Характеристики усиления и фемтосекундный оптический импульсный отклик многослойных QD-SOA с полосой 1550 нм, выращенных на подложке InP(311)B
В этой статье мы продемонстрировали многослойные QD-SOA с полосой 155 нм, выращенные методом компенсации деформации наПодложка InP(311)Bи оценили основные характеристики усиления и фемтосекундную характеристику оптического импульса для применения в сверхбыстрых полностью оптических устройствах с логическими вентилями. Длина устройства составляла 1650 мкм, а максимальное усиление 35 дБ было получено при токе инжекции 500 мА. Мы также ввели два последовательных фемтосекундных дублированных импульса в QD-SOA, изменив длительность, и наблюдали выходные формы сигналов автокорреляции. В результате было оценено эффективное время перехода носителя порядка 1 пс.
- QD-СОА;
- 1550 нм-диапазон;
- ИнП(311)Б;
- Отклик фемтосекундного оптического импульса
ИСТОЧНИК: SCIENCEDIRECT
PAM-XIAMEN can supply InP (311) substrate with specification as following:
| Material | InP |
| Diameter | 50.6±0.3mm |
| Thickness | 350±25um |
| Orientation | (311)0° |
| Growth Method | VGF |
| Conductivity | S-C-N |
| Dopant | S |
| OF Location/Length | EJ±0.5°/16±1mm |
| IF Location/Length | EJ±0.5°/7±1mm |
| Ingot CC | Min:2.00E+18/cm3 Max:8.00E+18/cm3 |
| Resistivity | Min:0.6E-03Ω.cm Max:2.5E-03Ω.cm |
| Mobility | Min:1000/cm2/V.s Max:2000/cm2/V.s |
| EPD | Ave:≤1000/cm2 |
| TTV/TIR | ≤10um |
| Bow | ≤10um |
| Warp | ≤15um |
| Edge Rounding | 0.250mmR |
| Surface Finish-front | Polished |
| Surface Finish-back | Etched |
| Particle Count | N/A |
| Epiready | Yes |
| Laser Marking | N/A |
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.