Эпитаксия из паровой фазы металлорганических соединений и характеристики сплавов AlInN с почти согласованной решеткой на шаблонах GaN/сапфир и отдельно стоящих подложках GaN

Проведены исследования по оптимизации эпитаксии высококачественных сплавов AlInN n-типа с различным содержанием индия, выращенных на двух типах подложек методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (MOVPE). Было исследовано влияние давления роста и молярного соотношения V/III на скорость роста, содержание индия и морфологию поверхности тонких пленок AlInN, выращенных методом MOVPE. Морфологию поверхности образцов охарактеризовали методами сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии. Изменяя температуру роста от 860 °C до 750 °C, содержание индия в сплавах AlInN увеличивалось с 0,37% до 21,4%, что определялось методами рентгеновской дифракции (XRD). Были проведены исследования по оптимизации условий роста для достижения практически согласованной решетки AlInN на шаблонах GaN, находящихся на сапфировых и отдельно стоящих подложках GaN, и результаты были проанализированы сравнительным способом. Также обсуждаются некоторые применения сплава AlInN для изготовления термоэлектрических и светодиодов.