Кремниевые подложки P-типа

Кремниевые подложки P-типа

PAM XIAMEN предлагает кремний P-типа. Пожалуйста, пришлите нам электронное письмо, если вам нужны другие характеристики и количество.

Ниже приведен краткий список наших кремниевых подложек p-типа.

Кремний P-типа

Si 50,8 мм P-тип, легированный бором (100) 0,001–0,005 Ом-см, 280 мкм SSP В наличии
Si 76.2mm P-type Boron Doped (100) 1-10 ohm-cm 380um SSP In stock
Si 100mm P-type Boron Doped (100) 10-20 ohm-cm 500um SSP In stock
Si 150mm P-type Boron Doped (100) 0.01-0.02 ohm-cm 625um SSP In stock
Si 200mm P-type Boron Doped (100) 24-36 ohm-cm 725um SSP In stock

Купите всего одну кремниевую пластину P-типа

FZ 6″×25 мм P-тип Si:P[100],(7025-7865)Омсм, 1 ПОЛУплоский У нас есть большой выбор нелегированных, низколегированных и высоколегированных кремниевых пластин первичного, испытательного и механического классов 1″ – 12-дюймовые кремниевые пластины с низким и высоким содержанием легированных примесей имеются на складе и готовы к отправке. Примеры полных и частичных кассет кремниевых пластин включают:

Актуальное специальное предложение на кремниевые пластины MEMC диаметром 100, 150 и 200 мм! Пожалуйста, запросите инвентарный список!

Также доступен сверхтонкий кремний 100 мм P/B (100) 1–10 Ом-см, 25 мкм, тонкий кремний 2 мкм!

Ниже представлена ​​лишь одна из характеристик пластин, которые есть в продаже!

1 ″ Нелегированный кремний (100) > 1000 Ом-см, 250 мкм DSP
2″ P/Boron (100) 1-10 ohm-cm 280um SSP
3″ N/Phosphorus (100) 0.01-0.02 ohm-cm 380um DSP
4″ Intrinsic Silicon (100) >20,000 ohm-cm 500um DSP
6″ P/B (111) <1 ohm-cm 300um SSP
8″ Intrinsic (100) >5,000 ohm-cm 750um SSP
12″ P/B (100) 10-20 ohm-cm DSP 850um

Паспорт безопасности кремниевого материала предоставляется по запросу.

У нас есть множество кремниевых пластин по низкой цене и небольшое количество частичных кассет, поэтому вы можете купить менее 25 пластин и всего одну кремниевую пластину.

Термический оксид мокрый и сухой
Silicon nitride LPCVD and PECVD
Sputtered and Evaporated metals

Мы можем изготовить вафли на заказ в небольших количествах. Мы можем нарезать их кубиками, разбавить до 2 мкм. У нас всегда есть в наличии нелегированные, низколегированные и высоколегированные кремниевые подложки.

Типичный вопрос клиента о кремниевых пластинах:

Посмотрев ваш интернет-магазин, я думаю, что мы могли бы выбрать ваши самые дешевые кремниевые пластины, код продукта 444. Я состою в группе, которая работает над старшим дизайнерским проектом по созданию биобатарейки. Нам нужна подложка для нанесения фотолитографии и последующего нанесения на нее различных драгоценных металлов, которые будут катализировать определенные реакции и проводить электричество. Если у вас есть какие-либо советы по поводу конкретных типов пластин, которые нам понадобятся для таких наноэлектронных устройств, я буду рад узнать. Спасибо.

Мы производим наноматериалы в нашей лаборатории, и один из подходов — использование электрического взрыва проводов (ЭВП). Мы использовали одну из старых кремниевых пластин Скотта (с примесью B) и отломили полоску кремния, которую прикрепили к электродам в нашем аппарате EEW. Это сработало хорошо, и мы планируем сделать то же самое с Ge (германиевой пластиной). Нам нужна пластина толщиной менее 500 микрон. Заполните форму и получите немедленное предложение. Последние специальные предложения на кремниевые пластины см. внизу страницы.

Последние часто задаваемые вопросы о кремниевых пластинах

Что такое плоскостность поверхности кремниевой пластины?

У нас есть ультраплоский кремний со следующими характеристиками
Prime Silicon Wafers 100mm P-type /Boron doped <1-0-0> 490-510 micron 0.005-.020 ohm-cm Semi Std Double Side Polished Total Thickness Variation (TTV)<1 um. These are great for making SOI or MEMS!

Каково значение шероховатости (среднеквадратичное значение) кремниевой пластины?

Большинство наших пластин Prime Grade имеют значение шероховатости Ra<5Å.

Каково определение кремниевых пластин?

Пластина кремния, или подложка, или кремний выращивается в трубке из затравки в длинный слиток, который затем нарезается на кусочки различной толщины, используемые в электронике для изготовления интегральных схем и в фотогальванике. Пластина служит подложкой для микроэлектронных устройств, встроенных в пластину и поверх нее, и подвергается множеству этапов процесса микрообработки, таких как легирование или ионная имплантация, травление, осаждение различных материалов и фотолитографическое нанесение рисунка. Наконец, отдельные микросхемы разделяются (нарезаются кубиками) и упаковываются.

Вы продаете платинированные кремниевые пластины?

Да! Продаем платинированные и тонкие пленки практически всех металлов! Просто дайте нам знать характеристики и количество, чтобы немедленно рассчитать цену!

Вы продаете одну кремниевую пластину? Если да, то как?

Да! Мы продаем всего одну кремниевую пластину. Продаем в индивидуальных вафельницах.

Как очистить пластину Si 100 до того, как образуется диоксид кремния для производства выпуклостей?

RCA Clean — это стандартный набор этапов очистки пластин, которые необходимо выполнить перед этапами высокотемпературной обработки (окисление, диффузия, CVD) кремниевых пластин при производстве полупроводников.
Werner Kern developed the basic procedure in 1965 while working for RCA, the Radio Corporation of America.[1][2][3] It involves the following chemical processes performed in sequence: Removal of the organic contaminants (organic clean + particle clean) Removal of thin oxide layer (oxide strip, optional) Removal of ionic contamination (ionic clean)

Можно ли изменить размер кремниевых пластин с 200 мм на 100 мм?

Да! Мы можем срезать пластину лазером, чтобы вы могли получить две пластины диаметром 100 мм из одной пластины диаметром 200 мм, включая плоские!

Что такое восстановление кремниевых пластин?

Это когда у вас есть пластина с тонкими пленками, оксидом и т. д., и мы снимаем и очищаем ее, чтобы пластины можно было использовать повторно. Часто компании, желающие сэкономить деньги или защитить свою интеллектуальную собственность, забирают свои пластины обратно.

Какое ключевое слово вы использовали, чтобы нас найти? Сообщите нам и вы получите скидку на свой заказ!

цена на кремний, поставщик пластин, цены на кремний, производитель кремния, производство пластин, производители кремния, монокремний, полировка пластин, кремниевая пластина, соединение пластин, определение кремниевых пластин, производители кремниевых пластин, цена кремниевых пластин, обработка кремниевых пластин, ориентация пластин, цена плоских кремниевых пластин, цена кремниевых пластин, сопротивление кремниевых пластин пластины для солнечных батарей si очистка пластин поставщики кремниевых пластин si истончение кремниевых пластин цена кремниевых пластин ориентация кремниевых пластин производители кремниевых пластин 4-дюймовые размеры кремниевых пластин сопротивление кремниевых пластин поставщики кремниевых пластин металлолом кремниевые пластины 4-дюймовые кремниевые пластины кремниевые пластины на продажу кремниевые пластины вики производители кремния Китай Si пластины Процесс Чохральского Полупроводниковые пластины

Сверхтонкий кремний, используемый для солнечной энергии, с эффективностью> 45%
Thick Silicon wafers used as substrates for depositing various films on them, like polymer membranes.
Intrinsic Silicon wafers that let circuits built on it act very fast. This is also why one uses SOI wafers.
Low resisivity Silicon wafers used by laboratories that use Epi growth reactors.
Standard substrates used for npn transistor circuits npn transistorand optical applications.
Inexpensive Silicon wafers used to make ultra-pure and ultra-clean carrier that do not react with the organic sample to be analyzed.

Главная
About Us
Thermal Oxide Si
Undoped Si
Nitride on Si
Thin Silicon

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
send us email at sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), основанная в 1990 году, является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае. PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, специальные подложки и полупроводниковые устройства. PAM-XIAMEN's технологии позволяют повысить производительность и снизить затраты на производство полупроводниковых пластин.

Наша цель — удовлетворить все ваши требования, независимо от того, насколько малы заказы и насколько сложными могут быть вопросы.
to maintain sustained and profitable growth for every customer through our qualified products and satisfying service.

2019-02-13

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

4″ Silicon Wafer-4

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Diameter Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 100 P Boron CZ -111 1-20 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -111 1-20 500-550 P/E PRIME 100 P Boron CZ -110 1-20 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -110 1-20 500-550 P/E PRIME 100 Any Any CZ Any Any 350-600 P/E TEST 100 Undoped VGF -100 >1E7 500-600 P/P 100 Undoped VGF -100 >1E7 500-600 P/P 100 N Si VGF -100 600-650 P/E PRIME 100 P Zn VGF (100) off 2 deg twd <110> 0.01 375-425 P/E epi 100 P Zn VGF -100 600-650 P/E PRIME 100 Si Undoped VGF -100 >1E7 600-650 P/E PRIME 100 Si Undoped VGF -100 10000000 610-660 P/P EPI 100 Undoped CZ -100 >30 450-500 P/P EPI 100 Undoped CZ -100 >30 500-550 P/E EPI 100 N Sb CZ (100)-9 <.4 150-200 P/E EPI 100 N Sb CZ -100 .005-.02 450-500 P/P EPI 100 N Sb CZ -100 .005-.02 500-550 P/E EPI 100 P Ga CZ -100 .01-.04 450-500 P/P EPI 100 P Ga CZ -100 .01-.04 500-550 P/E EPI 100 N Si VGF -100 600-650 P/E PRIME 100 Si Fe VGF -100 5000000 600-650 P/E PRIME 100 Single Wafer Shipper ePak Holds1Wafer PRIME 100 Shipping Cassette ePak Holds25Wafers Clean Room 101.6 N Phos CZ -100 1-20 300-350 P/P 101.6 N Phos CZ -100 1-20 350-400 P/E 101.6 P Boron CZ -100 1-20 300-350 P/P 101.6 P Boron CZ -100 1-20 350-400 P/E For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material [...]

2019-03-04мета-автор
Copper Thin Film on Sapphire Substrate for Graphene Growth

High quality large-area single crystal copper substrate is an effective method for preparing high-quality large-area single crystal graphene. There are several main methods for preparing single crystal copper: 1) Commercial single crystal copper is mostly produced by using the high-temperature hot casting mode continuous [...]

2024-03-12мета-автор
МОНОКРИСТАЛЛЫ, ПЛАСТИНЫ И КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ-6

PAM XIAMEN предлагает монокристаллы, пластины и кристаллические подложки. PAM XIAMEN предоставляет как стандартные, так и индивидуальные высококачественные монокристаллы, пластины и подложки для широкого спектра применений, таких как светодиоды, сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, электрооптика, фотоника, мощная электроника и высокочастотные силовые устройства, и это просто [. ..]

2019-03-12мета-автор
Issues for the larger diameter epitaxial wafer

Issues for the larger diameter epitaxial wafer   In order to establish the epitaxial wafer as the main substrate for semiconductor devices produced on large diameter wafers over 300 mm, the epitaxial wafer must satisfy stringent requirements in terms of both quality and costs. Before proceeding [...]

2013-10-11мета-автор , , , ,
Ni-Coated Si

PAM XIAMEN offers Coated Silicon wafer. Nickel <111> Film( 100nm) Coated Si Wafer (100) P/Boron ,10x10x0.5mmSSP, R:1-20 ohm.cm Nickel <111> Film( 100nm) Coated Si Wafer (100) P/Boron ,5x5x0.5mmSSP, R:1-20 ohm.cm Nickel<111> Film (100nm) Coated SiO2/Si Wafer -(100) P/Boron ,10x10x0.5mmSSP, R:1-20 ohm.cm Nickel<111> Film (100nm) [...]

2019-04-28мета-автор
3″ Кремниевая пластина EPI-2

PAM XIAMEN offers 3″ Silicon EPI Wafers. Substrate EPI Comment Size Type Res Ωcm Surf. Thick μm Type Res Ωcm 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 28.5 n- Si:P 4±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 28.5 n- Si:P 20±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 30 n- Si:P 4.5±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 9.5±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 11±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 36 n- Si:P 4±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 41 n- Si:P 25±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 42 n- Si:P 20.5±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 42.5 n- Si:P 17±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 52.5 n- Si:P 12.5±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 56 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 70 n- Si:P 73±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 72 n- Si:P 12.5±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 73 n- Si:P 84±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 75 n- Si:P 13±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 75 n- Si:P 11±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 80 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx375μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 85 n- [...]

2019-03-08мета-автор