PAM-XIAMEN может поставлять полупроводниковые пластины, дополнительные характеристики пластин см.https://www.powerwaywafer.com/products.html.При необходимости мы предложим ФЛ (фотолюминесцентную) спектроскопию для полупроводниковых пластин.
1. Что такое ПЛ?
Что касается PL, это относится к самоизлучению света, производимому материалом после возбуждения светом. Когда вещество поглощает фотоны и переизлучает фотоны, возникает фотолюминесценция. В квантовой механике этот процесс можно описать как переход вещества в возбужденное состояние после поглощения фотонов, а затем из более высокоэнергетического возбужденного состояния в менееэнергетическое. В процессе возврата одновременно высвобождаются фотоны.
Принцип фотолюминесценции
Как правило, фотолюминесценцию можно разделить на флуоресценцию и фосфоресценцию, время задержки у которых разное. Флуоресценция относится к переходу из возбужденного синглетного состояния в основной радиационный переход. Время жизни флуоресценции относительно короткое, порядка от пс до нс. Фосфоресценция представляет собой переход из возбужденного триплетного состояния в основное состояние. Сопротивление в этом процессе вообще запрещено и имеет длительное время жизни, колеблющееся от нас до мс, и невидимо невооруженным глазом при комнатной температуре и на воздухе.
2. Для чего можно использовать фотолюминесценцию?
ФЛ — эффективный метод обнаружения дискретных уровней энергии, а фотолюминесцентный анализ также может извлекать эффективную информацию о полупроводниковых материалах.
1) Определение состава полупроводниковых пластин, толщины квантовых ям и измерение монодисперсности квантовых точек. Возьмем, к примеру, определение состава:
GaAs1-хP представляет собой смешанный кристалл, состоящий из GaAs с прямой запрещенной зоной и GaP с непрямой запрещенной зоной, и его ширина запрещенной зоны зависит от значения x. Пиковая длина волны люминесценции зависит от ширины запрещенной зоны, которая связана со значением x. Таким образом, значение х компонента в процентах может быть определено по размаху длины волны люминесценции;
2) Идентификация примесей: следы примесей в GaAs и GaP можно идентифицировать по положению характеристических эмиссионных линий;
3) определение концентрации мелких примесей в кремнии;
4) Сравнение эффективности излучения:
Полупроводниковые светоизлучающие и лазерные устройства требуют материалов с хорошими светоизлучающими свойствами, а измерение светоизлучающих свойств напрямую отражает светоизлучающие свойства материалов. Измеряя спектр фотолюминесценции, можно получить не только интенсивность каждой запрещенной зоны фотолюминесценции, но и интегральную интенсивность излучения. При одинаковых условиях измерения относительная эффективность излучения может быть получена для разных образцов;
5) Определение степени компенсации материала GaAs:
Степень компенсации NA/ ND (ND, НA– концентрации донорной и акцепторной примеси соответственно) – важный характеристический параметр, характеризующий чистоту материалов;
6) определение срока службы неосновных носителей;
7) Изучение однородности полупроводниковых пластин:
Метод измерения заключается в сканировании образца лазерным микрозондом и непосредственном отображении неровного изображения образца в соответствии с изменением интенсивности определенной характеристической полосы люминесценции образца;
8) Исследование дефектов пластин, таких как дислокации.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.