ФБН-PG композитный нагреватель

ФБН-PG композитный нагреватель

PAM-СЯМЫНЬ предложенияФБН-PG композитный нагреватель с одной стороны и двойных моделей на стороне отопления.

PG толщина ленты 0,05 мм

Основные Зоны нагрева
Передняя поверхность:
Наружный элемент R1 = 13,4 Ом (горячая, в 1200-1300 deg.C), холодный ~ х2 выше
Внутренний элемент R2 = 8,1 Ом (горячая, в 1200-1300 deg.C), холодный ~ х2 выше

Вспомогательные Зоны нагрева
Задняя поверхность:
Наружный элемент R3 = 7,4 Ом (горячая, в 1200-1300 deg.C), холодный ~ х2 выше
Внутренний элемент R 4 = 4,3 Ом, (горячий, в 1200-1300 deg.C), холодный ~ х2 выше

 

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресуsales@powerwaywafer.comиpowerwaymaterial@gmail.com

Найдено в 1990 году, Сямэнь Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-СЯМЫНЬ) является ведущим производителем полупроводникового материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксию технологию, производственные процессы, спроектированные подложки и полупроводниковые приборы. технологии PAM-СЯМЫНЬ позволяют более высокую производительность и низкую стоимость изготовления полупроводниковой пластины.

С более чем 25 + лет опыта в области полупроводникового соединения материального и экспортного бизнеса, наша команда может гарантировать, что мы можем понять ваши требования и иметь дело с вашим проектом профессионально.

2019-03-13

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

InGaAs/InP MUTC Photodetector (MUTC-PD) Wafer

Terahertz (THz) wave generation technology is widely used in fields such as terahertz sensing, safety imaging, non-destructive material testing, and high-speed terahertz wireless data communication. Optical heterodyne is a method of achieving continuous tunable terahertz wave emission by mixing beat frequency signals of two [...]

2023-12-11мета-автор
Полное соединение кремниевых пластин с нанесенными атомными слоями промежуточными пленками диоксида титана и оксида алюминия.

Silicon full wafer bonding with atomic layer deposited titanium dioxide and aluminum oxide intermediate films Silicon-on-insulator (SOI) wafers made by direct wafer bonding are widely used as starting substrates for microelectromechanical systems (MEMS) fabrication. Adding another layer next to the SiO2 SOI, or replacing it with another [...]

2014-10-13мета-автор , ,
What is GaN？

GaN(Gallium nitride), which is a compound semiconductor,it is a hard, high melting point materials, the melting point of about 1700 ° C, GaN is a high degree of ionizationof III-Vcompound (0.5 or 0.43). At atmospheric pressure, the GaN crystal is generally hexagonal wurtzite structure. In a cell four atoms, the atomic volume is about halfthat of the GaAs. GaN is Non-Toxic. Basic Parameters for Wurtzite crystal structure at 300K: Breakdown field ~5 x 106 V cm-1 Mobility electrons =< 1000 cm2 V-1 s-1 Mobility holes =< 200 cm2 V-1 s-1 Diffusion coefficient [...]

2012-05-21мета-автор
SiC Ingots

PAM-XIAMEN offers n type SiC ingots with 4H or 6H polytype in on axis or 4deg.off axis in different quality grades for researcher and industry manufacturers, size from 2” to 4”, thickness from5-10mm to >15mm.    1. Specifications of SiC Ingots 4″ 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness Grade Micropipe Density Surface Usable area             N-Type  S4H-100-N-SIC-C0510-AC-D 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-100-N-SIC-C1015-AC-C 4″ [...]

2018-08-07мета-автор
InP/InGaAs/InP epi wafer

When the In composition in the InGaAs material reaches 0.53, and Ga reaches 0.47, InGaAs / InP lattice matched makes it can form a heterojunction. The InGaAs / InP heterojunction structure utilizes the steps of the conduction band and valence band formed by the [...]

2013-11-13мета-автор
SiC IGBT Wafer

PAM-XIAMEN can offer SiC substrate and epitaxy wafer for fabricating IGBT devices. The emergence of the third-generation wide-bandgap semiconductor SiC wafer has shown stronger competitiveness in the fields of high voltage, high temperature, and high power. The n-IGBT (insulated gate bipolar transistor) is further [...]

2022-04-14мета-автор