PAM XIAMEN предлагает кремниевые слитки FZ и MCZ и кремниевые пластины

PAM XIAMEN предлагает кремниевые слитки FZ и MCZ и кремниевые пластины

PAM XIAMEN offers FZ & MCZ silicon ingot and silicon wafer:

Описание
Метод роста MCZ
Размер одного кристалла дюймовый 2 – 8
Тип проводимости N P
Легированные элементы П/Сб B
Кристаллическая ориентация <111> <110> <100> <111> <110> <100>
удельное сопротивление Ом.см 0.0015-100 0.001-100
RRG % 20 20
Концентрация кислорода атомов/см3 1.00E+18 1.00E+18
Концентрация углерода атомов/см3 5.00E+16 5.00E+16
Диаметр мм 55-157 55-157
Длина мм 50-500 50-500
вывих ЕА/см2 N / A N / A
Вихрь (после окисления) N / A N / A
Примечания: указанные выше параметры можно настроить.

 

FAQ about MCZ Silicon Wafers

Q:This is just a curiosity, but let me ask about the production method of your MCZ ingots.
I think there are 3 methods for MCZ growth, but which one(s) does your factory adopt?

1. Longitudinal Magnetic Field Method (A magnetic field created by an electromagnet is applied perpendicularly to the melted silicon surface.)
2. Transverse Magnetic Field Method (A magnetic field created by an electromagnet is applied parallel to the melted silicon surface.)
3. Cusp Magnetic Field Method (A pair of electromagnets are placed on top and bottom to create magnetic fields in opposite directions.)

And, I am asking this also just for a curiosity because our customer requires MCZ silicon ingots, but could it also possible to meet all the required specs simply with CZ?
Or does it have to be MCZ to meet the specs?

A:We grow MCZ monocrystalline silicon ingots with Transverse Magnetic Field Method.
Magnetic Field will improve the resistivity uniformity (RRV), some customers specify MCZ if they’re strict on RRV.
Other parameters are not different with CZ

For more details about the MCZ method please read https://www.powerwaywafer.com/magnetic-czochralski.html.

 

1 ″ Слиток кремния FZ диаметром 25 мм

2-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 50 мм

3-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 76 мм

4-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 100,7 ± 0,3 мм

6-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 150,7 ± 0,3 мм Ø

80 ± 1 мм ФЗ Si Слиток

80 ± 1 мм ФЗ Si Слиток-1

80 ± 1 мм ФЗ Si Слиток-2

80 ± 1 мм ФЗ Si Слиток-3

80 + 1мм ФЗ Си Слиток-4

80 + 1мм ФЗ Си Слиток-5

60 ± 1 мм ФЗ Si Слиток -1

60 ± 1 мм ФЗ Si Слиток -2

60 ± 1 мм ФЗ Si Слиток -3

60+1мм FZ Si слиток -4

60 + 1 мм ФЗ Си Слиток -5

60 + 1 мм ФЗ Си Слиток -6

Кремний Слиток

слиток кремния с нелегированным FZ Intrinsic, срок службы MCC более 1000 Ом·см

Слитки кремния-8

Слитки кремния-7

Слитки кремния-6

Кремниевые Слитки-5

Слитки кремния-4

Слитки кремния-3

Слитки кремния-2

Кремниевые Слитки-1

Слитки кремния -2

Слитки кремния -1

Размер и распределение включений Te в слитках CdZnTe детекторного качества

4 "ФЗ кремния Ignot-4

4″ FZ Внутренний нелегированный кремний Ignot-2

4 "ФЗ кремния Ignot-3

4 "ФЗ кремния Ignot-2

FZ Силиконовый слиток диаметром 80+1мм-2

FZ Силиконовый слиток диаметром 60+1мм-2

FZ Силиконовый слиток диаметром 80+1мм-1

Слиток кремния FZ диаметр 60+1мм-1

6 ″ FZ Silicon Ignot

6 ″ кремниевый игнот

Кремниевый игнот 4 ″ FZ

4 ″ Силикон Ignot

Кремний вафельные

Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), основанная в 1990 году, является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае. PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные подложки и полупроводниковые устройства. Технологии PAM-XIAMEN обеспечивают более высокую производительность и более низкую стоимость производства полупроводниковых пластин.

Наша цель - удовлетворить все ваши требования, независимо от того, насколько малы заказы и насколько сложными они могут быть вопросы,
поддерживать устойчивый и прибыльный рост для каждого клиента благодаря нашим качественным продуктам и удовлетворительному обслуживанию.

Поделиться этой записью