Differential Magnetoresistive Sensor

Differential Magnetoresistive Sensor

Differential magnetoresistive sensor for sale from PAM-СЯМЫНЬ is one of magnetoresistive sensors, which is packaged by indium antimonide (InSb) thin film magnetoresistor plus bias magnet with a metal shell. As a result, the output signal is a quasi-sine wave signal. The specification of differential magnetoresistive (MR) sensor provided is as following:

Изображение магниторезистивного датчика

Differential Magnetoresistive Sensor Image

1. Differential Magnetoresistive Sensor Datasheet

This differential magnetic resistance sensor has a low resistance from 300 ohm to 900 ohm with a size of Dia. 10mm.

Технические параметры ПАМ10-10Л PAM10-10D
Максимальное рабочее напряжение 10 В постоянного тока 10 В постоянного тока
Номинальное рабочее напряжение DC 5V DC 5V
Выходное напряжение смещения при Vin

25 ℃ δ = ∞

≤130 мВ ≤130 мВ
Выходная амплитуда, 25 ℃ δ = 0,15 мм,

Стандартный целевой объект

> 900 мВ > 1000 мВ
Общее сопротивление R1-3,25 ℃,

I < 1 мА, δ = ∞

220-900 Ом 900-1600 Ом
Асимметрия сопротивления (R12 и R13) 25 ℃ , δ = ∞

 

≤10% ≤10%
Частота среза > 20 кГц > 20 кГц
Рабочая температура

 

-30 ~ 70 ℃ -30 ~ 70 ℃

 

Differential MR Sensor Dimensions:

Differential MR Sensor Dimensions

2. Что такое магниторезистивный датчик?

Датчик магниторезистивного эффекта выполнен на основе эффекта магнитосопротивления магнитных материалов. Магнитные материалы обладают характеристикой анизотропии. При намагничивании направление намагничивания будет зависеть от легкой оси материала, формы и направления намагничивающего магнитного поля. Когда к материалу пермаллоя в форме ленты прикладывают ток I, сопротивление материала зависит от угла между направлением тока и направлением намагничивания.

Если к материалу приложить магнитное поле B (измеренное магнитное поле), исходное направление намагничивания будет повернуто. Если направление намагничивания изменится на направление, перпендикулярное току, сопротивление материала уменьшится; если направление намагничивания изменится на направление, параллельное току, сопротивление материала увеличится. Магниторезистивные датчики обычно состоят из четырех таких резисторов и соединяют их в виде моста. Под действием измеряемого магнитного поля B значения сопротивления двух резисторов, расположенных в противоположных местах моста, увеличиваются, а значения сопротивления двух других резисторов уменьшаются.

3. Какие типы магниторезистивных датчиков?

Магниторезистивные датчики можно разделить на две категории:

Во-первых, при приложении сильного магнитного поля, когда напряженность приложенного поля достаточно высока для насыщения магнитомягкого материала датчика, магнитный вектор в датчике почти параллелен приложенному полю. Поэтому бесконтактный магниторезистивный датчик угла является обычным применением магниторезистивного датчика с сильным полем.

Во-вторых, что касается приложения слабого магнитного поля, форма полосы определяет вектор намагниченности, потому что естественное предпочтение продольной реологии проявляется намагниченностью. Внешний магнит вызовет искажение намагниченности в полосе, изменяя сопротивление из-за эффекта MR. Таким образом, в этой схеме обычно используется линейный датчик слабого магнитного поля.

Магниторезистивный датчик VS Датчик на эффекте Холла

Чувствительность и линейность датчика магнитосопротивления соответствуют требованиям магнитных компасов, а его характеристики во всех аспектах значительно лучше, чем у устройств Холла. Ошибка гистерезиса и температурный дрейф нулевой точки также могут быть устранены путем чередования прямого и обратного намагничивания MR-датчика. Благодаря превосходным характеристикам магниторезистивного датчика, в некоторых приложениях он может конкурировать с феррозондовым датчиком.

4. How Does a Differential Magnetoresistive Sensor Work ?

Создание магнитного поля смещения или магнитного железа в задней части магнитного сопротивления пленки является основной структурой дифференциального магниторезистивного датчика. Магнитное поле в MR 1 и MR 2 будет увеличиваться один за другим, что приведет к увеличению сопротивления MR 1 и MR 2, когда ферромагнитные объекты или магнит проходят через зону обнаружения. Подайте напряжение Vcc на конце ① и ③, на конце ② будет синусоида. См. Рис. Ниже:

Differential MR Sensor Working Principle

5. Differential Magnetoresistive Sensors Properties 

There are many characteristics of differential magneto resistive sensor:

  • Он может определять скорость в широком диапазоне;
  • Имеет прочный металлический корпус;
  • Амплитуда сигнала не имеет ничего общего со скоростью;
  • Есть встроенный подмагничивающий магнит;
  • Лучше всего подходит для суровых условий окружающей среды.

6. Differential Magnetoresistive Sensor Applications

Благодаря превосходным свойствам датчика дифференциального магнитного сопротивления, его можно использовать в различных приложениях, таких как определение скорости, угла обнаружения, определение числа оборотов электрического шпинделя, измерение числа оборотов штампа печатной платы, измерение небольшого линейного перемещения и т. Д. В частности:

6.1 Measuring RPM of PCB by Differential Magneto Resistive Sensor

The sensor of differential magnetic resistance is widely applied in the measuring the speed of ferromagnetic rotors, like slotted disk, gears, and rack. A stable sine wave can be got after installing correctly.

датчик дифференциального магнитного сопротивления, измеряющий скорость передачи

The usage of differential MR sensor in controlling excavator angle displacement :

Differential MR sensor applied in controlling angle displacement of excavator

6.2 Differential MR Sensor Measuring Small Displacement

A standard ferromagnetic target object in a specific size through the differential sensor along with the direction of sensing can obtain a signal, which is similar to the sine wave. The output signal is linear within a range of 1.5mm near the center position.

installation and output signal of differential magnetic resistance sensor measuring small displacement

Метки:

  • Поскольку датчик легко повреждается, запрещается сжимать, сталкиваться и царапать поверхность обнаружения;
  • Датчик должен быть надежно закреплен и перемещаться в направлении считывания в процессе установки;
  • The sensor working temperature should be -30~70 ℃. Temperature over the range will affect the lifetime;
  • The rated working voltage and the maximum working voltage of the differential magnetoresistive sensor is respectively 5V and 10V.

Please read the related post for more information about the magnetoresistance sensor: https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistance-sensor.html

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу [email protected] и [email protected].

Поделиться этой записью