [...]

2019-04-28мета-автор
GaN/SiC HEMT epi-wafers

GaN/SiC HEMT epi-wafers PAM-XIAMEN offers GaN/SiC HEMT epi-wafers GaN on SiC HEMT epi-wafers (PAM-101009-HEMT 1) 4-inch SiC substrate 2) nucleation layer 3) Buffer layer (GaN channel, GaN buffer) – 15000-20000 A 4) Barrier layer (AlN) – 60-70A 5) Spacer (GaN) – 10A 6) SiN layer – 30A Expected [...]

2020-03-18мета-автор
4-дюймовая кремниевая пластина-4

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Diameter Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 100 P Boron CZ -111 1-20 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -111 1-20 500-550 P/E PRIME 100 P Boron CZ -110 1-20 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -110 1-20 500-550 P/E PRIME 100 Any Any CZ Any Any 350-600 P/E TEST 100 Undoped VGF -100 >1E7 500-600 P/P 100 Undoped VGF -100 >1E7 500-600 P/P 100 N Si VGF -100 600-650 P/E PRIME 100 P Zn VGF (100) off 2 deg twd <110> 0.01 375-425 P/E epi 100 P Zn VGF -100 600-650 P/E PRIME 100 Si Undoped VGF -100 >1E7 600-650 P/E PRIME 100 Si Undoped VGF -100 10000000 610-660 P/P EPI 100 Undoped CZ -100 >30 450-500 P/P EPI 100 Undoped CZ -100 >30 500-550 P/E EPI 100 N Sb CZ (100)-9 <.4 150-200 P/E EPI 100 N Sb CZ -100 .005-.02 450-500 P/P EPI 100 N Sb CZ -100 .005-.02 500-550 P/E EPI 100 P Ga CZ -100 .01-.04 450-500 P/P EPI 100 P Ga CZ -100 .01-.04 500-550 P/E EPI 100 N Si VGF -100 600-650 P/E PRIME 100 Si Fe VGF -100 5000000 600-650 P/E PRIME 100 Single Wafer Shipper ePak Holds1Wafer PRIME 100 Shipping Cassette ePak Holds25Wafers Clean Room 101.6 N Phos CZ -100 1-20 300-350 P/P 101.6 N Phos CZ -100 1-20 350-400 P/E 101.6 P Boron CZ -100 1-20 300-350 P/P 101.6 P Boron CZ -100 1-20 350-400 P/E For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material [...]

2019-03-04мета-автор
PbTe single crystal substrate

PAM XIAMEN offers PbTe single crystal substrate.(Not sell it temporarily) Lead telluride (Phoebe) is a compound of lead and tellurium (PbTe); it is a narrow gap semiconductor. It occurs naturally as the mineral altaite. It is often alloyed with tin to make lead tin telluride, [...]

2019-05-14мета-автор
Why Does SiC Wafer Show Different Color?

Due to the wide band gap of SiC wafer, SiC does not absorb part or almost all of the visible light. The wavelength of the absorbed light depends on the band gap, the energy levels of the main impurities and the excited energy levels [...]

2021-03-05мета-автор