Фотографическая пластина

Фотографическая пластина

PAM XIAMEN предлагает фотопластинки.

Индекс точности (стандартный размер: 430 мм x 430 мм)

Мин. Линия / Ширина Пространства 20 мкм/20 мкм
Управление CD ±2,0 мкм
Общая точность подачи ±5,0 мкм
Точность регистрации ±4,0 мкм
Точность наложения 4,0 мкм
Ортогональность 4,0 мкрад

 

Материал подложки из хромированной пластины

Материал Известково-натриевое стекло
Максимум. Размер 24″×32″
Нормальный размер 5″x5″, 20″x24″, 22″x26″, 24″x28″
Толщина 5,0 мм ± 0,2 мм
Тип фильма Эмульсия
Оптическая плотность (λ = 450 нм) ≥3.6

 

Основные области применения:
В основном используется в печатных платах, нагрузочной плате ИС, выводной раме ИС и других отраслях промышленности.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресуsales@powerwaywafer.comиpowerwaymaterial@gmail.com

Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), основанная в 1990 году, является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае.PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные подложки и полупроводниковые устройства.Технологии PAM-XIAMEN обеспечивают более высокую производительность и более низкую стоимость производства полупроводниковых пластин.

Обладая более чем 25-летним опытом работы в области составных полупроводниковых материалов и экспортного бизнеса, наша команда может заверить вас, что мы можем понять ваши требования и профессионально справиться с вашим проектом.

2019-07-04

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

M Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate

PAM-XIAMEN offers M Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN M-U Dimension 5 x 10 mm2 or 5 x 20 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation M plane (1-100) off angle toward A-axis 0 ±0.5° M plane (1-100) off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type / Undoped Resistivity (300K) < 0.1 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine Ground or polished. Dislocation Density ≤5 x 10 6cm-2 Macro Defect Density 0 cm-2 Useable Area > 90% (edge exclusion) Package each in single wafer container, under nitrogen atmosphere, packed in class 100 clean room   For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-08-17мета-автор
Impact of GaN buffer growth conditions on photoluminescence and X-ray diffraction characteristics of MOVPE grown bulk GaN

Impact of GaN buffer growth conditions on photoluminescence and X-ray diffraction characteristics of MOVPE grown bulk GaN   Properties of metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) grown GaN bulk layers with varying GaN buffer growth conditions are characterized by low-temperature (6K) photoluminescence (LT-PL) and X-ray diffraction (XRD). [...]

2013-05-09мета-автор
How to Determine the Silicon Carbide Polarity?

The commonly used 4H-SiC and 6H-SiC space groups are both P63mc, and the point group is 6mm. 6mm belongs to one of 10 polar point groups (1, 2, 3, 4, 6; m, 3m; mm2, 4mm, 6mm), so 4H-SiC and 6H-SiC are polar crystals. The [...]

2021-04-09мета-автор
THz Generation Process in LT-GaAs

THz Generation Process in LT-GaAs   Optical down-conversion is the most successful commercial technique for THz generation using Low temperature grown GaAs (LT-GaAs). The technique is often known as Terahertz Time-Domain Spectroscopy (THz-TDS). This technique works by optical pulse excitation of a photoconductive switch. Here, a [...]

2012-06-18мета-автор ,
InP HEMT Epi Wafer

InP-based three-terminal electronic devices mainly include InP-based heterojunction bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs). PAM-XIAMEN can provide indium phosphide (InP) HEMT epi wafer, in which InGaAs use as the channel material and InAlAs as the barrier layer. The InP HEMT structure [...]

2022-07-22мета-автор
GALLIUM PHOSPHATE GAP CRYSTAL AND SUBSTRATES

PAM XIAMEN offers Gallium Phosphate GaP Crystal and Substrate. Main Parameters Crystal structure Cubic Growth method crystallization process Crystal lattice parameters a=5.642Å Density 2.16（g/cm3） Wave band 0.25~22.00um Index of refraction 1.54427 T 0.9 Nf 0.0127 Surface roughness <30A orientation <111>, <110>, <100> size 10×10×2.0mm, 20*20*2.0mm, other sizes available upon request polished One side or double For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading [...]

2019-03-12мета-автор