Осаждение металла на кремниевой пластине

Осаждение металла на кремниевой пластине

Кремниевые пластины с различным напылением металла продаются в размерах от 2 дюймов до 12 дюймов. Осаждение металла на кремниевую пластину обычно представляет собой обработку на поверхности подложки, а толщина подложки обычно составляет 300 ~ 700 мкм. Список пластин приведен ниже для справки:

1. Список металлических осаждений на кремниевой пластине.

Нет. Материал Размер (дюйм) Поверхность законченная Тип Толщина (мкм) Толщина пленки (нм) Сопротивление (Ом · см) Ссылочная кромка
M2 Кремниевая пластина с золотым покрытием 4 SSP N100 450 ± 15 10 нм Cr + 100 нм 0,01 ~ 0,02 2
M4 Кремниевая пластина с золотым покрытием 2 SSP P100 430 ± 10 20 нм Ti + 100 нм 0 ~ 0,005
M5 Позолоченная силиконовая пластина 2 SSP N100 430 ± 10 20 нм Ti + 1200 нм 0 ~ 0,05 1
M14 Кремниевая пластина с медным покрытием 6 SSP N100 675 ± 25 2000 нмCu 1 ~ 100
M15 Кремниевая пластина с алюминиевым покрытием 8 SSP P100 700 ± 25 500нмАл 1 ~ 100
M18 Si-пластина с медным покрытием 12 SSP P100 700 ± 25 1000 нмCu 1 ~ 100
M19 Si-пластина с медным покрытием 12 SSP P100 700 ± 25 500 нмCu 1 ~ 100
M20 Si-пластина с медным покрытием 6 SSP N100 625 ± 25 125 нмCu 0,01 ~ 0,02
M21 Кремниевая пластина с золотым покрытием 2 SSP P100 400 ± 15 10 нм Cr + 100 нм 0 ~ 0,0015
M22 Позолоченная силиконовая пластина 2 SSP N100 280 ± 15 10 нм Cr + 100 нм 0 ~ 0,05
M33 Кремниевая пластина с платиновым покрытием 2 SSP P100 430 ± 15 30 нм Ti + 150 нмPt 0 ~ 0,0015
M34 Позолоченная Si-пластина 4 DSP 100 110 ± 25 10 нм Cr- + 50 нм 0,01 ~ 0,05
M35 Позолоченная Si-пластина 6 DSP 100 200 ± 25 10 нм Cr + 50 нм 0,005 ~ 0,01
M36 Si-вафля с золотым покрытием 6 SSP N100 625 ± 25 10 нм Cr + 50 нм 0,01 ~ 0,02
M37 Si-вафля с золотым покрытием 4 DSP P100 200 ± 10 50 нмCr + 10 нм 2 ~ 3
M40 Платинированная Si-вафля 4 SSP P100 515 ± 15 300 нмSi02 + 30 нмTi + 300 нмPt 0,008 ~ 0,012 2
M41 Платинированная Si-вафля 4 SSP P100 525 ± 25 300 нм SiO2 + 30 нм Ti + 300 нмPt 0,01 ~ 0,02 2
M42 Si-пластина с покрытием Au 6 DSP 100 200 ± 25 10 нм Cr + 50 нм 0,005 ~ 0,01
M43 Si-пластина с платиновым покрытием 4 SSP P100 500 ± 15 300 нмSi02 + 30 нмTi + 150 нмPt 0 ~ 0,0015 2
M44 Si-пластина с платиновым покрытием 4 SSP P100 500 ± 15 500 нм SiO2 + 30 нм Ti + 150 нмPt 0 ~ 0,0015 2
M46 Si-пластина с золотым покрытием 4 SSP N100 525 ± 15 30 нм Cr + 125 нм 0 ~ 0,005
M47 Si-пластина с медным покрытием 4 SSP N100 525 ± 15 30 нмCr + 100 нмCu 0 ~ 0,005
M49 Si-пластина с медным покрытием 4 SSP P100 525 ± 15 30 нмCr + 100 нмCu 8 ~ 12 2
M50 Si-пластина с золотым покрытием 4 SSP N100 450 ± 15 90 нм SiO2 + 10 нм Cr + 100 нм 0,012 ~ 0,018
M51 Si-пластина с платиновым покрытием 4 SSP P100 500 ± 10 280 нм Si02 + 150 нмPt 0 ~ 0,0015 1
M52 Si-пластина с покрытием Cr 4 SSP N100 525 ± 25 200нмКр 0,01 ~ 0,02 2
M54 Si-пластина с покрытием из серебра 4 SSP P100 500 ± 10 30 нм Cr + 200 нм 0 ~ 0,05 2
M55 Кремниевая пластина с медным покрытием 4 DSP P100 500 ± 10 20 нм Ti + 100 нм 0 ~ 0,05 2
M56 Кремниевая пластина с медным покрытием 4 DSP P100 500 ± 10 20 нм Ni + 100 нм 0 ~ 0,05 2
M57 Кремниевая пластина с медным покрытием 4 SSP N100 500 ± 10 Неполированная поверхность 20nnTi + 100nmAu 1 ~ 3 2
M58 Кремниевая пластина с золотым покрытием 4 DSP N100 525 ± 25 20 нм Ti + 100 нм 0 ~ 0,01 2
M59 Силиконовая пластина с золотым покрытием 4 SSP P100 525 ± 20 Неполированная поверхность 20 нмNi + 100 нмAu 1-3 2

 

We also can offer Al coated silicon wafer (PAM200723-SI):

8″ Aluminized coated Si wafer
Diameter: 200+/-0.5mm

Type: P/Boron

Orientation: <100>

Resistivity: >0.5 ohm.cm

Thickness: 200um+/-50um

Notch: V

Surface: Polished/Etched

Coated layer: Ti 500A + Al 30,000A+/-10%

Возьмем, к примеру, кремниевую пластину с платиновым (Pt) покрытием: поскольку платиновый слой имеет высокую твердость, низкое сопротивление и хорошую свариваемость, проводимость, твердость и коррозионная стойкость платинированной кремниевой пластины увеличиваются, что позволяет использовать ее в качестве проводящего материала. субстрат.

2. О платиновом покрытии кремниевой пластины

Осаждение металла на кремниевой пластине относится к процессу металлизации, при котором металлические тонкие пленки наносятся на пластину с образованием проводящей цепи. Металлы обычно - золото, платина, алюминий, медь, серебро и так далее. Также можно использовать металлические сплавы.

В процессе металлизации часто используется технология вакуумного напыления. В то время как для процесса осаждения обычными методами изготовления платиновой пленки на кремниевой пластине являются распыление, электронно-лучевое испарение, мгновенное испарение и индукционное испарение.

Кремниевая пластина обычно используется для осаждения и выращивания тонкой сегнетоэлектрической пленки из источников распыления. Температура спекания обычно может достигать 650 ~ 850 ° C. Во время спекания напряжение сильно изменяется, и напряжение или сжатие уменьшаются, когда оно достигает гигапаскалей. После этого типичное напряжение тонкой сегнетоэлектрической пленки составляет около 10 ° гигапаскаль. На тонкой пленке Pt появляются небольшие трещинки, когда температура превышает 750 ° C. Следовательно, металлический слой Pt при обработке кремниевых пластин должен осаждаться при температуре ниже 750 ° C.

powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью