PAM XIAMEN offers FZ & MCZ silicon ingot and silicon wafer:
Описание | |||||||
Метод роста | — | MCZ | |||||
Размер одного кристалла | дюймовый | 2 – 8 | |||||
Тип проводимости | — | N | P | ||||
Легированные элементы | — | П/Сб | B | ||||
Кристаллическая ориентация | — | <111> | <110> | <100> | <111> | <110> | <100> |
удельное сопротивление | Ом.см | 0.0015-100 | 0.001-100 | ||||
RRG | % | 20 | 20 | ||||
Концентрация кислорода | атомов/см3 | 1.00E+18 | 1.00E+18 | ||||
Концентрация углерода | атомов/см3 | 5.00E+16 | 5.00E+16 | ||||
Диаметр | мм | 55-157 | 55-157 | ||||
Длина | мм | 50-500 | 50-500 | ||||
вывих | ЕА/см2 | N / A | N / A | ||||
Вихрь (после окисления) | — | N / A | N / A | ||||
Примечания: указанные выше параметры можно настроить. |
FAQ about MCZ Silicon Wafers
Q:This is just a curiosity, but let me ask about the production method of your MCZ ingots.
I think there are 3 methods for MCZ growth, but which one(s) does your factory adopt?
1. Longitudinal Magnetic Field Method (A magnetic field created by an electromagnet is applied perpendicularly to the melted silicon surface.)
2. Transverse Magnetic Field Method (A magnetic field created by an electromagnet is applied parallel to the melted silicon surface.)
3. Cusp Magnetic Field Method (A pair of electromagnets are placed on top and bottom to create magnetic fields in opposite directions.)
And, I am asking this also just for a curiosity because our customer requires MCZ silicon ingots, but could it also possible to meet all the required specs simply with CZ?
Or does it have to be MCZ to meet the specs?
A:We grow MCZ monocrystalline silicon ingots with Transverse Magnetic Field Method.
Magnetic Field will improve the resistivity uniformity (RRV), some customers specify MCZ if they’re strict on RRV.
Other parameters are not different with CZ
For more details about the MCZ method please read https://www.powerwaywafer.com/magnetic-czochralski.html.
1 ″ Слиток кремния FZ диаметром 25 мм
2-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 50 мм
3-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 76 мм
4-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 100,7 ± 0,3 мм
6-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 150,7 ± 0,3 мм Ø
слиток кремния с нелегированным FZ Intrinsic, срок службы MCC более 1000 Ом·см
Размер и распределение включений Te в слитках CdZnTe детекторного качества
4″ FZ Внутренний нелегированный кремний Ignot-2
FZ Силиконовый слиток диаметром 80+1мм-2
FZ Силиконовый слиток диаметром 60+1мм-2
FZ Силиконовый слиток диаметром 80+1мм-1
Слиток кремния FZ диаметр 60+1мм-1
Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com
Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), основанная в 1990 году, является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае. PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные подложки и полупроводниковые устройства. Технологии PAM-XIAMEN обеспечивают более высокую производительность и более низкую стоимость производства полупроводниковых пластин.
Наша цель - удовлетворить все ваши требования, независимо от того, насколько малы заказы и насколько сложными они могут быть вопросы,
поддерживать устойчивый и прибыльный рост для каждого клиента благодаря нашим качественным продуктам и удовлетворительному обслуживанию.